本實用新型專利技術涉及一種抗電子日光燈啟動高頻干擾的雙可控硅漏電保護裝置，包括漏電感應電路、漏電檢測電路、可控硅開關，漏電感應電路與漏電檢測電路相連，用于感應漏電信號并將此電流信號轉化成電壓信號傳送至所述漏電檢測電路，所述漏電檢測電路用于將接收的漏電信號經濾波、放大和整流得到一個直流電壓輸入至所述可控硅開關，所述漏電檢測電路為漏電斷路器芯片，其特征在于：第二可控硅開關串聯所述可控硅開關，所述第二可控硅開關的控制極通過二極管及電阻連接所述芯片電源。本實用新型專利技術使用雙貼片可控硅，增大耐浪涌電壓值，比單插件可控硅耐壓高，價格便宜，簡化生產工藝，降低生產成本。（*該技術在2022年保護過期，可自由使用*）
【技術實現步驟摘要】
本技術涉及一種漏電保護裝置，尤其是涉及一種抗電子日光燈啟動高頻干擾的雙可控硅漏電保護裝置。
技術介紹
隨著人們生活質量的不斷提高，電子、電器產品已進入千家萬戶，對于保護人身與設備的安全意識也在逐步加強，同時對各式各樣保護器的要求也不斷提高。我國目前所使用的漏電保護開關絕大部分是AC型，只要受保護電路部分由漏電產生，此漏電保護開關就會動作，在實際應用中有些高頻短時間漏電是為了保護設備而必須的，漏電開關設計的目的就是為了防止由于設備或人體有對地長時間漏電而出現事故，漏電開關所要保護的電路是市網電，頻率在50-60HZ，高頻部分所產生的短時間漏電是不需 受保護范圍的。在現有技術中，有一種用于電子日光燈上的漏電保護開關，當電子日光燈在啟動的時候，它是通過一個充電電容啟動的，日光燈啟動以后，為了保護這個充電電容的壽命，需要將這個電容上的電充分瀉放掉，而此時的電子整流器已經從工作電路中斷開，要將這個電容上的電瀉放掉，只能通過對地放電，如果一個場所使用的日光燈很多，而且是同時開啟的時候，這個瀉放電流就會很大，當這個瀉放電流達到漏電保護開關額定值的時候，此時，漏電保護開關就會產生誤動作，切斷被保護線路供電電源，所以需要開發一種電子日光燈啟動時抗高頻干擾的漏電保護裝置，保證只有出現真正是設備或人體對地漏電的時候，才會將需要保護的電路進行保護的漏電開關。本申請人的名稱為《一種用于抗電子日光燈啟動高頻干擾的漏電保護裝置》授權技術專利(專利號200920282413. 8)解決了上述的問題，但是由于單個貼片可控硅耐壓低，浪涌實驗難以通過，而插件可控硅的成本較高。
技術實現思路
本申請人針對上述的問題，進行了研究改進，提供一種抗電子日光燈啟動高頻干擾的雙可控硅漏電保護裝置，采用雙貼片可控硅，增大耐浪涌電壓值，簡化生產工藝，降低生產成本；同時解決電子日光燈啟動高頻干擾造成的開關誤動作問題。為了解決上述技術問題，本技術采用如下的技術方案一種抗電子日光燈啟動高頻干擾的雙可控硅漏電保護裝置，包括漏電感應電路、漏電檢測電路、可控硅開關，漏電感應電路與漏電檢測電路相連，用于感應漏電信號并將此電流信號轉化成電壓信號傳送至所述漏電檢測電路，所述漏電檢測電路用于將接收的漏電信號經濾波、放大和整流得到一個直流電壓輸入至所述可控硅開關，所述漏電檢測電路為漏電斷路器芯片，第二可控硅開關串聯所述可控硅開關，所述第二可控硅開關的控制極通過二極管及電阻連接所述芯片電源。進一步的在所述芯片的兩個電壓輸入端跨接一高頻吸收電容，用于屏蔽電子日光燈啟動時出現的聞頻干擾漏電。所述漏電感應電路包括漏電感應器和分別跨接在漏電感應器電壓輸出端的兩個反向并聯的二極管NI和NZ、抗電磁干擾電容C6、取樣電阻R3以及限流電阻R2，所述高頻吸收電容為電容C7，電容C7的一端與取樣電阻R3相連后接所述芯片電壓輸入端I腳，電容C7另一端與限流電阻R2相連后接所述芯片電壓輸入端2腳。所述芯片為非延時漏電斷路器芯片IC54123。所述可控硅開關及所述第二可控硅開關為貼片可控硅。本技術的技術效果在于本技術公開的一種抗電子日光燈啟動高頻干擾的雙可控硅漏電保護裝置，使用雙貼片可控硅，增大耐浪涌電壓值，比單插件可控硅耐壓高，價格便宜，簡化生產工藝，降 低生產成本；同時，電路中增加高頻吸收電容，能夠將一定頻率以上的漏電信號進行屏蔽，從而在電子日光燈啟動出現高頻時不會對漏電開關產生誤動作，達到保護電路的效果。附圖說明圖I為本技術的電路原理圖。具體實施方式以下結合附圖對本技術的具體實施方式作進一步詳細的說明。如圖I所示，本技術包括漏電感應器ZCT、漏電檢測電路(采用非延時漏電斷路器芯片IC54123)、可控硅開關Ql，第二可控硅開關Q2串聯可控硅開關Ql，可控硅開關Ql的陽極連接第二可控硅開關Q2的陰極，第二可控硅開關Q2的控制極通過二極管D5和電阻R8連接芯片電源。正常情況下，三相負荷電流和對地漏電流基本平衡，流過漏電感應器一次線圈電流的相量和約為零，即由它在鐵芯中產生的總磁通為零，漏電感應器二次線圈無輸出。當發生觸電時，觸電電流通過大地成回路，亦即產生了零序電流。這個電流不經過漏電感應器一次線圈流回，破壞了平衡，于是鐵芯中便有零序磁通，使二次線圈輸出信號，漏電感應器就會將此電流信號轉化成電壓信號，并將該電壓信號傳送至漏電檢測電路，漏電檢測電路將接收的漏電信號經濾波、放大和整流得到一個直流電壓輸入至可控硅開關Q1，通過可控硅開關Ql的導通實現切斷被保護線路供電電源。由于第二可控硅開關Q2的控制極通過二極管D5和電阻R8連接芯片電源，當第二可控硅開關Q2閉合，第二可控硅開關Q2控制極一直有正向電壓，陽極連接整流橋正極，當芯片輸出腳7腳給可控硅開磁Ql —個正向電壓，可控硅開關Ql及第二控硅開關Q2導通。在本實施例中，可控硅開關Ql，第二可控硅開關Q2均采用貼片可控硅，單個貼片可控硅的耐壓值為800V，4000V浪涌實驗不能通過，改為兩個貼片可控硅，耐壓值可達到1200V，由于增加二極管D5 (耐壓1000V)，反向耐壓提高，使得開關可以通過6000V浪涌實驗，比插件可控硅4000V浪涌還要高。漏電檢測電路采用非延時漏電斷路器芯片IC54123，該芯片包括有8個腳，其中，腳I和腳2為檢測漏電電壓輸入端，在該兩個腳上接了一個高頻吸收電容C7，3腳和8腳為電源端，5腳為鎖存腳，6腳為抗干擾(外接電容C3抗干擾)，而芯片的4腳和7腳為輸出腳，腳4通過電容C4接地，腳7用于輸出直流電壓給可控硅開關Ql )，使可控硅開關Ql導通，切斷電路。在實際應用中，當日光燈啟動時會出現短暫高頻漏電，為了保證這種因為這種漏電電路不斷電，本技術在漏電感應電路和漏電檢測電路之間連接一個電容C7，其中漏電感應電路包括漏電感應器ZCT，跨接在漏電感應器ZCT電壓輸出端的兩個反向并聯的二極管NI和N2、電容C6、取樣電阻R3和限流電阻R2，當漏電感應器ZCT感應到的電壓信號高于O. 7V的時候，通過這兩個二極管起到一個很好的抑制作用，從而限制O. 7V以上的電壓信號傳輸到芯片而損壞芯片；取樣電阻R3的作用是漏電感應器感應的電壓信號要通過該取樣電阻，將需要的電壓等級傳輸到芯片里面，從而達到調節漏電電流動作的額定值；限流電阻R2的作用為通過該電阻可將漏電感應器感應的電流限定在一定的范圍，從而防止過大的電流傳輸到芯片里面而損壞芯片，起到保護芯片的作用；C6的作用為抗電磁干擾，因為現在使用的電子類消費品越來越多，電磁輻射在我們日常的生活當中很常見，為了防止由于電磁輻射導致漏電保護開關跳閘，C6電容能夠很好的將電磁輻射的信號吸收。而電容C7是專門為抗日光燈啟動而設計的，電容C7是高頻吸收電容，因為日光燈啟動所產生的高 頻漏電信號和電磁輻射是有本質區別的，電磁輻射的信號不會造成三項電流的不平衡，而且電磁輻射的信號干擾頻率要比電子日光燈啟動所產生的信號頻率高的多，所以在這里電容C6就不能很好的將電子日光燈所產生的漏電信號吸收掉，只有通過增加電容C7才能很好的將電子日光燈啟動所產生的短時間漏電信號進行吸收，從而實現了抗電子日光燈啟動時的干擾。本文檔來自技高網...
【技術保護點】
一種抗電子日光燈啟動高頻干擾的雙可控硅漏電保護裝置，包括漏電感應電路、漏電檢測電路、可控硅開關，漏電感應電路與漏電檢測電路相連，用于感應漏電信號并將此電流信號轉化成電壓信號傳送至所述漏電檢測電路，所述漏電檢測電路用于將接收的漏電信號經濾波、放大和整流得到一個直流電壓輸入至所述可控硅開關，所述漏電檢測電路為漏電斷路器芯片，其特征在于：第二可控硅開關串聯所述可控硅開關，所述第二可控硅開關的控制極通過二極管及電阻連接所述芯片電源。
【技術特征摘要】
1.一種抗電子日光燈啟動高頻干擾的雙可控硅漏電保護裝置，包括漏電感應電路、漏電檢測電路、可控硅開關，漏電感應電路與漏電檢測電路相連，用于感應漏電信號并將此電流信號轉化成電壓信號傳送至所述漏電檢測電路，所述漏電檢測電路用于將接收的漏電信號經濾波、放大和整流得到一個直流電壓輸入至所述可控硅開關，所述漏電檢測電路為漏電斷路器芯片，其特征在于第二可控硅開關串聯所述可控硅開關，所述第二可控硅開關的控制極通過二極管及電阻連接所述芯片電源。2.按照權利要求I所述的抗電子日光燈啟動高頻干擾的雙可控硅漏電保護裝置，其特征在于在所述芯片的兩個電壓輸入端跨接一高頻吸收電容，用于屏蔽電子日光燈啟動時出現的聞頻干擾漏電。3.按照權利要求I所述的抗...
【專利技術屬性】
技術研發人員：朱榮惠，徐榮燦，雷懷，吳尚尚，
申請(專利權)人：無錫華陽科技有限公司，
類型：實用新型
國別省市：
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