電子標(biāo)簽中天線的限幅電路制造技術(shù)

本實用新型專利技術(shù)公開了電子標(biāo)簽中天線的限幅電路，包括第一N溝道增強型場效應(yīng)管、第二N溝道增強型場效應(yīng)管、第三N溝道增強型場效應(yīng)管、第四N溝道增強型場效應(yīng)管、第三電阻、第四電阻、第一電容及第二電容，第二電容兩端分別串聯(lián)第三電阻和第四電阻后與第一電容并聯(lián)構(gòu)成串并聯(lián)線路，該串并聯(lián)線路設(shè)有第三電阻的一端與第三N溝道增強型場效應(yīng)管漏極和第四N溝道增強型場效應(yīng)管漏極之間的線路連接，其另一端接地，第一N溝道增強型場效應(yīng)管和第二N溝道增強型場效應(yīng)管兩者的柵極均與第二電容和第四電阻之間的線路連接。采用上述結(jié)構(gòu)，整體結(jié)構(gòu)簡單，便于實現(xiàn)，且在實現(xiàn)天線的電壓限幅時不會對功率產(chǎn)生影響。（*該技術(shù)在2022年保護過期，可自由使用*）

【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】

本技術(shù)涉及射頻
，具體是電子標(biāo)簽中天線的限幅電路。
技術(shù)介紹
射頻識別是當(dāng)前應(yīng)用最廣泛的非接觸式自動目標(biāo)識別技術(shù)之一，其具有非接觸、讀寫靈活、速度快、安全性高等優(yōu)點，因此被廣泛應(yīng)用于各個領(lǐng)域。射頻識別系統(tǒng)主要包括閱讀器和電子標(biāo)簽，電子標(biāo)簽接收閱讀器的能量會受作用距離、與閱讀器天線之間的角度影響，電子標(biāo)簽感應(yīng)到的電壓可能會比較大，所以必須有單獨的模塊電路實現(xiàn)限幅，將電壓限制在一定范圍之內(nèi)，以防止接收MOS管柵極被擊穿。限幅的最簡單直接的措施是降低耦合系數(shù)，現(xiàn)今人們常常通過調(diào)整閱讀器和電子標(biāo)簽的作用距離或者調(diào)整電子標(biāo)簽的輸入電容來降低耦合系數(shù)，其中，采用調(diào)整閱讀器和電子標(biāo)簽的作用距離對于操作人員來說是很難把握的，該方法不切合實際；改電子標(biāo)簽的輸入電容，即是改變諧振頻率，降低耦合系數(shù)，電子標(biāo)簽中傳送的功率也會降低，在大規(guī)模集成電路設(shè)計中電容的實現(xiàn)會占用較大的芯片·面積，而且電容的參數(shù)浮動相對較大。
技術(shù)實現(xiàn)思路
本技術(shù)的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供了一種便于操作控制，結(jié)構(gòu)簡單，且在進行電壓限幅時不會影響傳送功率的電子標(biāo)簽中天線的限幅電路。本技術(shù)的目的主要通過以下技術(shù)方案實現(xiàn)電子標(biāo)簽中天線的限幅電路，包括第一 N溝道增強型場效應(yīng)管、第二 N溝道增強型場效應(yīng)管、第三N溝道增強型場效應(yīng)管、第四N溝道增強型場效應(yīng)管、第三電阻、第四電阻、第一電容及第二電容，第三N溝道增強型場效應(yīng)管和第四N溝道增強型場效應(yīng)管均為二極管連接的MOS管，所述第三N溝道增強型場效應(yīng)管的漏極和源極分別與第四N溝道增強型場效應(yīng)管漏極和第一 N溝道增強型場效應(yīng)管漏極連接，第二N溝道增強型場效應(yīng)管的漏極與第四N溝道增強型場效應(yīng)管源極連接，第一 N溝道增強型場效應(yīng)管源極和第二 N溝道增強型場效應(yīng)管源極均接地，所述第二電容兩端分別串聯(lián)第三電阻和第四電阻后與第一電容并聯(lián)構(gòu)成串并聯(lián)線路，該串并聯(lián)線路設(shè)有第三電阻的一端與第三N溝道增強型場效應(yīng)管漏極和第四N溝道增強型場效應(yīng)管極之間的線路連接，其另一端接地，所述第一 N溝道增強型場效應(yīng)管和第二 N溝道增強型場效應(yīng)管兩者的柵極均與第二電容和第四電阻之間的線路連接；所述第一 N溝道增強型場效應(yīng)管漏極和第三N溝道增強型場效應(yīng)管源極之間的線路上連接有第一天線信號輸入端，第二 N溝道增強型場效應(yīng)管漏極與第四N溝道增強型場效應(yīng)管漏極之間的線路上連接有第二天線信號輸入端。其中，本技術(shù)在應(yīng)用時，第一天線信號輸入端和第二天線信號輸入端用于外接天線。本技術(shù)中二極管連接的MOS管是將MOS管的柵極和源極連接在一起，由于MOS管在一定電壓下存在漏電流，所以本技術(shù)中二極管連接的MOS管用來模擬一個阻值很大的電阻，并且可以通過調(diào)整MOS管的參數(shù)來實現(xiàn)對阻值的控制。所述第一 N溝道增強型場效應(yīng)管漏極和第三N溝道增強型場效應(yīng)管源極之間的線路上連接有第一電阻；所述第二 N溝道增強型場效應(yīng)管漏極與第四N溝道增強型場效應(yīng)管源極之間的線路上連接有第二電阻。所述第一天線信號輸入端連接在第一電阻與第一 N溝道增強型場效應(yīng)管漏極之間的線路上；所述第二天線信號輸入端連接在第二電阻與第二 N溝道增強型場效應(yīng)管漏極之間的線路上。本技術(shù)在應(yīng)用時，第三N溝道增強型場效應(yīng)管、第四N溝道增強型場效應(yīng)管及第一電容用于采樣射頻信號，第一 N溝道增強型場效應(yīng)管和第二 N溝道增強型場效應(yīng)管為泄流管，第一 N溝道增強型場效應(yīng)管和第二 N溝道增強型場效應(yīng)管并聯(lián)在天線兩端進行限幅分流。當(dāng)采樣的信號高于參考電平時，流經(jīng)第四電阻的電流增加，因此控制第一 N溝道增強型場效應(yīng)管和第二 N溝道增強型場效應(yīng)管兩者柵極的電位提高，增加第一 N溝道增強型場效應(yīng)管和第二 N溝道增強型場效應(yīng)管的導(dǎo)通能力，流經(jīng)第一 N溝道增強型場效應(yīng)管和第 二N溝道增強型場效應(yīng)管的電流增加，降低標(biāo)簽天線的有效負載，從而限制天線信號的電壓幅度。本技術(shù)中第三電阻、第四電阻、第一電容及第二電容構(gòu)成的串并聯(lián)線路為濾波回路，該濾波回路反饋調(diào)整第一 N溝道增強型場效應(yīng)管和第二 N溝道增強型場效應(yīng)管的導(dǎo)通程度，從而保證本技術(shù)應(yīng)用時電壓的穩(wěn)定。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本技術(shù)具有以下有益效果本技術(shù)包括第一 N溝道增強型場效應(yīng)管、第二 N溝道增強型場效應(yīng)管、第三N溝道增強型場效應(yīng)管、第四N溝道增強型場效應(yīng)管、第三電阻、第四電阻、第一電容及第二電容，本技術(shù)使用電子元件的數(shù)量少，整體結(jié)構(gòu)簡單，集成在模塊上時體積小，便于實現(xiàn)、成本低，且本技術(shù)在應(yīng)用時通過提高第一 N溝道增強型場效應(yīng)管和第二增強型場效應(yīng)管的柵極電壓，不會對功率產(chǎn)生影響，在輸入電壓高于一定電壓值時使并聯(lián)分流電路導(dǎo)通，使電路的電流變大，從而使電壓穩(wěn)壓在一定的范圍內(nèi)。附圖說明圖I為本技術(shù)實施例的結(jié)構(gòu)示意圖。附圖中附圖標(biāo)記所對應(yīng)的名稱為N1—第一 N溝道增強型場效應(yīng)管，N2—第二 N溝道增強型場效應(yīng)管，N3—第三N溝道增強型場效應(yīng)管，N4—第四N溝道增強型場效應(yīng)管，Cl一第一電容，C2—第二電容，Rl—第一電阻，R2—第二電阻，R3—第三電阻，R4—第四電阻，Antl—第一天線信號輸入端，Ant2—第二天線信號輸入端。具體實施方式下面結(jié)合實施例及附圖對本技術(shù)作進一步的詳細說明，但本技術(shù)的實施方式不限于此。實施例如圖I所示，電子標(biāo)簽中天線的限幅電路，包括第一 N溝道增強型場效應(yīng)管NI、第二N溝道增強型場效應(yīng)管N2、第三N溝道增強型場效應(yīng)管N3、第四N溝道增強型場效應(yīng)管N4、第三電阻R3、第四電阻R4、第一電容Cl及第二電容C2，其中，第三N溝道增強型場效應(yīng)管N3和第四N溝道增強型場效應(yīng)管N4，在此二極管連接的MOS管為MOS管中的柵極與源極連接。第三N溝道增強型場效應(yīng)管N3的漏極和源極分別與第四N溝道增強型場效應(yīng)管N4漏極和第一 N溝道增強型場效應(yīng)管NI漏極連接，第二 N溝道增強型場效應(yīng)管N2的漏極與第四N溝道增強型場效應(yīng)管N4源極連接，第一 N溝道增強型場效應(yīng)管NI源極和第二 N溝道增強型場效應(yīng)管N2源極均接地。第二電容C2兩端分別串聯(lián)第三電阻R3和第四電阻R4后與第一電容Cl并聯(lián)構(gòu)成串并聯(lián)線路，該串并聯(lián)線路設(shè)有第三電阻R3的一端與第三N溝道增強型場效應(yīng)管N3漏極和第四N溝道增強型場效應(yīng)管N4漏極之間的線路連接，其另一端接地。第一 N溝道增強型場效應(yīng)管NI和第二 N溝道增強型場效應(yīng)管N2兩者的柵極均與第二電容C2和第四電阻R4之間的線路連接。第一 N溝道增強型場效應(yīng)管NI漏極和第三N溝道增強型場效應(yīng)管N3源極之間的線路上連接有第一電阻R1，第一電阻Rl與第一 N溝道增強型場效應(yīng)管NI漏極之間的線路上連接有第一天線信號輸入端Anti。第二 N溝道增強型場效應(yīng)管N2漏極與第四N溝道增強型場效應(yīng)管N4源極之間的線路上連接有第二電阻R2，第二電阻R2與第二 N溝道增強型場效應(yīng)管N2漏極之間的線路上連接有第二天線信號輸入端Ant2。 如上所述，則能很好的實現(xiàn)本技術(shù)。權(quán)利要求1.電子標(biāo)簽中天線的限幅電路，其特征在于包括第一N溝道增強型場效應(yīng)管(NI)、第二N溝道增強型場效應(yīng)管(N2)、第三N溝道增強型場效應(yīng)管(N3)、第四N溝道增強型場效應(yīng)管(N4)、第三電阻(R3)、第四電阻(R4)、第一電容(Cl)及第二電容(C本文檔來自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護點】
電子標(biāo)簽中天線的限幅電路，其特征在于：包括第一N溝道增強型場效應(yīng)管（N1）、第二N溝道增強型場效應(yīng)管（N2）、第三N溝道增強型場效應(yīng)管（N3）、第四N溝道增強型場效應(yīng)管（N4）、第三電阻（R3）、第四電阻（R4）、第一電容（C1）及第二電容（C2），第三N溝道增強型場效應(yīng)管（N3）和第四N溝道增強型場效應(yīng)管（N4）均為二極管連接的MOS管，所述第三N溝道增強型場效應(yīng)管（N3）的漏極和源極分別與第四N溝道增強型場效應(yīng)管（N4）漏極和第一N溝道增強型場效應(yīng)管（N1）漏極連接，第二N溝道增強型場效應(yīng)管（N2）的漏極與第四N溝道增強型場效應(yīng)管（N4）源極連接，第一N溝道增強型場效應(yīng)管（N1）源極和第二N溝道增強型場效應(yīng)管（N2）源極均接地，所述第二電容（C2）兩端分別串聯(lián)第三電阻（R3）和第四電阻（R4）后與第一電容（C1）并聯(lián)構(gòu)成串并聯(lián)線路，該串并聯(lián)線路設(shè)有第三電阻（R3）的一端與第三N溝道增強型場效應(yīng)管（N3）漏極和第四N溝道增強型場效應(yīng)管（N4）漏極之間的線路連接，其另一端接地，所述第一N溝道增強型場效應(yīng)管（N1）和第二N溝道增強型場效應(yīng)管（N2）？兩者的柵極均與第二電容（C2）和第四電阻（R4）之間的線路連接；所述第一N溝道增強型場效應(yīng)管（N1）漏極和第三N溝道增強型場效應(yīng)管（N3）源極之間的線路上連接有第一天線信號輸入端（Ant1），第二N溝道增強型場效應(yīng)管（N2）漏極與第四N溝道增強型場效應(yīng)管（N4）漏極之間的線路上連接有第二天線信號輸入端（Ant2）。...

【技術(shù)特征摘要】

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：曾維亮，
申請(專利權(quán))人：成都市宏山科技有限公司，
類型：實用新型
國別省市：