陽極氧化層的形成方法技術

本發明專利技術的陽極氧化層的形成方法包含：工序(a)，準備鋁基材(18)或沉積在支撐體上的鋁膜；陽極氧化工序(b)，在使鋁基材(18)或鋁膜的表面與電解液接觸的狀態下，使化成電壓按規定的條件上升到預先決定的第1電壓，之后，將第1電壓維持規定的時間，由此形成具有微細的凹部(12a)的多孔氧化鋁層(10)；以及蝕刻工序(c)，在工序(b)之后，使多孔氧化鋁層(10)與蝕刻液接觸，由此一邊擴大微細的凹部(12a)，一邊對微細的凹部(12a)的側面賦予傾斜度。根據本發明專利技術，能以簡單的工序形成具備微細的凹部的陽極氧化層，上述微細的凹部具有實質上無臺階的傾斜的側面。

【技術實現步驟摘要】
【國外來華專利技術】

【技術保護點】

【技術特征摘要】
【國外來華專利技術】...

【專利技術屬性】
技術研發人員：伊原一郎，
申請(專利權)人：夏普株式會社，
類型：
國別省市：