具有能量消散結構的醫療電引線制造技術

本發明專利技術提供一種醫療引線組件，該醫療引線組件包括引線本體，該引線本體具有構造成聯接于可植入醫療裝置的近側端部和遠側端部。引線組件還包括電極組件（200），該電極組件位于引線本體的近側端部處，該電極組件包括末端電極（36）、電聯接于末端電極（36）的導電的電極軸（203）、以及能量消散結構（201），該能量消散結構在高頻下不導電地聯接于導電的電極軸（203）的至少一部分，以將來自末端電極（36）的由高頻信號在引線內感應出的電流的至少一部分改向到能量消散結構（201）。

【技術實現步驟摘要】
【國外來華專利技術】
本專利技術涉及可植入醫療裝置(MD)，并且更具體地涉及具有導電套管頭的醫療電引線，該導電套管頭用于使由高頻信號感應的電流改向。
技術介紹
在醫療領域中，可植入引線用于多種醫療裝置。例如，可植入引線通常用于形成可植入心臟起搏器的一部分,心臟起搏器通過遞送起搏、心律轉變或除顫脈沖來向心臟提供治療性刺激。脈沖能經由電極來遞送到心臟，該電極設置在引線上，例如通常設置在引線的遠側端部附近。在此情況下，引線可使電極相對于各種心臟位置來定位，以使起搏器能將脈沖遞送到適當的位置。引線還用于感測目的，或用于感測和刺激目的。可植入引線還用于神經裝置、肌肉刺激治療、感測患者血液內的化學狀態的裝置和胃系統刺激器。有時，具有可植入引線的患者會從對他或她的人體的特定區域所拍攝的磁共振圖像中獲益。磁共振成像(MRI)技術可實現心臟和脈管系統的軟組織的非常有效的圖像。MRI過程還能在不將大劑量輻射遞送到患者人體的情況下獲得這些特征的圖像，并由此，MRI過程可以可靠和安全地反復進行。然而，MRI裝置可在10兆赫或更大的頻率下工作，這會引起將能量傳遞到引線。特別是，高頻場在引線內感應出電壓，從而致使引線的電勢比周圍組織的大。實際上，引線表現為一種天線。電流會由于感應電壓從電極流到電極附近的組織內。因此，期望開發出減小傳導到電極附近的組織的電流量的引線。
技術實現思路
本專利技術提供一種醫療引線組件，該醫療引線組件包括引線本體，該引線本體具有構造成聯接于可植入醫療裝置的近側端部和遠側端部。引線組件還包括電極組件，該電極組件位于引線本體的近側端部處，該電極組件包括末端電極、電聯接于末端電極的導電的電極軸、以及導電套管頭，該導電套管頭在高頻下不導電地聯接于導電的電極軸的至少一部分，以將來自末端電極的、由高頻信號在引線內感應出的電流改向到導電套管頭。在一個示例中，本專利技術涉及一種醫療電引線，該醫療電引線包括引線本體，該引線本體具有構造成聯接于可植入醫療裝置的近側端部和遠側端部；以及電極組件，該電極組件位于引線本體的遠側端部處。電極組件包括末端電極、電聯接于末端電極的導電的電極軸，以及能量消散結構，該能量消散結構在高頻下不導電地聯接于導電的電極軸的至少一 部分，以將由來自末端電極的高頻信號在引線內感應出的能量改向到能量消散結構。此總結意在提供對本專利技術中所述的主題的概述，并不意在提供在附圖和下面說明中詳細描述的技術的排他性或窮舉的闡釋。在以下的附圖和說明中闡述一個或多個示例的進一步細節。從說明書和附圖以及從下述聲明中可顯示出其它特征、目的和優點。附圖說明圖I是示出醫療裝置暴露于破壞性能量場的環境的概念圖。圖2是根據本專利技術的實施例的示例性醫療裝置系統的概念立體圖，該醫療裝置系統包括聯接到弓I線的可植入醫療裝置。圖3是定位在醫療引線的遠側端部處的示例性電極組件的縱向剖視圖。圖4示出電極組件的導電元件上的多層絕緣材料。圖5A示出聯接到用于電極組件的導電密封件的導電環的剖視圖。圖5B示出聯接到用于電極組件的導電密封件的導電環的俯視圖。 圖5C示出聯接到電極組件的軸的導電密封件和導電環的剖視圖。圖示出電極組件的導電密封件的斜視圖。圖6是定位在醫療引線的遠側端部處的另一示例性電極組件的縱向剖視圖。圖7是示出表示在正常起搏狀況期間圖I和2的醫療系統的示例性電路的電路圖。圖8是不出表不在暴露于破壞性能量場期間圖I和2的醫療系統的不例性電路的電路圖。具體實施例方式本專利技術提供一種用于醫療引線的電極組件，該電極組件將由高頻信號(例如，大于或等于IMHz )感應出的相當大一部分電流改向成遠離與患者組織接觸的引線電極，例如，末端電極，而不對與低頻信號(例如，小于或等于IkHz)相關的一小部分電流改向。替代地，由高頻信號感應的電流被引導到能量消散結構，并通過該能量消散結構來消散，該能量消散結構諸如是在引線的遠側端部附近的導電套管頭。通過將由高頻信號感應的電流改向成遠離末端電極，在電極末端暴露于高頻信號時電極末端不經歷電流密度的浪涌，這又消除了從末端電極遞送到末端電極周圍的組織的不想要的熱量。由此，具有根據本專利技術中所述的技術來構造的醫療電引線的患者可在不大幅影響醫療電引線的操作的情況下經歷MRI過程。盡管在MRI過程的情景下所述，但本專利技術的技術還可允許患者經歷其它醫療過程，這些醫療手術采用會影響醫療電引線的操作的高頻信號，醫療手術諸如是電烙術、透熱療法、消融術、電治療術、磁治療術等。此外，文中所述的電極組件還可減小在非醫療環境下遇到的高頻信號的影響，諸如在具有RF安全門的環境中。圖I是示出醫療裝置系統13暴露于破壞性能量場11的環境10的概念圖。系統13包括可植入醫療裝置(IMD) 14和一個或多個醫療引線組件15a、15b，這些醫療引線組件從IMD14延伸到患者12體內的目標位置。IMD14被植入到患者12體內，以向患者12提供治療和/或監測患者的生理狀況。IMD14可以是向患者12提供治療、監測患者12的狀況或兩者皆有的多種裝置中的任一種。例如，頂D14可以是經由可植入的引線組件15a、15b提供電刺激治療的裝置，這些引線組件包括一個或多個電極。在一些情況下，頂D14可以是經由引線來向患者12的心臟提供呈心律管理治療形式的電刺激治療的裝置，這些引線植入到心臟的一個或多個心房和/或心室內。在其它情況下，IMD14可以是向患者12的肌肉、器官或神經附近的組織位置提供電刺激的裝置，這些組織諸如是迷走神經、脊柱、腦部、胃部、骨盆底等附近的組織。環境10包括產生破壞性能量場11的能量源，而醫療裝置系統13暴露于該能量源。在圖I中所示的示例中，能量源或破壞性場源是MRI掃描儀16。盡管本專利技術的技術是關于由MRI掃描儀16產生的破壞性能量場11來描述的，但醫療裝置系統13可用于存在其它類型的、醫療和非醫療的破壞性能量場的環境內。例如，醫療裝置系統13可用于如下環境中破壞性能量場11由其它源產生，諸如外部心律轉變裝置、外部除顫器、電烙裝置、透熱裝置、消融裝置、輻射治療裝置、電治療裝置、磁治療裝置、CT掃描儀、X射線機、RFID安全門或具有輻射能量以產生磁場、電磁場、電場或其它類型破壞性能量場的裝置的任何其它環境。MRI掃描儀16米用磁場和RF場來產生用于診斷損傷、疾病和/或紊亂的人體結構的圖像。特別是，MRI掃描儀16可產生靜態磁場、梯度磁場和RF場。靜態磁場是不變化的磁場，無論MRI掃描是否在進行中，該磁場通常總是存在于MRI掃描儀16周圍。梯度磁場 是脈動的磁場，該磁場通常僅在掃描進行的同時存在。RF磁場是脈動的磁場，該磁場通常僅在掃描進行的同時存在。破壞性能量場11的幅度、頻率或其它特征可基于產生場的MRI掃描儀的類型或正在進行的MRI掃描的類型來變化。由MRI掃描儀16產生的各種類型的場中的一些或所有會干預醫療裝置系統13的一個或多個部件的操作，例如頂D14和/或從MD14延伸的醫療引線組件15a、15b。換言之，由MRI掃描儀16產生的各種類型的場中的一個或多個可彌補破壞性能量場11。例如，由MRI掃描儀16產生的RF場會在耦合于MD14的一個或多個醫療引線組件15a、15b上感應出能量。MD的部件上或引線組件15a、15b上感應的能量會造成末端電極經歷電流密度的浪涌，這又會造本文檔來自技高網...

【技術保護點】

【技術特征摘要】
【國外來華專利技術】...

【專利技術屬性】
技術研發人員：M·泰克曼，K·R·賽弗特，
申請(專利權)人：美敦力公司，
類型：
國別省市：