一種高頻電子鎮流器控制電路制造技術

本實用新型專利技術提出了一種高頻電子鎮流器控制電路，包括可變頻率振蕩器，與所述的可變頻率振蕩器相連的變壓器耦合電路，與所述的變壓器耦合電路相連的諧振匹配電路，所述的諧振匹配電路與高壓氣體放電燈相連，所述的可變頻率振蕩器外接調控頻率電路，所述的調控頻率電路由電阻及與所述的電阻串接的可調電位器組成，所述的調控頻率電路一端輸入所述的可變頻率振蕩器，另一端接地。本實用新型專利技術一種高頻電子鎮流器控制電路遠離了“聲共振”窗口、而且無頻閃、效率高、電路簡單、造價低、工作可靠。（*該技術在2022年保護過期，可自由使用*）

【技術實現步驟摘要】

本技術涉及一種高頻電子鎮流器控制電路。
技術介紹
眾所周知，高壓氣體放電燈(High intensity Discharge, HID)是萊、鈉、金、氣燈的統稱，即汞燈、鈉燈、金鹵燈、氙燈。其中，陶瓷金鹵燈因其發光效率高，顯色性好，壽命長等優勢在HID燈族中脫引而出，已在照明領域中得到廣泛的應用。和一切HID燈鎮流器的發展趨勢一樣，陶瓷金鹵燈電子鎮流器正逐步取代傳統使用的電感鎮流器。然而，由于電子鎮流器在10KHz-250KHz的工作頻段之間存在‘聲共振’問題，所以，為了避開‘聲共振’的頻率窗口，HID電子鎮流器又有‘低頻方波電子鎮流器’和‘高頻電子鎮流器’之分。采用‘低頻方波電子鎮流器’，工作頻率 大多數被設定栽400HKZ之下，它可以解決‘聲共振’和恒功率運行問題，但它采用三級變換電路，逆變器為全橋結構，電路復雜，體積大，成本高，容易產生音頻噪音，效率相對較低，方波激勵對燈管的壽命也有不利。若采用超出‘聲共振’窗口上限的高頻正弦波激勵，不單可以有效地避免‘聲共振’的發生，避免音頻噪音，而且可以提高光效，消除頻閃，減少無源元器件的體積，減低成本。顯然，這種形式的高頻電子鎮流器，其工作頻率應該在數百KHz以上。
技術實現思路
本技術提出一種高頻電子鎮流器控制電路，解決了現有技術中有效地避免“聲共振”的發生，避免音頻噪音，電路復雜，體積大，成本高的問題。本技術的技術方案是這樣實現的本技術公開了一種高頻電子鎮流器控制電路，包括可變頻率振蕩器，與所述的可變頻率振蕩器相連的變壓器耦合電路，與所述的變壓器耦合電路相連的諧振匹配電路，所述的諧振匹配電路與高壓氣體放電燈相連，所述的可變頻率振蕩器外接調控頻率電路，所述的調控頻率電路由電阻及與所述的電阻串接的可調電位器組成，所述的調控頻率電路一端輸入所述的可變頻率振蕩器，另一端接地。在本實用新所述的高頻電子鎮流器控制電路中，所述的高頻電子鎮流器控制電路還包括濾波電路，連接于所述的諧振匹配電路及所述的高壓氣體放電燈之間，用于對所述的諧振匹配電路進行濾波。在本實用新所述的高頻電子鎮流器控制電路中，所述的變壓器耦合電路具有初級線圈以及與之耦合的兩個次級線圈，所述的可變頻率振蕩器產生的振蕩電壓通過變壓器的初級線圈稱合到兩個次級線圈。在本實用新所述的高頻電子鎮流器控制電路中，所述的諧振匹配電路由兩組功率場效應管MOSFET源極串接而成，第一組功率場效應管MOSFET的漏極均與所述的初級線圈相連，柵極均與所述的可變頻率振蕩器相連，第二組功率場效應管MOSFET的柵極均與次級線圈相連，漏極均接地。實施本技術的一種高頻電子鎮流器控制電路，具有以下有益的技術效果遠離了 ‘聲共振’窗口、而且無頻閃、效率高、電路簡單、造價低、工作可靠。附圖說明為了更清楚地說明本技術實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本技術的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動性的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。圖I是本技術一種高頻電子鎮流器控制電路功能模塊示意圖；圖2是本技術一種高頻電子鎮流器控制電路連接示意圖。具體實施方式下面將結合本技術實施例中的附圖，對本技術實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本技術一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒炯夹g中的實施例，本領域普通技術人員在沒有作出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本技術保護的范圍。請參閱圖I及圖2，本技術的較佳實施例，一種高頻電子鎮流器控制電路，包括可變頻率振蕩器1，與可變頻率振蕩器I相連的變壓器耦合電路2，與變壓器耦合電路2相連的諧振匹配電路3，諧振匹配電路3與高壓氣體放電燈6相連，可變頻率振蕩器I外接調控頻率電路5，調控頻率電路5由電阻及與電阻串接的可調電位器組成，調控頻率電路5一端輸入可變頻率振蕩器1，另一端接地。在本技術的另一實施例中，本技術的高頻電子鎮流器控制電路還包括濾波電路4，連接于諧振匹配電路3及高壓氣體放電燈6之間，用于對諧振匹配電路3進行濾波。其中，變壓器耦合電路2具有初級線圈以及與之耦合的兩個次級線圈，可變頻率振蕩器I產生的振蕩電壓通過變壓器的初級線圈耦合到兩個次級線圈。諧振匹配電路3由兩組功率場效應管MOSFET源極串接而成，第一組功率場效應管MOSFET的漏極均與初級線圈相連，柵極均與可變頻率振蕩器相連，第二組功率場效應管MOSFET的柵極均與次級線圈相連，漏極均接地?？勺冾l率振蕩器I可用集成電路,型號為MC33067來實現，它是一種高性能的諧振型集成IC控制器，該IC的特點是‘可變頻率振蕩器具有可控死區，準確再觸發單穩態定時器’，具有溫度補償基準，準確輸出鉗位的高增益帶寬誤差放大器，控制觸發器兩個高電流圖騰柱輸出，非常適合于驅動功率M0SFET，MC33067是一種性能極佳的航空電源管理1C，為摩托羅拉公司所生產，其工作頻率可在數百KHz-2MHz以上變化，通常用于寬輸入范圍的降壓、穩壓、大電流電源管理控制，將MC33067的外圍元件和引腳適當處理，就可以改造成恒頻輸出，用作HID高頻電子鎮流器的可變頻率振蕩器1，這種‘移花接木’的設計方案，既可達到優良的設計要求，也使成本降低，將‘可變頻率振蕩器具有可控死區’改造成‘恒頻率振蕩器具有可控死區’。為此，只需要將IC的第5腳(電壓基準)接至第7腳(誤差放大器)，第3腳獨立輸出，并通過串接一個3K Ω和可調電位器4. 7K Ω對地(調控頻率電路5)，第6腳、第8腳各通過一個IOK Ω以上的電阻與第6腳相接接。這樣，就構成一個MOSFET管的驅動1C，它具有可編程的工作頻率，適當調整第3腳的可調電位器，就可以很方便地改變工作頻率。圖2中，IC的12、14腳分別接于二個緩沖級的輸入端，緩沖級由V2、V3、組成，其輸出構成圖騰柱，驅動半橋上下臂V4和V5。上下臂的中點輸出方波信號，經過匹配、濾波網絡，變成高頻正弦波，點燃一個容性負載的HID燈管，其電功率可高至250W。作為典型的例子，圖2的電路可成功應用于飛利浦210W/930CDM-TMW陶瓷金鹵燈，是一種新型、高效、性能優越的HID高頻電子鎮流器。如果電功率小于150W，緩沖級V2-V3可以不用，直接由IC驅動半橋。圖2 中，第 I 腳的 R15 = 2. 7ΚΩ，C18 = 330pf ;第 3 腳的 R16 = 3ΚΩ+2. 2ΚΩ 可調電阻，作為頻率微調之用。而第16腳的R20 = 2. 7KQ，C19 = IOOPf，改變R20可以調節‘死時間’的大小，使半橋MOSFET管V4、V5的開關噪音最低，發熱最小。C18、C19需用NPO 材料的貼片電容，R15、R16、R20需用金屬氧化膜電阻，以確保小的溫度系數。本專利技術用MC33067改造的IC驅動HID高頻電子鎮流器配飛利浦210W陶瓷金鹵燈實測數據如下Vin = 220v, Iin = I. 066A，功率因數=O. 993，直流輸出 Vdd = +400v,燈啟動時頻率f0 = 741KHz，工作頻率fl = 703. 5KHz，啟動電功率本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種高頻電子鎮流器控制電路，包括可變頻率振蕩器，與所述的可變頻率振蕩器相連的變壓器耦合電路，與所述的變壓器耦合電路相連的諧振匹配電路，所述的諧振匹配電路與高壓氣體放電燈相連，其特征在于，所述的可變頻率振蕩器外接調控頻率電路，所述的調控頻率電路由電阻及與所述的電阻串接的可調電位器組成，所述的調控頻率電路一端輸入所述的可變頻率振蕩器，另一端接地。

【技術特征摘要】
1.一種高頻電子鎮流器控制電路，包括可變頻率振蕩器，與所述的可變頻率振蕩器相連的變壓器耦合電路，與所述的變壓器耦合電路相連的諧振匹配電路，所述的諧振匹配電路與高壓氣體放電燈相連，其特征在于，所述的可變頻率振蕩器外接調控頻率電路，所述的調控頻率電路由電阻及與所述的電阻串接的可調電位器組成，所述的調控頻率電路一端輸入所述的可變頻率振蕩器，另一端接地。2.根據權利要求I所述的高頻電子鎮流器控制電路，其特征在于，所述的高頻電子鎮流器控制電路還包括濾波電路，連接于所述的諧振匹配電路及所述的高壓氣體放電燈之間，用...

【專利技術屬性】
技術研發人員：謝立山，
申請(專利權)人：深圳市格林萊電子技術有限公司，
類型：實用新型
國別省市：