本發(fā)明專利技術(shù)實(shí)施例公開了一種單晶硅爐連續(xù)加料裝置，包括具有通孔的固定座；裝料罐；設(shè)置在所述固定座上的支架；設(shè)置在所述支架上，且具有升降部的升降機(jī)構(gòu)；連接所述裝料罐的送料管，所述送料管的頂端與所述升降機(jī)構(gòu)的升降部相固定，底端伸向至所述通孔，其內(nèi)部設(shè)置有第一閘板閥。由于上述單晶硅爐連續(xù)加料裝置其加料時只需將上述裝置直接安裝在單晶硅爐上就可以完成多次加料動作，與背景技術(shù)記載的加料方式相比，其操作比較簡單，由于加料時直接將高純硅原料添加在裝料罐中而不會存在誤操作，簡化了操作步驟，從而降低了事故率。
【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術(shù)涉及單晶硅制備領(lǐng)域，更具體地說，涉及一種單晶硅爐連續(xù)加料裝置。
技術(shù)介紹
直拉法，也叫切克勞斯基(J. Czochralski)方法。此法早在1917年由切克勞斯基建立的一種晶體生長方法，用直拉法生長單晶的設(shè)備和工藝比較簡單，容易實(shí)現(xiàn)自動控制，容易控制單晶中雜質(zhì)濃度，可以制備低電阻率單晶。直拉法過程具體為將高純度的多晶硅原料放入坩堝中，通過加熱器產(chǎn)生的高溫將其熔化；對熔化的硅液稍做降溫，使之產(chǎn)生一定的過冷度，再用一根固定在籽晶軸上的硅單晶體(稱作籽晶)插入熔體表面，待籽晶與熔體融合后，慢慢向上拉籽晶，晶體便會在籽晶下端生長；控制籽晶生長出一段長為IOOmm左右、直徑為3 5_的細(xì)頸，用于消除高溫溶液對籽晶的強(qiáng)烈熱沖擊而產(chǎn)生的原子排列的位錯，這個過程就是引晶；放大晶體直徑到·工藝要求的大小，一般為75 300mm，這個過程稱為放肩；突然提高拉速進(jìn)行轉(zhuǎn)肩操作，使肩部近似直角；進(jìn)入等徑工藝，通過控制熱場溫度和晶體提升速度，生長出一定直徑規(guī)格大小的單晶柱體；待大部分硅溶液完成結(jié)晶時，再將晶體逐漸縮小而形成一個尾形錐體，稱為收尾工藝；這樣一個單晶拉制過程就基本完成，進(jìn)行一定的保溫冷卻后就可以取出。上述直拉法生長單晶硅的過程中，將高純度的多晶硅原料放入坩堝中，通常使用裝料桶，其具體過程為將高純度硅原料轉(zhuǎn)入裝料桶中，并通過籽晶繩吊起裝料桶，上爐室復(fù)位后抽取真空，再下降籽晶至合適位置卸料，完畢后再取出裝料桶。上述操作過程中由于需要頻繁抽取真空，其操作繁雜，一旦某一個環(huán)節(jié)出現(xiàn)問題就會產(chǎn)生事故。因此，如何研究出操作簡便的加料裝置，成為本領(lǐng)域技術(shù)人員亟待解決的技術(shù)問題。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
有鑒于此，本專利技術(shù)提供一種單晶硅爐連續(xù)加料裝置，以簡化操作降低事故率。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本專利技術(shù)提供如下技術(shù)方案一種單晶硅爐連續(xù)加料裝置，其特征在于，包括具有通孔的固定座；裝料罐；設(shè)置在所述固定座上的支架；設(shè)置在所述支架上，且具有升降部的升降機(jī)構(gòu)；連接所述裝料罐的送料管，所述送料管的頂端與所述升降機(jī)構(gòu)的升降部相固定，底端伸向至所述通孔，其內(nèi)部設(shè)置有第一閘板閥。優(yōu)選地，在上述單晶硅爐連續(xù)加料裝置中，所述送料管內(nèi)部靠近所述裝料罐內(nèi)部還設(shè)置有第二閘板閥，所述第一閘板閥、第二閘板閥以及所述送料管形成真空腔體。優(yōu)選地，在上述單晶硅爐連續(xù)加料裝置中，所述送料管上還設(shè)置有真空管接口，所述真空管接口與所述真空腔體相連通。優(yōu)選地，在上述單晶硅爐連續(xù)加料裝置中，所述送料管上還設(shè)置有氬氣接口，所述氬氣接口與所述真空腔體相連通。優(yōu)選地，在上述單晶硅爐連續(xù)加料裝置中，所述升降機(jī)構(gòu)包括馬達(dá)、換向齒輪組和絲桿，其中，所述馬達(dá)的外殼與所述支架相固定，所述馬達(dá)的輸出軸與所述換向齒輪組的輸入齒輪相連，所述換向齒輪組的輸出齒輪與所述絲桿相連，所述絲桿上套設(shè)有螺母；所述螺母與所述送料管相固定。優(yōu)選地，在上述單晶硅爐連續(xù)加料裝置中，還包括導(dǎo)向機(jī)構(gòu)，所述導(dǎo)向機(jī)構(gòu)包括導(dǎo)向套和導(dǎo)柱，所述導(dǎo)向套套裝于所述導(dǎo)柱，所述導(dǎo)柱分別固定在所述支架和固定座上，所述導(dǎo)向套與所述螺母相固定。優(yōu)選地，在上述單晶硅爐連續(xù)加料裝置中，所述導(dǎo)柱數(shù)量為兩個，分別位于所述絲 桿的兩側(cè)。優(yōu)選地，在上述單晶硅爐連續(xù)加料裝置中，所述送料管包括固定部和輸送部，所述輸送部與所述固定部光滑過度，且所述輸送部的直徑小于所述固定部的直徑。優(yōu)選地，在上述單晶硅爐連續(xù)加料裝置中，還包括波紋管，所述波紋管套裝于所述輸送部，其一端密封于所述固定部的外周上，另一端密封于所述固定座上。從上述技術(shù)方案可以看出，本專利技術(shù)中的單晶硅爐連續(xù)加料裝置包括具有通孔的固定座，該固定座可用于固定在單晶硅爐的進(jìn)料口處；裝料罐；設(shè)置在所述固定座上的支架；設(shè)置在所述支架上，且具有升降部的升降機(jī)構(gòu)；連接所述裝料罐的送料管，所述送料管的頂端與所述升降機(jī)構(gòu)的升降部相固定，底端伸向至所述通孔，其內(nèi)部設(shè)置有第一閘板閥。當(dāng)需要填料時，將固定座固定在單晶硅爐的進(jìn)料口處，在裝料罐中填入高純硅原料，然后開啟升降機(jī)構(gòu)，升降機(jī)構(gòu)帶動裝料罐和送料管向靠近坩堝的方向移動，待送料管達(dá)到預(yù)設(shè)位置后，升降機(jī)構(gòu)停止動作，第一閘板閥開啟，裝料罐中的高純硅原料注入坩堝內(nèi)；當(dāng)裝料罐中的高純硅原料填完之后，倘若坩堝內(nèi)的高純硅原料未達(dá)到預(yù)設(shè)要求，關(guān)閉第一閘板閥，同時向裝料罐中填加高純硅原料，然后重復(fù)上述動作，直至坩堝內(nèi)的高純硅原料達(dá)到所需量，停止填加；升降裝置繼續(xù)動作使得裝料罐和送料管同時向遠(yuǎn)離坩堝的方向移動，而不會影響到單晶硅爐內(nèi)熱場的分布。由于上述單晶硅爐連續(xù)加料裝置其加料時只需將上述裝置直接安裝在單晶硅爐上就可以完成多次加料動作，與
技術(shù)介紹
記載的加料方式相比，其操作比較簡單，由于加料時直接將高純硅原料添加在裝料罐中而不會存在誤操作，簡化了操作步驟，從而降低了事故率。附圖說明為了更清楚地說明本專利技術(shù)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本專利技術(shù)的一些實(shí)施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖I為本專利技術(shù)實(shí)施例中提供的單晶硅爐連續(xù)加料裝置未加料時結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為本專利技術(shù)實(shí)施例中提供的單晶硅爐連續(xù)加料裝置加料時結(jié)構(gòu)示意圖3為本專利技術(shù)實(shí)施例中提供的單晶硅爐連續(xù)加料裝置結(jié)構(gòu)示意圖；圖4為本專利技術(shù)實(shí)施例中提供的支架和升降裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；其中，圖I至圖4中I單晶硅爐；11為加料口 ；12為坩堝；2為單晶硅爐連續(xù)加料裝置；21為固定座；22為裝料罐；23為支架；2311為導(dǎo)柱；2312為導(dǎo)向套；24為升降機(jī)構(gòu)；241為馬達(dá)；242為絲桿；25為送料管；26為第一閘板閥；27為第二閘板閥；28為波紋管；291為真空管接口 ；292為氬氣接口。具體實(shí)施例方式下面將結(jié)合本專利技術(shù)實(shí)施例中的附圖，對本專利技術(shù)實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本專利技術(shù)一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本專利技術(shù)中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他 實(shí)施例，都屬于本專利技術(shù)保護(hù)的范圍。本專利技術(shù)公開了一種單晶硅爐連續(xù)加料裝置，以簡化操作降低事故率。如圖I至圖4所示，該單晶硅爐連續(xù)加料裝置，包括固定座21、裝料罐22、支架23、升降機(jī)構(gòu)24和送料管25，其中，固定座21上設(shè)置有通孔，該通孔可以與單晶硅爐I的加料口相配合；裝料罐22與送料管25相連，裝料罐22的作用主要是方便裝料；支架23固定在固定座21上，升降機(jī)構(gòu)24設(shè)置在支架23上，該升降機(jī)構(gòu)24具有升降部；送料管25的頂端固定在升降機(jī)構(gòu)24的升降部上，底端伸向至固定座21的通孔，送料管25的內(nèi)部設(shè)置有第一閘板閥26，第一閘板閥26的作用是在加料過程中與空氣相隔離以保證單晶硅爐I內(nèi)部的真空度。當(dāng)需要填料時，將固定座21固定在單晶硅爐I的進(jìn)料口處，在裝料罐22中填入高純硅原料，然后開啟升降機(jī)構(gòu)24，升降機(jī)構(gòu)24帶動裝料罐22和送料管25向靠近坩堝12的方向移動，待送料管25達(dá)到預(yù)設(shè)位置后，升降機(jī)構(gòu)24停止動作，第一閘板閥26開啟，裝料罐22中的高純硅原料注入坩堝12內(nèi)；當(dāng)裝料罐22中的高純硅原料填完之后，倘若坩堝12內(nèi)的高純硅原料未達(dá)到預(yù)設(shè)要求，關(guān)閉第一閘板閥26，同時向裝料罐22中填加高純硅原料，然后重復(fù)本文檔來自技高網(wǎng)...
【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種單晶硅爐連續(xù)加料裝置，其特征在于，包括具有通孔的固定座；裝料罐；設(shè)置在所述固定座上的支架；設(shè)置在所述支架上，且具有升降部的升降機(jī)構(gòu)；連接所述裝料罐的送料管，所述送料管的頂端與所述升降機(jī)構(gòu)的升降部相固定，底端伸向至所述通孔，其內(nèi)部設(shè)置有第一閘板閥。
【技術(shù)特征摘要】
1.一種單晶硅爐連續(xù)加料裝置，其特征在于，包括 具有通孔的固定座； 裝料罐； 設(shè)置在所述固定座上的支架； 設(shè)置在所述支架上，且具有升降部的升降機(jī)構(gòu)； 連接所述裝料罐的送料管，所述送料管的頂端與所述升降機(jī)構(gòu)的升降部相固定，底端伸向至所述通孔，其內(nèi)部設(shè)置有第一閘板閥。2.如權(quán)利要求I所述的單晶硅爐連續(xù)加料裝置，其特征在于，所述送料管內(nèi)部靠近所述裝料罐內(nèi)部還設(shè)置有第二閘板閥，所述第一閘板閥、第二閘板閥以及所述送料管形成真空腔體。3.如權(quán)利要求2所述的單晶硅爐連續(xù)加料裝置，其特征在于，所述送料管上還設(shè)置有真空管接口，所述真空管接口與所述真空腔體相連通。4.如權(quán)利要求3所述的單晶硅爐連續(xù)加料裝置，其特征在于，所述送料管上還設(shè)置有氬氣接口，所述氬氣接口與所述真空腔體相連通。5.如權(quán)利要求I所述的單晶硅爐連續(xù)加料裝置，其特征在于，所述升降機(jī)構(gòu)包括馬達(dá)、換向齒輪組和絲桿，其中...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：湯旋，
申請(專利權(quán))人：浙江昱輝陽光能源有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
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