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    一種測接近程度的RFID系統及其物體間距離檢測方法技術方案

    技術編號:8131202 閱讀:215 留言:0更新日期:2012-12-27 03:28
    本發明專利技術提供一種測接近程度的RFID系統及其物體間距離檢測方法,該系統包括:RFID閱讀器、第一RFID標簽和第二RFID標簽,上述標簽具有相同的芯片和天線;第一RFID標簽被放置在物體間距離不斷變化的情況下,工作在第一共振頻率下;第二RFID標簽為帶接近式敏感裝置的RFID標簽,接近式敏感裝置與第二RFID標簽的天線形成并聯結構,在接近式敏感裝置與第二RFID標簽的芯片連接的線路上有一電壓-電阻轉換裝置,該連接的線路和該電壓-電阻轉換裝置是芯片的一部分,第二RFID標簽放置在物體間距離不斷變化的情況下,工作在第二共振頻率下;第一RFID標簽和第二RFID標簽分別接收RFID閱讀器發送的指令并反饋信號,RFID閱讀器通過比較來自第一RFID標簽和第二RFID標簽不同頻率的信號強度之間的差異來檢測物體間距離的改變。其可以較低成本來檢測物體間距離變化。

    【技術實現步驟摘要】

    本專利技術涉及RFID (Radio Frequency Identif ication,射頻識別)
    ,尤其涉及一種測接近程度的RFID系統及其物體間距離檢測方法
    技術介紹
    近幾年,RFID系統已經變得日益普遍。RFID系統主要用于對人和物的識別。一般來說,這個系統至少包含一個RFID閱讀器,這個RFID閱讀器能夠在一個設定的范圍內發射和接受來自一個或多個RFID標簽的射頻信號。這個RFID標簽一般是封裝起來的,可以貼在一個物體上,它包括一個能與天線進行信息交流的芯片,這個芯片為微芯片,其一般來講是一個集成電路,它可以用來儲存和處理信息,調制解調射頻信號,并且可以運行其他的特殊功能。RFID標簽的天線是用來接收和發送射頻信號,并且通常適用于一種特殊的頻率。 在一些設備中,一種測接近程度的RFID系統已經被用于監測產品所處環境的接近程度何時超過了可以接受的接近程度。一般來說這些設備要求感應裝置要有一個持續的能量來源,用來檢測物體間距離的改變,但是這會增加設備的成本。另外,一些設備要求感應裝置還要與一個比較器電路相連,從而來檢測出偏離參考電壓的程度大小,這一要求大大增加了設備的成本。總之,改進RFID系統是有必要的,它要求在不使用持續的能量來源或者使用一種低成本的附加電路時可以用來檢測物體間距離變化。
    技術實現思路
    本專利技術實施例提供一種測接近程度的RFID系統及其物體間距離檢測方法,以較低成本來檢測物體間距離變化。一方面,本專利技術實施例提供了一種測接近程度的RFID系統,所述測接近程度的RFID系統包括RFID閱讀器、第一 RFID標簽和第二 RFID標簽,所述第一 RFID標簽和所述第二 RFID標簽具有相同的芯片和天線;所述第一 RFID標簽被放置在物體間距離不斷變化的情況下,所述第一 RFID標簽的天線的第一共振頻率和信號強度保持不變,此時所述第一 RFID標簽工作在第一共振頻率下;所述第二 RFID標簽為帶接近式敏感裝置的RFID標簽,所述第二 RFID標簽的芯片上有兩個引腳;所述接近式敏感裝置與這兩個引腳相連,并與所述第二 RFID標簽的天線形成并聯結構,在接近式敏感裝置與第二 RFID標簽的芯片連接的線路上有一電壓-電阻轉換裝置,該連接的線路和該電壓-電阻轉換裝置是芯片的一部分,外界接近程度的變化會引起接近式敏感裝置兩端電壓或電流的變化,此時所述第二RFID標簽放置在物體間距離不斷變化的情況下,所述第二 RFID標簽的天線的特征頻率和信號強度至少會有一個發生變化,此時所述第二 RFID標簽工作在第二共振頻率下;所述第一 RFID標簽和所述第二 RFID標簽分別接收所述RFID閱讀器發送的指令并反饋信號,所述RFID閱讀器通過比較來自所述第一 RFID標簽和所述第二 RFID標簽不同頻率的信號強度之間的差異來檢測物體間距離的改變。可選的,在本專利技術一實施例中,所述第一 RFID標簽和所述第二 RFID標簽的天線均為單極子天線所述的接近式敏感裝置與所述第二 RFID標簽的天線形成并聯結構。可選的,在本專利技術一實施例中,所述第一 RFID標簽和所述第二 RFID標簽的天線均為雙偶極天線所述的接近式敏感裝置與所述第二 RFID標簽的一根天線形成并聯結構,或者與兩根天線同時形成并聯結構。可選的,在本專利技術一實施例中,所述電壓-電阻轉換裝置包括一可變電壓轉換成可變電阻的裝置、或一溝型場效應管、或場效應管的等效電路,所述接近式敏感裝置包括電感式接近敏感裝置、以及其他電流電壓型接近式敏感裝置。另一方面,本專利技術實施例提供了一種測接近程度的RFID系統,所述測接近程度的RFID系統包括RFID閱讀器、第一 RFID標簽和第二 RFID標簽,所述第一 RFID標簽和所述第二 RFID標簽具有相同的芯片和天線;所述第一 RFID標簽被放置在物體間距離不斷變化的情況下,所述第一 RFID標簽的天線的第一共振頻率和信號強度保持不變,此時所述第一RFID標簽工作在第一共振頻率下;所述第二 RFID標簽為帶接近式敏感裝置的RFID標簽,·所述第二 RFID標簽的芯片上有一個引腳;所述接近式敏感裝置的一端與這個引腳相連,另一端連接到所述RFID標簽的天線上,并與天線形成并聯結構,在接近式敏感裝置與第二RFID標簽的芯片連接的線路上有一電壓-電阻轉換裝置,該連接的線路和該電壓-電阻轉換裝置是芯片的一部分,外界接近程度的變化會引起接近式敏感裝置兩端電壓或電流的變化,此時所述第二 RFID標簽放置在物體間距離不斷變化的情況下,所述第二 RFID標簽的天線的特征頻率和信號強度至少會有一個發生變化,此時所述第二 RFID標簽工作在第二共振頻率下;所述第一 RFID標簽和所述第二 RFID標簽分別接收所述RFID閱讀器發送的指令并反饋信號,所述RFID閱讀器通過比較來自所述第一 RFID標簽和所述第二 RFID標簽不同頻率的信號強度之間的差異來檢測物體間距離的改變。可選的,在本專利技術一實施例中,所述第一 RFID標簽和所述第二 RFID標簽的天線均為單極子天線所述的接近式敏感裝置與所述第二 RFID標簽的天線形成并聯結構。可選的,在本專利技術一實施例中,所述第一 RFID標簽和所述第二 RFID標簽的天線均為雙偶極天線所述的接近式敏感裝置與所述第二 RFID標簽的一根天線形成并聯結構,或者與兩根天線同時形成并聯結構。可選的,在本專利技術一實施例中,所述電壓-電阻轉換裝置包括一可變電壓轉換成可變電阻的裝置、或一溝型場效應管、或場效應管的等效電路,所述接近式敏感裝置包括電感式接近敏感裝置、以及其他電流電壓型接近式敏感裝置。又一方面,本專利技術實施例提供了一種測接近程度的RFID系統,所述測接近程度的RFID系統包括RFID閱讀器、第一 RFID標簽和第二 RFID標簽,所述第一 RFID標簽和所述第二 RFID標簽具有相同的芯片和天線;所述第一 RFID標簽被放置在物體間距離不斷變化的情況下,所述第一 RFID標簽的天線的第一共振頻率和信號強度保持不變,此時所述第一RFID標簽工作在第一共振頻率下;所述第二 RFID標簽為帶接近式敏感裝置的RFID標簽,所述接近式敏感裝置連接到所述RFID標簽的天線上,并與天線形成并聯結構,在接近式敏感裝置與第二 RFID標簽的芯片連接的線路上有一電壓-電阻轉換裝置,該連接的線路和該電壓-電阻轉換裝置是芯片的一部分,外界接近程度的變化會引起接近式敏感裝置兩端電壓或電流的變化,此時所述第二 RFID標簽放置在物體間距離不斷變化的情況下,所述第二RFID標簽的天線的特征頻率和信號強度至少會有一個發生變化,此時所述第二 RFID標簽工作在第二共振頻率下;所述第一 RFID標簽和所述第二 RFID標簽分別接收所述RFID閱讀器發送的指令并反饋信號,所述RFID閱讀器通過比較來自所述第一 RFID標簽和所述第二RFID標簽不同頻率的信號強度之間的差異來檢測物體間距離的改變。可選的,在本專利技術一實施例中,所述第一 RFID標簽和所述第二 RFID標簽的天線均為單極子天線所述的接近式敏感裝置與所述第二 RFID標簽的天線形成并聯結構。可選的,在本專利技術一實施例中,所述第一 RFID標簽和所述第二 RFID標簽的天線均為雙偶極天線所述本文檔來自技高網...

    【技術保護點】
    一種測接近程度的RFID系統,其特征在于,所述測接近程度的RFID系統包括:RFID閱讀器、第一RFID標簽和第二RFID標簽,所述第一RFID標簽和所述第二RFID標簽具有相同的芯片和天線;所述第一RFID標簽被放置在物體間距離不斷變化的情況下,所述第一RFID標簽的天線的第一共振頻率和信號強度保持不變,此時所述第一RFID標簽工作在第一共振頻率下;所述第二RFID標簽為帶接近式敏感裝置的RFID標簽,所述第二RFID標簽的芯片上有兩個引腳;所述接近式敏感裝置與這兩個引腳相連,并與所述第二RFID標簽的天線形成并聯結構,在接近式敏感裝置與第二RFID標簽的芯片連接的線路上有一電壓?電阻轉換裝置,該連接的線路和該電壓?電阻轉換裝置是芯片的一部分,外界接近程度的變化會引起接近式敏感裝置兩端電壓或電流的變化,此時所述第二RFID標簽放置在物體間距離不斷變化的情況下,所述第二RFID標簽的天線的特征頻率和信號強度至少會有一個發生變化,此時所述第二RFID標簽工作在第二共振頻率下;所述第一RFID標簽和所述第二RFID標簽分別接收所述RFID閱讀器發送的指令并反饋信號,所述RFID閱讀器通過比較來自所述第一RFID標簽和所述第二RFID標簽不同頻率的信號強度之間的差異來檢測物體間距離的改變。...

    【技術特征摘要】
    1.ー種測接近程度的RFID系統,其特征在于,所述測接近程度的RFID系統包括RFID閱讀器、第一 RFID標簽和第二 RFID標簽,所述第一 RFID標簽和所述第二 RFID標簽具有相同的芯片和天線;所述第一 RFID標簽被放置在物體間距離不斷變化的情況下,所述第一RFID標簽的天線的第一共振頻率和信號強度保持不變,此時所述第一 RFID標簽工作在第一共振頻率下;所述第二 RFID標簽為帶接近式敏感裝置的RFID標簽,所述第二 RFID標簽的芯片上有兩個引腳;所述接近式敏感裝置與這兩個引腳相連,并與所述第二 RFID標簽的天線形成并聯結構,在接近式敏感裝置與第二 RFID標簽的芯片連接的線路上有一電壓-電阻轉換裝置,該連接的線路和該電壓-電阻轉換裝置是芯片的一部分,外界接近程度的變化會引起接近式敏感裝置兩端電壓或電流的變化,此時所述第二 RFID標簽放置在物體間距離不斷變化的情況下,所述第二 RFID標簽的天線的特征頻率和信號強度至少會有ー個發生變化,此時所述第二 RFID標簽工作在第二共振頻率下;所述第一 RFID標簽和所述第二RFID標簽分別接收所述RFID閱讀器發送的指令并反饋信號,所述RFID閱讀器通過比較來自所述第一 RFID標簽和所述第二 RFID標簽不同頻率的信號強度之間的差異來檢測物體間距離的改變。2.如權利要求I所述測接近程度的RFID系統,其特征在于,所述第一RFID標簽和所述第二 RFID標簽的天線均為單極子天線所述的接近式敏感裝置與所述第二 RFID標簽的天線形成并聯結構。3.如權利要求I所述測接近程度的RFID系統,其特征在于,所述第一RFID標簽和所述第二 RFID標簽的天線均為雙偶極天線所述的接近式敏感裝置與所述第二 RFID標簽的一根天線形成并聯結構,或者與兩根天線同時形成并聯結構。4.如權利要求I所述測接近程度的RFID系統,其特征在于,所述電壓-電阻轉換裝置包括一可變電壓轉換成可變電阻的裝置、或ー溝型場效應管、或場效應管的等效電路,所述接近式敏感裝置包括電感式接近敏感裝置、以及其他電流電壓型接近式敏感裝置。5.ー種測接近程度的RFID系統,其特征在于,所述測接近程度的RFID系統包括RFID閱讀器、第一 RFID標簽和第二 RFID標簽,所述第一 RFID標簽和所述第二 RFID標簽具有相同的芯片和天線;所述第一 RFID標簽被放置在物體間距離不斷變化的情況下,所述第一 RFID標簽的天線的第一共振頻率和信號強度保持不變,此時所述第一 RFID標簽工作在第一共振頻率下;所述第二 RFID標簽為帶接近式敏感裝置的RFID標簽,所述第二 RFID標簽的芯片上有一個引腳;所述接近式敏感裝置的一端與這個引腳相連,另一端連接到所述RFID標簽的天線上,并與天線形成并聯結構,在接近式敏感裝置與第二 RFID標簽的芯片連接的線路上有ー電壓-電阻轉換裝置,該連接的線路和該電壓-電阻轉換裝置是芯片的一部分,外界接近程度的變化會引起接近式敏感裝置兩端電壓或電流的變化,此時所述第二RFID標簽放置在物體間距離不斷變化的情況下,所述第二 RFID標簽的天線的特征頻率和信號強度至少會有ー個發生變化,此時所述第二 RFID標簽工作在第二共振頻率下;所述第一 RFID標簽和所述第二 RFID標簽分別接收所述RFID閱讀器發送的指令并反饋信號,所述RFID閱讀器通過比較來自所述第一 RFID標簽和所述第二 RFID標簽不同頻率的信號強度之間的差異來檢測物體間距離的改變。6.如權利要求5所述測接近程度的RFID系統,其特征在于,所述第一RFID標簽和所述第二 RFID標簽的天線均為單極子天線所述的接近式...

    【專利技術屬性】
    技術研發人員:劉丙午霍靈瑜王玉泉
    申請(專利權)人:北京物資學院
    類型:發明
    國別省市:

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