【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本技術(shù)屬于功率半導(dǎo)體器件
具體涉及一種半導(dǎo)體開關(guān)器件，主要應(yīng)用于大功率脈沖電源裝置。
技術(shù)介紹
晶閘管為四層三端結(jié)構(gòu)。在門極和陰極間施加mA級的觸發(fā)電流，可控制電流的開通，并通過反向換流技術(shù)實(shí)現(xiàn)關(guān)斷。其特點(diǎn)是輸出功率大、電壓高、可靠性較高、成本較低。由于工藝簡單，晶閘管適應(yīng)的工作頻率通常在IkHz以下，di/dt不超過1500A/^S。當(dāng)前晶閘管最大平均通態(tài)電流可達(dá)5000A，其浪涌電流一般不超過80kA。大功率脈沖電源通常要求的脈沖寬度大都在30(^S以下，輸出電流為幾十甚至數(shù)百kA，遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過晶閘管所能承受的浪涌電流極限。因此對開關(guān)器件的通態(tài)電流能力要求很高。相應(yīng)要求di/dt也很高，不同應(yīng)用場合其di/dt要求一般為5飛OkA/^S。現(xiàn)代技術(shù)條件下，通常可選用氣體間隙開關(guān)、汞閘流管、IGBT、IGCT、MosFET、RSD等器件作為脈沖功率開關(guān)器件。下表一是一些常用脈沖功率開關(guān)器件的特性比較權(quán)利要求1.一種脈沖功率晶閘管，屬于大功率半導(dǎo)體開關(guān)器件，包括管殼和封裝在該管殼內(nèi)的PNPN四層三端結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體芯片，四層為Pl陽極區(qū)、NI長基區(qū)、P2短基區(qū)和N2陰極區(qū)，三個(gè)端子分別為陽極A、陰極K和門極G，其特征是所述的N2陰極區(qū)位于以P2短基區(qū)中心為圓心的圓環(huán)形區(qū)域內(nèi)，且在N2陰極區(qū)內(nèi)形成相互隔離的陰極小元胞，該各陰極小元胞并聯(lián)形成陰極K ；門極G位于N2陰極區(qū)的中心處。2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的脈沖功率晶閘管，其特征在于所述的陰極小元胞的形狀和尺寸是相同的，在N2陰極區(qū)內(nèi)表面均勻排列。3.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的脈沖功率晶閘管，其特征在于所述的陰極小...
【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種脈沖功率晶閘管，屬于大功率半導(dǎo)體開關(guān)器件，包括管殼和封裝在該管殼內(nèi)的PNPN四層三端結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體芯片，四層為P1陽極區(qū)、N1長基區(qū)、P2短基區(qū)和N2陰極區(qū)，三個(gè)端子分別為陽極A、陰極K和門極G，其特征是：所述的N2陰極區(qū)位于以P2短基區(qū)中心為圓心的圓環(huán)形區(qū)域內(nèi)，且在N2陰極區(qū)內(nèi)形成相互隔離的陰極小元胞，該各陰極小元胞并聯(lián)形成陰極K；門極G位于N2陰極區(qū)的中心處。
【技術(shù)特征摘要】
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：顏家圣，張橋，劉小俐，肖彥，吳擁軍，
申請(專利權(quán))人：湖北臺基半導(dǎo)體股份有限公司，
類型：實(shí)用新型
國別省市：
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