一種電泳顯示器，包括多個像素，每個像素有一單元區域，包括多個帶電顏料粒子(43)，這些帶電顏料粒子散布于兩個相對電極(411、421)之間，及一半導體保護層(45)被提供在該兩相對電極(411、421)的一個電極或兩個電極上。半導體保護層可由MOx/y、MSx/y、或MNx/y組成，其中M為一金屬或半導體，例如：鋁、錫、鋅、硅、鍺、鎳、鈦、或鎘；x為一正整數，而y為一非零的正整數。半導體保護層可具有摻雜硅、ZnOx/y、ZnSx/y、CdSx/y、TiOx/y、或III-V型半導體材料。半導體保護層可被一可為n-型供質(donor)或p-型受質(acceptor)的摻質所摻雜；n-型供質(donor)為氮、磷、砷、或氟，p-型受質(acceptor)為硼、鋁、鎵、銦、鈹、鎂、或鈣。
【技術實現步驟摘要】
【國外來華專利技術】
本專利技術是有關于顯示単元，且特別是有關于ー種于顯示器或顯示面板中利用電子紙技術的顯示單元。專利技術背景電子紙(E-paper)為ー種顯示器的技術，用來模仿一般紙上的墨水。以粒子為 基礎的顯示器，例如電泳顯示器，已被廣泛應用在電子紙(E-paper)上。以粒子為基礎的顯示器，包括多個獨立的可定位顯示單元排置在ー陣列中，其中每ー個顯示單元包括多個顏料粒子，這些顏料粒子被安置在ー對相對且分隔開的電極之間。電泳顯示器(electrophoretic diplay)可為ー粉末型的顯示器,其中具有不同極性和對比顏色的粒子散布在顯示單元的氣相介質中，如圖IA所示。電泳顯示器可為ー微膠囊型的顯示器，其中具有不同極性和對比顏色的粒子被封閉在多個微膠囊中，如圖IB所示。電泳顯示器也可為一微杯型的顯示器，其中帶電的粒子散布在對比顏色的液體中，如圖IC所示。在平面開關模式下操作的顯示器，其兩個電極都位于同一平面或基板上。在上下開關模式下操作的顯示器，其兩個電極位于不同的基板上(頂部和底部)。在所有的情況下，兩個基板中至少有ー個基板是透明的，以便透過此透明基板觀察粒子的狀態。當施加一電壓差或一電場于兩電極之間時，顔料粒子就會遷移到帶有與其相反極性的電極。因此，透過選擇性改變電極的極性，促使透明電極呈現的顏色或深淺變化。當顔料粒子遷移到與其帶有相反極性的電極時，甚至在電源關閉后電子仍會透過接觸表面逐漸地漏損。因此，粒子接觸到電極的時間越長，保留在粒子表面的電荷密度(每單位質量的電荷，Q/W)越少，并且將更難靠電場重新驅動顏料粒子。
技術實現思路
總結來說，本專利技術第一個概念是有關于半導體鈍化層(semiconductingpassivation layer)的使用，在至少ー帶電的粒子型顯示平面或EPD的電極上。半導體鈍化層可由M0x/y、MSx/y或MNx/y制成，其中M為金屬或半導體，例如鋁、錫、鋅、硅、鍺、鎳、鈦、或鎘；x為一正整數，例如0、1、2...，而y為ー非零的正整數，例如1、2、3...。半導體鈍化層材料的例子包括，但不限于A10x/y、SnOx7y, ZnOx/y、AlNx/y、SiNx7y, ZnSx7y, NiOx/y、CdSx7y, TiOx/y、或前述之組合。該半導體鈍化層尚可用缺電子原子摻雜以形成P-型半導體鈍化層或用供電子原子摻雜以形成n-型半導體鈍化層。此外，半導體鈍化層可用摻雜硅或III-V型半導體層形成。半導體層最好是用摻雜ZnOx/y、ZnSx/y、CdSx/y、或TiOx/y形成。半導體鈍化層的摻質性質可為n-型供質(donor),像是氮、磷、神、氟；或p_型受質(acceptor),像是硼、鋁、鎵、銦、鈹、鎂、鈣...。再者，半導體鈍化層可由一種或多種有機P-型材料所組成，像是聚(3-己基噻吩)、三-(9，9- ニ甲基芴)、3-(2-苯并噻唑基)-7-( ニこ氨基)香豆素、三苯胺、酞菁、銅復合物、或銅酞菁。半導體層可藉由薄膜沉積制程被沉積在電極上，像是濺鍍、氣相沉積法、或是半導體材料的溶液或分散液的濕式涂布法。本專利技術第二個概念是有關于ー帶電粒子型的顯示器或EPD，包括以半導體鈍化層涂布的電極。在本專利技術之一實施例中，所有的電極都被半導體鈍化層所涂布。顯示器可為AMEPD、S-EPD 或 PMEPD。本專利技術的第三個概念是有關于ー PMEPD，其中在像素中，相對電極的其中之一被P-型半導體層所涂布，而另ー個電極則是被n-型半導體層所涂布。本專利技術的第四個概念是有關于一具有多個像素的AMEPD，每個像素包括一共用電極和ー像素電極，其中這些電極的其中之一被P-型半導體鈍化層所涂布，而另ー個電極則被n-型半導體鈍化層所涂布。本專利技術的第五個概念是有關于一具有多個像素的S-Ero，每個像素包括一共用電極和一片段電極，其中這些電極的其中之一被P-型半導體鈍化層所涂布，而另ー個電極則 被n-型半導體鈍化層所涂布。在本專利技術之各個實施例中，取決于驅動電壓及所使用的材料，半導體鈍化層的厚度可小于約0. I至5微米。半導體鈍化層應該要夠薄，從而使有效粒子電荷得以通過該半導體鈍化層。在本專利技術之各個實施例中，在半導體鈍化層上可提供ー額外的保護層(aprotective layer),用以提升EPDs的耐久性及壽命。該保護層可包括由Si0x/y、SiNx/y、A10x/y、AlNx/y、或其他類似物所形成的一薄膜，其中X和y的定義與前述相同。在本專利技術之ー實施例中，該保護層的厚度比底下的半導體鈍化層薄。根據本專利技術之各個不同實施例，帶電顏料粒子可分散在介電液體媒介中或懸浮在氣相媒介中，且被封閉在微網格(micro-grids)、微杯、或微膠囊中。介電液體媒介包括水、油、酒精、或其他類似物。根據本專利技術之各個不同實施例，半導體鈍化層可由一種或多種無機材料制成。根據本專利技術之各個不同實施例，半導體鈍化層可由一種或多種有機P-型材料制成，像是聚(3-己基噻吩)、三-(9，9- ニ甲基弗)、3- (2-苯并噻唑基)-7- ( ニこ胺基)香豆素、三苯胺、酞菁、銅復合物、或銅酞菁。根據本專利技術之各不同實施例，半導體鈍化層可由一種或多種有機n-型材料制成，像是五苯、蒽并 ニ異喹啉并 ニ萘嵌間ニ氮雜苯-12，25-ニ酮、3，4，9，10-茈四甲酸ニ酐(PTCDA)、(6，6)_苯基-C61 丁酸甲酷、或N，N-雙(2，5 ニ叔丁基苯基)3，4，9，10-茈ニ甲酰亞胺。附圖說明圖IA繪示出顯示單元中，于氣相媒介中之一典型粉末型電泳顯示器；圖IB繪示出一典型微膠囊型電泳顯示器，包括帶有不同極性和對比顏色的粒子；圖IC繪示出一典型微杯型電泳顯示器，包括分散于對比顔色流體中的帶電粒子；圖2A繪示出本專利技術ー實施例中在共用電極上具有半導體鈍化層之主動矩陣EPD ；圖2B繪示出本專利技術ー實施例中在像素電極上具有半導體鈍化層之主動矩陣EPD ；圖2C繪示出本專利技術一實施例中在共用電極和像素電極上具有半導體鈍化層之主動矩陣Ero ；圖3A繪示出本專利技術ー實施例中在橫向電極上具有半導體鈍化層之被動矩陣EPD ；圖3B繪示出本專利技術ー實施例中在縱向電極上具有半導體鈍化層之被動矩陣EPD ；第3C圖繪示出本專利技術ー實施例中在橫向電極和縱向電極上具有半導體鈍化層之被動矩陣Ero ；圖4A繪示具有不同厚度半導體鈍化層(AZO)的被動矩陣ETO之標準化對比度對更新周期作圖之圖表。圖4B繪示具有不同厚度半導體鈍化層(TiO2)的被動矩陣EH)之標準化對比度對更新周期作圖之圖表。 圖4C繪示具有不同厚度半導體鈍化層(Si)的被動矩陣Ero之標準化對比度對更新周期作圖之圖表。圖4D繪示具有不同厚度半導體鈍化層(ZnO)的被動矩陣ETO之標準化對比度對更新周期作圖之圖表。圖5繪示出本專利技術ー實施例之半導體鈍化層，被ー絕緣材料所制成的保護層涂布。具體實施例方式本專利技術提供一種電泳顯示器(EPD)之性能改良方法，其帶電顏料粒子可被分散在一介電液體或被懸浮在空氣中。在本專利技術之一實施例中，如圖2A所示，將一半導體鈍化層45涂布在顯示器4之上基板41上的共用電極層411，從而因為共用電極層411和下基板42上之像素電極421間的電壓，使得帶電顏料粒子43被吸引至上基板41，顯示器例如主動矩陣電泳顯示器(本文檔來自技高網...
【技術保護點】
【技術特征摘要】
【國外來華專利技術】...
【專利技術屬性】
技術研發人員：陳照勗，梁榮昌，蔡明瑋，
申請(專利權)人：臺達電子工業股份有限公司，
類型：
國別省市：
還沒有人留言評論。發表了對其他瀏覽者有用的留言會獲得科技券。