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    一種LED驅(qū)動(dòng)芯片中的欠壓保護(hù)電路制造技術(shù)

    技術(shù)編號:8183065 閱讀:195 留言:0更新日期:2013-01-09 00:35
    本實(shí)用新型專利技術(shù)主要公開了一種LED驅(qū)動(dòng)芯片中的欠壓保護(hù)電路,包括比較器、晶體三極管、負(fù)載電阻一、負(fù)載電阻二、兩個(gè)非門;晶體三極管、負(fù)載電阻一、負(fù)載電阻二三者形成串聯(lián)接地,在負(fù)載電阻一、負(fù)載電阻二的連接點(diǎn)連接至比較器的一個(gè)輸入端,比較器的另一個(gè)輸入端連接VDD比較電壓,比較器的輸出端依次串聯(lián)兩個(gè)非門,最終形成輸出電壓。本實(shí)用新型專利技術(shù)通過分壓采樣VCC電壓,并與VDD比較電壓做比較,實(shí)現(xiàn)欠壓保護(hù)功能。本實(shí)用新型專利技術(shù)結(jié)構(gòu)簡單,應(yīng)用于LED驅(qū)動(dòng)芯片電路中,可確保驅(qū)動(dòng)芯片中工作電壓的穩(wěn)定性。(*該技術(shù)在2022年保護(hù)過期,可自由使用*)

    【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】

    本技術(shù)涉及LED芯片術(shù)領(lǐng)域,特別與ー種LED驅(qū)動(dòng)芯片中的欠壓保護(hù)電路有關(guān)。
    技術(shù)介紹
    LED照明燈做為新一代的照明產(chǎn)品,自身有非常強(qiáng)的優(yōu)點(diǎn)節(jié)能、亮度高、高效率、壽命長、環(huán)保等,由于LED照明等有了這些優(yōu)點(diǎn),決定了市場前景的廣闊,需求的數(shù)量巨大。每ー盞LED燈必須要配備ー個(gè)LED驅(qū)動(dòng)電源。其中,對于LED路燈的LED驅(qū)動(dòng)電源 成本占整個(gè)燈具成本的8% —10% ;LED民用照明燈的LED驅(qū)動(dòng)電源成本占整個(gè)燈具成本的3分之一。LED驅(qū)動(dòng)芯片中有些沒有欠壓保護(hù)措施,從而會(huì)導(dǎo)致電源電壓不穩(wěn)定的現(xiàn)象。本專利技術(shù)人針對LED驅(qū)動(dòng)做了一番研究,設(shè)計(jì)出ー種LED驅(qū)動(dòng)芯片中的欠壓保護(hù)電路,本案由此產(chǎn)生。
    技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
    本技術(shù)的目的是提供ー種LED驅(qū)動(dòng)芯片中的欠壓保護(hù)電路,結(jié)構(gòu)簡單,有效保護(hù)芯片工作穩(wěn)定。為了達(dá)到上述目的,本技術(shù)通過以下技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)ー種LED驅(qū)動(dòng)芯片中的欠壓保護(hù)電路,包括比較器、晶體三極管、負(fù)載電阻一、負(fù)載電阻ニ、兩個(gè)非門;晶體三極管、負(fù)載電阻一、負(fù)載電阻二三者形成串聯(lián)接地,在負(fù)載電阻一、負(fù)載電阻ニ的連接點(diǎn)連接至比較器的一個(gè)輸入端,比較器的另ー個(gè)輸入端連接VDD比較電壓,比較器的輸出端依次串聯(lián)兩個(gè)非門,最終形成輸出電壓。所述的兩個(gè)非門串聯(lián)之后,通過ー電阻接地。采用上述技術(shù)方案后,本技術(shù)具有諸多有益效果本技術(shù)中的比較器的輸入端通過兩個(gè)負(fù)載電阻分壓,進(jìn)行采樣,采樣后通過分壓采樣VCC電壓,并與VDD比較電壓做比較,實(shí)現(xiàn)欠壓保護(hù)功能。本技術(shù)結(jié)構(gòu)簡単,應(yīng)用于LED驅(qū)動(dòng)芯片電路中,可確保驅(qū)動(dòng)芯片中工作電壓的穩(wěn)定性。附圖說明圖I為本技術(shù)較佳實(shí)施例的電路示意圖。具體實(shí)施方式結(jié)合附圖,對本技術(shù)較佳實(shí)施例做進(jìn)ー步詳細(xì)說明。ー種LED驅(qū)動(dòng)芯片中的欠壓保護(hù)電路,包括比較器I、晶體三極管Q、負(fù)載電阻一Rl、負(fù)載電阻ニ R2、兩個(gè)非門Al、A2。輸入電壓VCC從晶體三極管Q的發(fā)射極輸入,晶體三極管Q的集電極依次串聯(lián)負(fù)載電阻一 Rl、負(fù)載電阻ニ R2,最后接地。其中負(fù)載電阻一 Rl、負(fù)載電阻ニ R2的串聯(lián)點(diǎn)形成分壓點(diǎn),接入至比較器I的其中一個(gè)輸入端,比較器I的另ー個(gè)輸入端連接VDD比較電壓,而比較器I的輸出端一次串聯(lián)兩個(gè)非門A1、A2,最終形成輸出電壓。為了確保穩(wěn)定,在非門A2之后,通過串聯(lián)ー電阻R3接地。本技術(shù)中的比較器I的輸入端采樣后通過分壓采樣VCC電壓,并與VDD比較電壓做比較,實(shí)現(xiàn)欠壓保護(hù)功能。本技術(shù)結(jié)構(gòu)簡単,應(yīng)用于LED驅(qū)動(dòng)芯片電路中,可確保驅(qū)動(dòng)芯片中工作電壓的穩(wěn)定性。 上述實(shí)施例僅用于解釋說明本技術(shù)的專利技術(shù)構(gòu)思,而非對本技術(shù)權(quán)利保護(hù)的限定,凡利用此構(gòu)思對本技術(shù)進(jìn)行非實(shí)質(zhì)性的改動(dòng),均應(yīng)落入本技術(shù)的保護(hù)范圍。權(quán)利要求1.ー種LED驅(qū)動(dòng)芯片中的欠壓保護(hù)電路,其特征在于包括比較器、晶體三極管、負(fù)載電阻一、負(fù)載電阻ニ、兩個(gè)非門;晶體三極管、負(fù)載電阻一、負(fù)載電阻二三者形成串聯(lián)接地,在負(fù)載電阻一、負(fù)載電阻ニ的連接點(diǎn)連接至比較器的一個(gè)輸入端,比較器的另ー個(gè)輸入端連接VDD比較電壓,比較器的輸出端依次串聯(lián)兩個(gè)非門,最終形成輸出電壓。2.如權(quán)利要求I所述的ー種LED驅(qū)動(dòng)芯片中的欠壓保護(hù)電路,其特征在于所述的兩個(gè)非門串聯(lián)之后,通過ー電阻接地。專利摘要本技術(shù)主要公開了一種LED驅(qū)動(dòng)芯片中的欠壓保護(hù)電路,包括比較器、晶體三極管、負(fù)載電阻一、負(fù)載電阻二、兩個(gè)非門;晶體三極管、負(fù)載電阻一、負(fù)載電阻二三者形成串聯(lián)接地,在負(fù)載電阻一、負(fù)載電阻二的連接點(diǎn)連接至比較器的一個(gè)輸入端,比較器的另一個(gè)輸入端連接VDD比較電壓,比較器的輸出端依次串聯(lián)兩個(gè)非門,最終形成輸出電壓。本技術(shù)通過分壓采樣VCC電壓,并與VDD比較電壓做比較,實(shí)現(xiàn)欠壓保護(hù)功能。本技術(shù)結(jié)構(gòu)簡單,應(yīng)用于LED驅(qū)動(dòng)芯片電路中,可確保驅(qū)動(dòng)芯片中工作電壓的穩(wěn)定性。文檔編號H02H7/20GK202651774SQ20122034354公開日2013年1月2日 申請日期2012年7月16日 優(yōu)先權(quán)日2012年7月16日專利技術(shù)者張新華, 張若煜 申請人:紹興文理學(xué)院本文檔來自技高網(wǎng)...

    【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
    一種LED驅(qū)動(dòng)芯片中的欠壓保護(hù)電路,其特征在于:包括比較器、晶體三極管、負(fù)載電阻一、負(fù)載電阻二、兩個(gè)非門;晶體三極管、負(fù)載電阻一、負(fù)載電阻二三者形成串聯(lián)接地,在負(fù)載電阻一、負(fù)載電阻二的連接點(diǎn)連接至比較器的一個(gè)輸入端,比較器的另一個(gè)輸入端連接VDD比較電壓,比較器的輸出端依次串聯(lián)兩個(gè)非門,最終形成輸出電壓。

    【技術(shù)特征摘要】

    【專利技術(shù)屬性】
    技術(shù)研發(fā)人員:張新華張若煜
    申請(專利權(quán))人:紹興文理學(xué)院
    類型:實(shí)用新型
    國別省市:

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