一種半透明潔凈防靜電屏蔽膜制造技術

本實用新型專利技術涉及防靜電技術領域，特別涉及一種半透明潔凈防靜電屏蔽膜，包括順序排列的外表面靜電耗散層、聚酯層、金屬鋁層、聚乙烯層與內表面靜電耗散層，分別由涂布在所述聚酯層與聚乙烯層外表面的防靜電液經干燥后形成。本實用新型專利技術的半透明潔凈防靜電屏蔽膜，具有潔凈度高，陰離子含量低，可以有效防止陰離子與水分子結合而產生的具有強烈腐蝕作用的酸性物質，能有效保護電子元器件。（*該技術在2022年保護過期，可自由使用*）

【技術實現步驟摘要】

本技術涉及防靜電
，特別涉及ー種半透明潔凈防靜電屏蔽膜。
技術介紹
潔凈防靜電屏蔽膜廣泛應用于電子半導體行業、國防エ業、記錄磁盤行業、纖維光學器件制造業、電信無線電通訊業、醫藥業、汽車制造業等涉及敏感電子元器件加工、包裝和封裝等領域，用于保護敏感電子元件內部和表面不受微顆粒、濕氣、靜電釋放和電磁干擾等傷害。目前市場上通用的防靜電屏蔽膜，在微顆粒控制以及離子含量控制方面技術水平較低或者不作為控制項目，無法滿足潔凈條件的使用要求。
技術實現思路
針對上述現有技術存在的不足，本技術的目的是提供ー種半透明潔凈防靜電屏蔽膜，它具有潔凈度高，陰離子含量低，可以有效防止陰離子與水分子結合而產生的具有強烈腐蝕作用的酸性物質，能有效保護電子元器件。為了實現上述目的，本技術所采用的技術方案是ー種半透明潔凈防靜電屏蔽膜，包括順序排列的外表面靜電耗散層、聚酯層、金屬鋁層、聚こ烯層與內表面靜電耗散層。進ー步地，所述外表面靜電耗散層與內表面靜電耗散層分別由涂布在所述聚酯層與聚こ烯層外表面的防靜電液經干燥后形成。進ー步地，所述外表面靜電耗散層與內表面靜電耗散層的電阻小于IXlO11歐姆，金屬招層表面電阻小于100歐姆,靜電屏蔽小于50V。進ー步地，材料厚度為0. 075mm,拉伸強度大于15N(TD&MD)，撕裂強度大于8N(TD&MD)，穿刺強度大于5N。所述外表面靜電耗散層與內表面靜電耗散層主要作用是阻止屏蔽膜內外表面靜電的產生，提供釋放外部電荷的途徑；所述聚酯層(PET)經過特殊處理，提供材料的物理性能；所述金屬鋁(AL)提供法拉第籠原理的靜電屏蔽保護；所述聚こ烯層(PE)，提供薄膜的熱封面以及物理性能。本技術的各項性能符合ANSI/ESD S541，MIL-1686A，MIL-PRF-81705Rev D,Type III，GB-13022-91的相關要求。通過特定的抗靜電配方，使包裝袋潔凈度能夠滿足記錄磁盤行業的高標準要求，而且不含氨基化合物、硅油和酸ニ辛酯(DOP)，IC陰離子含量較低，氟離子(F_)小于0. 001 u g/cm2，氯離子(CF)小于0. 005 u g/cm2，亞硝酸根離子(NO2O小于0. 001 V- g/cm2,溴離子(Brつ小于0. 001 u g/cm2，硝酸根離子(NO3O小于0. 031 u g/cm2,磷酸根離子(P0/_)小于0. 001 ii g/cm2，硫酸根離子(S042_)小于0. 001 ii g/cm2,總的陰離子含量小于0.036 y g/cm2。與市場上普通的防靜電屏蔽膜相比，本技術的陰離子含量僅為幾十分之一，氯離子僅是二分之一，硝酸根離子僅是四分之一，氟離子、亞硝酸根離子、溴離子、磷酸根離子、硫酸根離子僅為十分之一，總的離子含量也僅為四分之一。同時，本技術也符合FTIR、RoHS, REACH、Halogen Free、PFOS, PFOA和PVC等有害物質的限量要求。本技術具有較高的潔凈度，陰離子含量低，可以有效防止陰離子與水分子結合而產生的具有強烈腐蝕作用的酸性物質，有效保護電子器件。所具有的物理性能和防靜電性能，可以按包裝物的要求制作成各種形狀及尺寸，并且能夠達到抽真空包裝的要求。半透明性能可以查看包裝內部電子元器件的外觀狀況，通過濕度指示卡觀察包裝袋內的濕度變化情況。本技術適用于環境有無塵要求的生產、包裝和測試等場合，符合磁頭、硬盤等對潔凈度有苛刻要求的高科技行業標準。 以下結合附圖和實施例對本技術進ー步說明。圖I是本技術的結構示意圖；圖中1、外表面靜電耗散層；2、聚酯層；3、金屬鋁層；4、聚こ烯層；5、內表面靜電耗散層。具體實施方式下面結合實施例對本技術進行詳細描述，本部分的描述僅是示范性和解釋性的，不應對本技術的保護范圍有任何的限制作用。實施例，見圖I所示本技術是ー種半透明潔凈防靜電屏蔽膜，包括順序排列的外表面靜電耗散層I、聚酯層2、金屬鋁層3、聚こ烯層4與內表面靜電耗散層5 ;所述外表面靜電耗散層I與內表面靜電耗散層5分別由涂布在所述聚酯層2與聚こ烯層4外表面的防靜電液經干燥后形成。首先采用常規流延法或吹膜法將聚酯和聚こ烯拉伸至所需厚度的薄膜，分別制成聚酯層2與聚こ烯層4 ;再利用真空鍍鋁技術在聚酯層2內側表面鍍上金屬鋁層3，制成鍍鋁聚酯，其金屬鋁層3的厚度為150埃左右；然后將鍍鋁聚酯的金屬鋁層3和聚こ烯層4利用干式復合法均勻地復合在一起，最后在復合材料兩外表面分別涂布ー層防靜電液，充分干燥。防靜電液采用原液與異丙醇或酒精配制獲得，原液與溶劑的比例是I : 350 I 500，干燥溫度35°C 55°C，干燥運行線速度40 80m/min。以上所述僅是本技術的較佳實施方式，故凡依本技術專利申請范圍所述的構造、特征及原理所做的等效變化或修飾，均包括于本技術專利申請范圍內。權利要求1.ー種半透明潔凈防靜電屏蔽膜,其特征在于包括順序排列的外表面靜電耗散層(I)、聚酯層(2)、金屬鋁層(3)、聚こ烯層(4)與內表面靜電耗散層(5)。2.根據權利要求I所述的ー種半透明潔凈防靜電屏蔽膜，其特征在于所述外表面靜電耗散層(I)與內表面靜電耗散層(5)分別由涂布在所述聚酯層(2)與聚こ烯層(4)外表面的防靜電液經干燥后形成。3.根據權利要求I所述的ー種半透明潔凈防靜電屏蔽膜，其特征在于所述外表面靜電耗散層⑴與內表面靜電耗散層⑷的電阻小于I X IO11歐姆；所述金屬招層(3)表面電阻小于100歐姆，靜電屏蔽小于50V。4.根據權利要求I所述的ー種半透明潔凈防靜電屏蔽膜，其特征在于材料厚度為O.075mm,拉伸強度大于15N,撕裂強度大于8N,穿刺強度大于5N。專利摘要本技術涉及防靜電
，特別涉及一種半透明潔凈防靜電屏蔽膜，包括順序排列的外表面靜電耗散層、聚酯層、金屬鋁層、聚乙烯層與內表面靜電耗散層，分別由涂布在所述聚酯層與聚乙烯層外表面的防靜電液經干燥后形成。本技術的半透明潔凈防靜電屏蔽膜，具有潔凈度高，陰離子含量低，可以有效防止陰離子與水分子結合而產生的具有強烈腐蝕作用的酸性物質，能有效保護電子元器件。文檔編號B65D65/40GK202642436SQ201220180928公開日2013年1月2日 申請日期2012年4月25日 優先權日2012年4月25日專利技術者郭先正 申請人:衛利凈化產品(上海)有限公司本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種半透明潔凈防靜電屏蔽膜，其特征在于：包括順序排列的外表面靜電耗散層(1)、聚酯層(2)、金屬鋁層(3)、聚乙烯層(4)與內表面靜電耗散層(5)。

【技術特征摘要】

【專利技術屬性】
技術研發人員：郭先正，
申請(專利權)人：衛利凈化產品上海有限公司，
類型：實用新型
國別省市：