一種耐高壓高溫井下電子標(biāo)簽制造技術(shù)

本發(fā)明專利技術(shù)為一種耐高壓高溫井下電子標(biāo)簽，由耐高壓高溫殼體(1)、集成電路(2)、電路板(3)、收發(fā)線圈(4)和磁棒(5)組成。其中殼體(1)由聚砜、聚酰亞胺或者高強(qiáng)度氧化鋯陶瓷制成、集成電路(2)通過高溫焊錫與電路板(3)相連、電路板(3)由厚0.5mm耐高溫環(huán)氧基板制成、收發(fā)線圈(4)由漆包線密繞在磁棒上構(gòu)成、耐高壓高溫殼體(1)與組件的剩余空間填充環(huán)氧樹脂結(jié)構(gòu)膠(6)。本發(fā)明專利技術(shù)適用于油田開發(fā)中采油井、采氣井和注水井的井下過程控制。本發(fā)明專利技術(shù)具有施工簡(jiǎn)單、作業(yè)成本低廉、耐高壓、耐高溫的優(yōu)點(diǎn)，是一種先進(jìn)、可靠、準(zhǔn)確的信號(hào)傳輸方法。

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】

本專利技術(shù)涉及電子標(biāo)簽領(lǐng)域，特別是涉及一種耐高壓高溫井下電子標(biāo)簽。
技術(shù)介紹
耐高壓高溫井下電子標(biāo)簽是適用于油田開發(fā)中采油井、采氣井和注水井的井下過程控制的產(chǎn)品。該產(chǎn)品包括耐高壓高溫殼體、集成電路、電路板、收發(fā)線圈和磁棒。ZL200620155716. X公開了一種耐高溫的電子標(biāo)簽，其包括殼體，在殼體內(nèi)設(shè)有COB模塊、天線組件，所述的COB組件包括電路基板，在PCB電路基板上的中央固定有IC芯片，絕緣基板上還覆有銅膜導(dǎo)電電路層，在銅膜導(dǎo)電電路層的兩側(cè)設(shè)有兩個(gè)線圈焊接點(diǎn)，兩個(gè)線圈焊接點(diǎn)再與天線相連接；IC芯片通過鋁線與銅膜導(dǎo)電電路層相連接。盡管本技術(shù)的IC芯片·與PCB電路板由鋁線綁定成COB模塊后，不再使用常規(guī)的黑膠保護(hù)芯片，減少了生產(chǎn)成本和制作工序；圓形殼體的材料為聚苯硫醚(PPS工程塑料)制成，使其在高溫、高濕、高頻的條件下仍具有優(yōu)良的電氣性能。但是，該現(xiàn)有技術(shù)仍然存在以下方面的缺陷I、該技術(shù)圓形殼體的材料為PPS工程塑料，與聚砜(英文叫Polysulfone，縮寫為PSF)、聚酰亞胺、陶瓷等非金屬材料相比，其強(qiáng)度較低，而油、氣、水井井下壓力較高，因此若該技術(shù)應(yīng)用于井下，其殼體的抗壓強(qiáng)度和密封性難以得到保證，殼體內(nèi)部的COB模塊和天線組件的電氣性能易遭到破壞。2、PPS工程塑料，與聚砜、聚酰亞胺、陶瓷等非金屬材料相比，其密度較低，而應(yīng)用于井下的電子標(biāo)簽是由地面通過井口進(jìn)行投送，井下空間含有液體或氣體或氣液混合物，具有一定的浮力，低密度材料不利于投送，因此若該技術(shù)應(yīng)用于井下將難以達(dá)到實(shí)用目的。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的缺陷，本專利技術(shù)采用高強(qiáng)度氧化鋯陶瓷制成殼體，殼體與組件的剩余空間填充環(huán)氧樹脂結(jié)構(gòu)膠，保證了在井下高壓、高溫、酸堿腐蝕性等惡劣環(huán)境下的耐壓性能和密封性能。本專利技術(shù)可將控制信號(hào)由地面通過井口投送的方式傳輸至井下，井下控制裝置的標(biāo)簽讀寫器接收到信號(hào)后，執(zhí)行機(jī)構(gòu)產(chǎn)生相應(yīng)的動(dòng)作，從而實(shí)現(xiàn)井下的過程控制，達(dá)到最佳的采出或注入效果。本專利技術(shù)的耐高壓高溫井下電子標(biāo)簽是這樣實(shí)現(xiàn)的本專利技術(shù)的耐高壓高溫井下電子標(biāo)簽由耐高壓高溫殼體I、集成電路2、電路板3、收發(fā)線圈4和磁棒5組成；電路板3的一端嵌入磁棒5的凹槽內(nèi)固定，電路板3上的兩個(gè)焊接點(diǎn)與收發(fā)線圈4的引出端相連，收發(fā)線圈4由O. 08mm線徑的漆包線密繞在磁棒5上構(gòu)成，磁棒5 —端開有一條凹槽,集成電路2、電路板3、收發(fā)線圈4和磁棒5構(gòu)成一個(gè)組件置入耐高壓高溫殼體I內(nèi)，其特征在于所述的耐高壓高溫殼體I由聚砜、聚酰亞胺或者高強(qiáng)度氧化鋯陶瓷制成。所述的耐高壓高溫殼體I由高強(qiáng)度氧化鋯陶瓷制成；所述的集成電路2通過高溫焊錫與電路板3相連； 所述的電路板3由厚O. 5_耐高溫環(huán)氧基板制成；所述的收發(fā)線圈4由漆包線密繞在磁棒上構(gòu)成；所述的耐高壓高溫殼體I與組件的剩余空間填充環(huán)氧樹脂結(jié)構(gòu)膠6 ；所述的耐高壓高溫井下電子標(biāo)簽的外徑尺寸為Φ20 50mm，長(zhǎng)度大于80mm。因此，專利技術(shù)的突出效果是本專利技術(shù)可將控制信號(hào)由地面通過井口投送的方式傳輸至井下，井下控制裝置的標(biāo)簽讀寫器接收到信號(hào)后，執(zhí)行機(jī)構(gòu)產(chǎn)生相應(yīng)的動(dòng)作，從而實(shí)現(xiàn)了井下的過程控制，達(dá)到最佳 的采出或注入效果。若有必要，本專利技術(shù)還可由試井車用鋼絲投送，在井下實(shí)現(xiàn)雙工通訊，起出后即可獲取井下控制裝置有關(guān)信息并可重復(fù)使用。本專利技術(shù)施工簡(jiǎn)單、作業(yè)成本低廉、耐高壓、耐高溫，是一種先進(jìn)、可靠、準(zhǔn)確的信號(hào)傳輸方法。附圖說明圖I是本專利技術(shù)耐高壓高溫井下電子標(biāo)簽結(jié)構(gòu)主視圖；圖2是圖I內(nèi)部組件側(cè)視圖。具體實(shí)施例方式下面結(jié)合具體實(shí)施例及附圖對(duì)本專利技術(shù)的結(jié)構(gòu)原理作進(jìn)一步的詳細(xì)描述。如圖I、圖2所示，一種耐高壓高溫井下電子標(biāo)簽，包括耐高壓高溫殼體I、集成電路2、電路板3、收發(fā)線圈4和磁棒5。所述耐高壓高溫殼體I為圓柱形，由高強(qiáng)度氧化鋯陶瓷制成，外徑尺寸為Φ20 50mm，長(zhǎng)度大于80mm ;集成電路2通過高溫焊錫與電路板3相連，電路板3由厚O. 5mm耐高溫環(huán)氧基板制成，電路板3的一端嵌入磁棒5的凹槽內(nèi)固定，電路板3上的兩個(gè)焊接點(diǎn)與收發(fā)線圈4的引出端相連；收發(fā)線圈4由O. 08mm線徑的漆包線密繞在磁棒5上構(gòu)成,磁棒5 —端開有一條凹槽；集成電路2、電路板3、收發(fā)線圈4和磁棒5構(gòu)成一個(gè)組件置入耐高壓高溫殼體I內(nèi)，耐高壓高溫殼體I與組件的剩余空間填充環(huán)氧樹脂結(jié)構(gòu)膠6。本專利技術(shù)適用于油田開發(fā)中采油井、采氣井和注水井的井下過程控制，其可將控制信號(hào)由地面通過井口投送的方式傳輸至井下，井下控制裝置的標(biāo)簽讀寫器接收到信號(hào)后，執(zhí)行機(jī)構(gòu)產(chǎn)生相應(yīng)的動(dòng)作，從而實(shí)現(xiàn)井下的過程控制，達(dá)到最佳的采出或注入效果。若有必要，本專利技術(shù)還可由試井車用鋼絲投送，在井下實(shí)現(xiàn)雙工通訊，起出后即可獲取井下控制裝置有關(guān)信息并可重復(fù)使用。現(xiàn)有的地面控制井下的信號(hào)傳輸方法中，電纜或光纖或液力變化等信號(hào)傳輸方法施工復(fù)雜、成本高、作業(yè)周期長(zhǎng)，信號(hào)傳輸?shù)臏?zhǔn)確性較低，而本專利技術(shù)具有施工簡(jiǎn)單、作業(yè)成本低廉、耐高壓、耐高溫的優(yōu)點(diǎn)，是一種先進(jìn)、可靠、準(zhǔn)確的信號(hào)傳輸方法。本文檔來自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種耐高壓高溫井下電子標(biāo)簽，所述的電子標(biāo)簽由耐高壓高溫殼體(1)、集成電路(2)、電路板(3)、收發(fā)線圈(4)和磁棒(5)組成；電路板(3)的一端嵌入磁棒(5)的凹槽內(nèi)固定，電路板(3)上的兩個(gè)焊接點(diǎn)與收發(fā)線圈(4)的引出端相連，收發(fā)線圈(4)由0.08mm線徑的漆包線密繞在磁棒(5)上構(gòu)成，磁棒(5)一端開有一條凹槽，集成電路(2)、電路板(3)、收發(fā)線圈(4)和磁棒(5)構(gòu)成一個(gè)組件置入耐高壓高溫殼體(1)內(nèi)，其特征在于：所述的耐高壓高溫殼體(1)由聚砜、聚酰亞胺或者高強(qiáng)度氧化鋯陶瓷制成。

【技術(shù)特征摘要】
1.一種耐高壓高溫井下電子標(biāo)簽，所述的電子標(biāo)簽由耐高壓高溫殼體(I)、集成電路(2)、電路板(3)、收發(fā)線圈(4)和磁棒(5)組成；電路板(3)的一端嵌入磁棒(5)的凹槽內(nèi)固定，電路板⑶上的兩個(gè)焊接點(diǎn)與收發(fā)線圈⑷的引出端相連，收發(fā)線圈⑷由O. 08mm線徑的漆包線密繞在磁棒(5)上構(gòu)成,磁棒(5) —端開有一條凹槽,集成電路(2)、電路板(3)、收發(fā)線圈(4)和磁棒(5)構(gòu)成一個(gè)組件置入耐高壓高溫殼體(I)內(nèi)，其特征在于 所述的耐高壓高溫殼體(I)由聚砜、聚酰亞胺或者高強(qiáng)度氧化鋯陶瓷制成。2.如權(quán)利要求I的耐高壓高溫井下電子標(biāo)簽，其特征在于 所述的述耐高壓高溫殼體(I)由高強(qiáng)度氧化鋯陶瓷制成。3.如權(quán)利要求I的耐高壓高溫井下電子標(biāo)簽，其特征在于 所述的集成電路(2)通過高溫焊錫與電路板(3)相連。4.如權(quán)利要求I所述的耐高壓高溫井下電子標(biāo)簽，其特征在于 所述的電路板⑶由厚O. 5mm耐聞溫環(huán)氧...

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：朱曉榮，謝小輝，李仁忠，尤文超，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：中國石油化工股份有限公司，中國石油化工股份有限公司江漢油田分公司采油工藝研究院，
類型：發(fā)明
國別省市：