具有低噪聲系數和電壓可變增益的功率放大器制造技術

本發明專利技術的目的在于提供一種具有可變增益的低噪聲系數放大器，該放大器包括共源共基放大級，共源共基放大級包括串聯連接的以下部件：被安裝為公共源極的低電壓MOSFET晶體管，以及之后的被安裝為公共基極的具有高擊穿電壓的雙極型晶體管。電阻器置于雙極型晶體管的集電極和共源共基級的MOSFET晶體管的柵極之間，并且共源共基級通過扼流圈來供電。

【技術實現步驟摘要】
【國外來華專利技術】

【技術保護點】

【技術特征摘要】
【國外來華專利技術】...

【專利技術屬性】
技術研發人員：P·魯，Y·貝延斯，M·戈恩，
申請(專利權)人：阿爾卡特朗訊，
類型：
國別省市：