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    一種DC-DC升壓電路制造技術(shù)

    技術(shù)編號:8132221 閱讀:126 留言:0更新日期:2012-12-27 05:05
    本發(fā)明專利技術(shù)公開了一種DC-DC升壓電路,包括一振蕩器,輸入電壓經(jīng)過電感連接NMOS管的一個輸入端,所述NMOS管的另一個輸入端接地,所述NMOS管的輸出端連接所述振蕩器的EXT管腳,所述NMOS管的FB管腳與輸出電壓之間跨接反饋電容和第一電阻,所述輸出電壓與地之間連接第二電解電容。本發(fā)明專利技術(shù)的電路結(jié)構(gòu)簡單,使用方便。本發(fā)明專利技術(shù)的電路可應(yīng)用于任何升壓電路中。

    【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】

    本專利技術(shù)涉及一種應(yīng)用電路,具體的涉及一種DC-DC升壓電路
    技術(shù)介紹
    電路中有時提供的電壓較低,此時我們需要將電壓提升到需要的電壓值,DC-DC升壓電路是現(xiàn)實中我們常用的一種升壓電路。現(xiàn)有的升壓電路形形色色種類繁多,但大多結(jié)構(gòu)復(fù)雜,功能復(fù)雜,而在一些只需要功能單一的應(yīng)用場合下,往往是采用復(fù)雜電路結(jié)構(gòu)的驅(qū)動電路來完成單一功能的升壓功能,這樣一方面成本會有所提高,另外一方面,電路結(jié)構(gòu)一旦復(fù)雜化后,其背后的不穩(wěn)定因素也在增加,如此便在無形之中降低了產(chǎn)品合格率。
    技術(shù)實現(xiàn)思路
    ·為克服現(xiàn)有技術(shù)中的不足,本專利技術(shù)的目的在于提供一種結(jié)構(gòu)簡單、低成本的DC-DC升壓電路。為了解決上述技術(shù)問題,實現(xiàn)上述目的,本專利技術(shù)采用了如下技術(shù)方案 一種DC-DC升壓電路,包括一振蕩器,輸入電壓經(jīng)過電感連接NMOS管的一個輸入端,所述NMOS管的另一個輸入端接地,所述NMOS管的輸出端連接所述振蕩器的EXT管腳,所述NMOS管的FB管腳與輸出電壓之間跨接反饋電容和第一電阻,所述輸出電壓與地之間連接第二電解電容。進(jìn)一步的,所述輸入電壓與地之間連接第一電解電容,所述輸入電壓連接所述振蕩器的VDD管腳,第一接線端與所述輸出電壓之間連接肖特基二極管,所述振蕩器的FB管腳與地之間連接第二電阻。本專利技術(shù)的交流風(fēng)機驅(qū)動電路的工作過程如下 當(dāng)輸入電壓輸入到DC-DC升壓電路,經(jīng)過第一電解電容濾波以后分兩路,分別輸入所述振蕩器的VDD腳和所述電感上。所述輸入電壓經(jīng)過所述電感在通過NMOS管再輸入到所述振蕩器的EXT端口,再由肖特基二極管輸出。本專利技術(shù)具有以下優(yōu)點 本專利技術(shù)的DC-DC升壓電路的結(jié)構(gòu)簡單,使用方便。上述說明僅是本專利技術(shù)技術(shù)方案的概述,為了能夠更清楚了解本專利技術(shù)的技術(shù)手段,并可依照說明書的內(nèi)容予以實施,以下以本專利技術(shù)的較佳實施例并配合附圖詳細(xì)說明如后。本專利技術(shù)的具體實施方式由以下實施例及其附圖詳細(xì)給出。附圖說明圖I為本專利技術(shù)的DC-DC升壓電路的電路原理圖。圖中標(biāo)號說明1、第一接線端。具體實施方式下面結(jié)合附圖和實施例對本專利技術(shù)的技術(shù)實施過程做進(jìn)一步說明。參見圖I所不,一種DC-DC升壓電路,包括一振蕩器ICl,輸入電壓Vin經(jīng)過電感LI連接NMOS管IC2的一個輸入端,所述NMOS管IC2的另一個輸入端接地,所述NMOS管IC2的輸出端連接所述振蕩器ICl的EXT管腳,所述振蕩器ICl的FB管腳與輸出電壓Vout之間跨接反饋電容Cl和第一電阻Rl,所述輸出電壓Vout與地之間連接第二電解電容E2。進(jìn)一步的,所述輸入電壓Vin與地之間連接第一電解電容EI,所述輸入電壓Vin連接所述振蕩器ICl的VDD管腳,第一接線端I與所述輸出電壓Vout之間連接肖特基二極管D1,所述振蕩器ICl的FB管腳與地之間連接第二電阻R2。 上述實施例只是為了說明本專利技術(shù)的技術(shù)構(gòu)思及特點,其目的是在于讓本領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員能夠了解本專利技術(shù)的內(nèi)容并據(jù)以實施,并不能以此限制本專利技術(shù)的保護(hù)范圍。凡是根據(jù)本
    技術(shù)實現(xiàn)思路
    的實質(zhì)所作出的等效的變化或修飾,都應(yīng)涵蓋在本專利技術(shù)的保護(hù)范圍內(nèi)。本文檔來自技高網(wǎng)
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    【技術(shù)保護(hù)點】
    一種DC?DC升壓電路,包括一振蕩器(IC1),其特征在于:輸入電壓(Vin)經(jīng)過電感(L1)連接NMOS管(IC2)的一個輸入端,所述NMOS管(IC2)的另一個輸入端接地,所述NMOS管(IC2)的輸出端連接所述振蕩器(IC1)的EXT管腳,所述振蕩器(IC1)的FB管腳與輸出電壓(Vout)之間跨接反饋電容(C1)和第一電阻(R1),所述輸出電壓(Vout)與地之間連接第二電解電容(E2)。

    【技術(shù)特征摘要】
    1.一種DC-DC升壓電路,包括一振蕩器(ICl),其特征在于輸入電壓(Vin)經(jīng)過電感(LI)連接NMOS管(IC2)的一個輸入端,所述NMOS管(IC2)的另一個輸入端接地,所述NMOS管(IC2)的輸出端連接所述振蕩器(ICl)的EXT管腳,所述振蕩器(ICl)的FB管腳與輸出電壓(Vout)之間跨接反饋電容(Cl)和第一電阻(R1),所述輸出...

    【專利技術(shù)屬性】
    技術(shù)研發(fā)人員:胡國良魏王江
    申請(專利權(quán))人:蘇州合欣美電子科技有限公司
    類型:發(fā)明
    國別省市:

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