【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本技術(shù)涉及一種單端電荷泵,具體說(shuō)是一種低電流失配的鎖相環(huán)電荷泵電路,其能夠有效的得到較大的輸出阻抗,寬的輸出電壓擺幅,和較低的系統(tǒng)增益誤差,又能夠以相對(duì)較低的電荷泵電流工作。
技術(shù)介紹
鎖相環(huán)(Phase locked loop,簡(jiǎn)稱“PLL”)電路是用來(lái)產(chǎn)生一個(gè)能夠?qū)㈩l率和相位鎖定在另外一個(gè)信號(hào)的電子系統(tǒng),鎖相環(huán)電路可以與其他模塊一起構(gòu)成時(shí)鐘數(shù)據(jù)恢復(fù)電路,將輸入數(shù)據(jù)同步到一個(gè)時(shí)鐘信號(hào)。典型的PLL包括一個(gè)鑒頻鑒頻器(Phase Frequency Detector,簡(jiǎn)稱PFD)、電荷泵(Charge Pump,簡(jiǎn)稱CP)、環(huán)路濾波器(Low Pass Filter,簡(jiǎn)稱LPF)和壓控振蕩器(Voltage Controlled Oscillator,簡(jiǎn)稱VC0)。PLL接受外部參考信號(hào),并與本地產(chǎn)生的頻 率可變信號(hào)進(jìn)行相位比較。鑒頻鑒相器PFD通過(guò)比較參考信號(hào)和本地頻率可變信號(hào),產(chǎn)生相位誤差信號(hào)UP和DN,這兩個(gè)相位誤差信號(hào)作為電荷泵CP的輸入。電荷泵CP會(huì)產(chǎn)生一個(gè)相應(yīng)的電流來(lái)響應(yīng)相位誤差信號(hào)。電又會(huì)流入環(huán)路濾波器LPF并產(chǎn)生一個(gè)電壓 用以控制壓控振蕩器VCO來(lái)相應(yīng)的改變振蕩頻率。通過(guò)控制VCO的輸出頻率,PLL的頻率和相位會(huì)逐漸匹配到輸入的參考信號(hào)。如圖I所示現(xiàn)有的PLL包括鑒相器(PHASE DETCET0R),用來(lái)檢測(cè)兩個(gè)信號(hào)的相位誤差;電荷泵(charge pump),用來(lái)接收鑒相器的誤差信號(hào)并輸出一個(gè)對(duì)應(yīng)的電流Icp ;環(huán)路濾波器(LOOP FILTER),用來(lái)控制反饋環(huán)路(CLOCK SIGNAL)的動(dòng)態(tài)特性,并濾除電荷泵產(chǎn)生的電流\的高頻 ...
【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種低電流失配的鎖相環(huán)電荷泵電路,它包括電流鏡和電荷泵,其特征在于:所述的電荷泵包括:第一輸入傳輸門(mén)?:用于接收互補(bǔ)的上升信號(hào)up、upb,為了響應(yīng)上升信號(hào),從電源傳送一個(gè)相應(yīng)的輸出電流到輸出節(jié)點(diǎn)vout;第二輸入傳輸門(mén):接收互補(bǔ)的下降信號(hào)dn、dnb,為了響應(yīng)下降信號(hào),從輸出節(jié)點(diǎn)vout傳送一個(gè)相應(yīng)的輸出電流到地gnd;在第一輸入傳輸門(mén)和輸出節(jié)點(diǎn)vout之間設(shè)有共源共柵晶體管M41、M42構(gòu)成了第一條電流通路;共源共柵晶體管M41的源端連接到第一輸入傳輸門(mén);在輸出節(jié)點(diǎn)vout和第二輸入傳輸門(mén)之間設(shè)有共源共柵晶體管M43、M44構(gòu)成了第二條電流通路;共源共柵晶體管M44的源端連接到第二輸入傳輸門(mén);電流鏡耦合到共源共柵晶體管M41、M42、M43、M44的柵極,傳輸偏置電壓V1、V2,、V3、V4分別到共源共柵晶體管M41、M42、M43、M44的柵極;偏置電壓V1、V2,、V3、V4分別使共源共柵晶體管M41、M42、M43、M44工作在飽和區(qū)。2012202077112100001dest_path_image001.jpg,875117dest_path_image002.jpg, ...
【技術(shù)特征摘要】
1.一種低電流失配的鎖相環(huán)電荷泵電路,它包括電流鏡和電荷泵,其特征在于所述的電荷泵包括 第一輸入傳輸門(mén)Tup :用于接收互補(bǔ)的上升信號(hào)up、upb,為了響應(yīng)上升信號(hào),從電源^1£傳送一個(gè)相應(yīng)的輸出電流到輸出節(jié)點(diǎn)vout ; 第二輸入傳輸門(mén):接收互補(bǔ)的下降信號(hào)dn、dnb,為了響應(yīng)下降信號(hào),從輸出節(jié)點(diǎn)VOUt傳送一個(gè)相應(yīng)的輸出電流到地gnd ; 在第一輸入傳輸Hlp和輸出節(jié)點(diǎn)vout之間設(shè)有共源共柵晶體管M41、M42構(gòu)成了第一條電流通路;共源共柵晶體管M41的源端連接到第一輸入傳輸門(mén)7^ ; 在輸出節(jié)點(diǎn)vout和第二輸入傳輸門(mén)TW之間設(shè)有共源共柵晶體管M43、M44構(gòu)成了第二條電流通路;共源共柵晶體管M44的源端連接到第二輸入傳輸門(mén)TW ; 電流鏡耦合到共源共柵晶體管M41、M42、M43、M44的柵極,傳輸偏置電壓VI、V2,、V3、V4分別到共源共柵晶體管M41、M42、M43、M44的柵極;偏置電壓V1、V2,、V3、V4分別使共源共柵晶體管M41、M42、M43、M44工作在飽和區(qū)。2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種低電流失配的鎖相環(huán)電荷泵電路,其特征在于共源共柵晶體管M41、M42是pMOS晶體管;共源共柵晶體管M43、M44是nMOS晶體管。3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種低電流失配的鎖相環(huán)電荷泵電路,其特征在于共源共柵晶體管M41、M42、M43、M44是雙極結(jié)型晶體管或金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管。4.根據(jù)權(quán)利要求1、2或3所述的一種低電流失配的鎖相環(huán)電荷泵電路,其特征在于所述的電流鏡包括場(chǎng)效應(yīng)管M4a,場(chǎng)效應(yīng)管M4a的源級(jí)接電源,場(chǎng)效應(yīng)管M4a的柵極接地gnd,場(chǎng)效應(yīng)管M4a的漏極接場(chǎng)效應(yīng)管Mll的源極;場(chǎng)效應(yīng)管Ml I的柵極接場(chǎng)效應(yīng)管M12的漏極,場(chǎng)效應(yīng)管Ml I的漏極接場(chǎng)效應(yīng)管M12的源極,場(chǎng)效應(yīng)管M12的漏極接場(chǎng)效應(yīng)管M5a的漏極,場(chǎng)效應(yīng)管M5a的源級(jí)接地gnd,場(chǎng)效應(yīng)管M5a的柵極接場(chǎng)效應(yīng)管MO的柵極; 場(chǎng)效應(yīng)管M4b的源級(jí)接電源Fa2 ,場(chǎng)效應(yīng)管M4b的柵極接地gnd,場(chǎng)效應(yīng)管M4b的漏極接場(chǎng)效應(yīng)管M13的源極,場(chǎng)效應(yīng)管M13的柵極接場(chǎng)效應(yīng)管M12的柵極,場(chǎng)效應(yīng)管M13的柵極與自己的漏極相連,場(chǎng)效應(yīng)管M13的漏極還接場(chǎng)效應(yīng)管M5b的漏極,場(chǎng)效應(yīng)管M5b的柵極接場(chǎng)效應(yīng)管M5a的柵極,場(chǎng)效應(yīng)管M5a的源極接地gnd ; 場(chǎng)效應(yīng)管M4c的源級(jí)接電源,場(chǎng)效應(yīng)管M4c的柵極接地gnd,場(chǎng)效應(yīng)管M4c的漏極接場(chǎng)效應(yīng)管M14的源極;場(chǎng)效應(yīng)管M14的柵極接場(chǎng)效應(yīng)管Mll的柵極,場(chǎng)效應(yīng)管M14的漏極接場(chǎng)效應(yīng)管M15的源極,場(chǎng)效應(yīng)管M15的柵極接場(chǎng)效應(yīng)管M13的柵極,場(chǎng)效應(yīng)管M15的漏極接場(chǎng)效應(yīng)管M5c的柵極;場(chǎng)效應(yīng)管M16的漏極接場(chǎng)效應(yīng)管M15的漏極,場(chǎng)效應(yīng)管M16的柵極接場(chǎng)效應(yīng)管M5d的柵極,場(chǎng)效應(yīng)管M16的源極接場(chǎng)效應(yīng)管M5c的漏極,場(chǎng)效應(yīng)管M5c的源極接地 gnd ; 場(chǎng)效應(yīng)管M4d的源級(jí)接電源F32 ,場(chǎng)效應(yīng)管M4d的柵極接地gnd,場(chǎng)效應(yīng)管M4d的漏極接場(chǎng)效應(yīng)管M17的源極,場(chǎng)效應(yīng)管M17...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員:徐平平,張文華,
申請(qǐng)(專利權(quán))人:東南大學(xué),
類型:實(shí)用新型
國(guó)別省市:
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