真空吸嘴制造技術(shù)

本實用新型專利技術(shù)關(guān)于一種真空吸嘴，包含有基板及彈性體，該基板設(shè)有呈軸向貫穿狀的吸氣孔；該彈性體固設(shè)于基板的底面并設(shè)有第一層及第二層，第一層固設(shè)于基板的底面并設(shè)有呈貫穿狀的第一氣孔，第一氣孔與該吸氣孔對齊并相通；該第二層固定結(jié)合于第一層的底面并設(shè)有呈貫穿狀的第二氣孔；該第二氣孔與第一氣孔對齊并相通，其中，第二氣孔的寬度大于第一氣孔的寬度；本實用新型專利技術(shù)在彈性體增設(shè)第二層，該第二層產(chǎn)生的變形量能夠進(jìn)一步地貼覆晶片，阻隔外界空氣進(jìn)入，并使第二氣孔的寬度大于第一氣孔的寬度，增加吸起氣流接觸于晶片的面積，利于吸起晶片，十分實用。（*該技術(shù)在2022年保護過期，可自由使用*）

【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】

本技術(shù)涉及ー種配合吸氣裝置吸取物品的構(gòu)件，特別涉及ー種真空吸嘴。
技術(shù)介紹
目前現(xiàn)有技術(shù)的真空吸嘴，如圖7所示，設(shè)有基板70及弾性體80，基板70設(shè)有呈軸向貫穿狀的吸氣孔71 ;弾性體80固設(shè)于基板70并設(shè)有呈軸向貫穿狀的通氣孔81。欲吸起晶片時，將吸氣裝置設(shè)于基板70的頂面，并將弾性體80抵在晶片的頂面，利用吸氣裝置將吸氣孔71及通氣孔81內(nèi)的空氣吸出而產(chǎn)生吸力，使得晶片能夠被吸起進(jìn)而運送。其中，晶片被吸力吸引而朝基板70的方向位移，使得弾性體80被擠壓變形并貼覆于晶片。然而，弾性體80的變形量不足，無法緊密地貼覆于晶片，導(dǎo)致外界的空氣會從晶片與弾性體80之間的微小縫隙進(jìn)入通氣孔81，吸力不足且吸氣效率不佳，晶片容易掉落，造成整個生產(chǎn)線停罷。另外，通氣孔81的直徑小，吸起氣流接觸于晶片的面積不大，不利于吸起晶片，也容易造成晶片掉落。因此，現(xiàn)有技術(shù)的真空吸嘴實有改進(jìn)的必要。
技術(shù)實現(xiàn)思路
為解決現(xiàn)有技術(shù)的真空吸嘴有關(guān)于弾性體無法緊密地貼覆于晶片，導(dǎo)致晶片容易掉落的不足與限制，本技術(shù)的目的在于提供ー種真空吸嘴，其弾性體增設(shè)第二層，該第ニ層產(chǎn)生的變形量能夠進(jìn)ー步地貼覆晶片，阻隔外界空氣進(jìn)入，并使該第二氣孔的寬度大于第一氣孔的寬度，増加吸起氣流接觸于晶片的面積，利于吸起晶片，十分實用。本技術(shù)所運用的技術(shù)手段在于提供ー種真空吸嘴，包括有一基板，其設(shè)有ー呈軸向貫穿狀的吸氣孔；以及一弾性體，其固設(shè)于該基板的底面并設(shè)有一第一層及ー第二層，該第一層固設(shè)于該基板的底面并設(shè)有一呈貫穿狀的第一氣孔，該第一氣孔與該吸氣孔對齊并相通；該第二層固定結(jié)合于該第一層的底面并設(shè)有一呈貫穿狀的第二氣孔；該第二氣孔與該第一氣孔對齊并相通，其中，該第二氣孔的寬度大于該第一氣孔的寬度。所述的真空吸嘴，其中，該第一層的外徑大于該第二層的外徑，并在該第一層的底面異于該第二層之處形成有ー環(huán)面。所述的真空吸嘴，在該第一層的環(huán)形的底面以及在該第二層的環(huán)形的底面分別披覆形成ー環(huán)形的奈米鈦層。所述的真空吸嘴，其中，該第一氣孔的寬度大于該吸氣孔的寬度。本技術(shù)所提供的真空吸嘴，可以獲得的具體效益及功效改進(jìn)至少包括I.第二層的變形量提高貼覆效果由于本技術(shù)增設(shè)第二層，相較于現(xiàn)有技術(shù)而言，該第二層產(chǎn)生的變形量能夠進(jìn)ー步貼覆晶片；更進(jìn)ー步地，使第二層的徑向厚度薄于第一層的徑向厚度，較薄的第二層更能被擠壓變形而貼覆于晶片。2.吸起氣流接觸于晶片的面積增加因為該第二氣孔的寬度大于第一氣孔的寬度，所以本技術(shù)的吸起氣流接觸于晶片的面積增加，因此能夠利于吸起晶片。3.避免吸入外界空氣而提高吸氣效率因為該第一層的外徑大于第二層的外徑，在第一層貼覆于晶片時，第一層能夠包圍已被擠壓的第二層，使得第二氣孔及第一氣孔內(nèi)空氣能夠充份地被吸走，并使外界的空氣不易穿過被擠壓的第一層及第二層而進(jìn)入第二氣孔及第一氣孔，因此能夠提高吸氣效率。4.奈米鈦層阻隔外界空氣本技術(shù)的第二實施例利用奈米鈦層進(jìn)一歩阻隔外界空氣進(jìn)入該第一氣孔及第ニ氣孔，進(jìn)ー步地提高吸氣效率。附圖說明圖I是本技術(shù)第一優(yōu)選實施例的立體外觀圖。圖2是本技術(shù)第一優(yōu)選實施例的剖面圖。圖3是本技術(shù)第一優(yōu)選實施例的仰視圖。圖4是本技術(shù)第一優(yōu)選實施例第二層的擠壓變形示意圖。圖5是本技術(shù)第一優(yōu)選實施例第一層與第二層的擠壓變形示意圖。圖6是本技術(shù)第二優(yōu)選實施例的剖面圖。圖7是現(xiàn)有技術(shù)真空吸嘴的剖面圖。附圖標(biāo)號說明10基板11吸氣孔20弾性體21第一層211第一氣孔212環(huán)面22第二層221第二氣孔21A 第一層22A 第二層30A奈米鈦層C晶片70基板71吸氣孔80弾性體81通氣孔具體實施方式以下配合附圖及本技術(shù)的優(yōu)選實施例，進(jìn)ー步闡述本技術(shù)為達(dá)成預(yù)定技術(shù)目的所采取的技術(shù)手段。本技術(shù)所提供的ー種真空吸嘴的優(yōu)選實施例，如圖I至圖3所示，包括有一基板10及一弾性體20等元件，其中如圖I至圖3所示，該基板10為ー塑膠制的圓盤體，該基板10設(shè)有ー呈軸向貫穿狀且為圓形的吸氣孔11，基板10為現(xiàn)有技術(shù)的構(gòu)件，在此不詳細(xì)描述。如圖I至圖3所示，該弾性體20為海綿制成并具有弾性，該弾性體20固設(shè)于該基板10的底面并設(shè)有一第一層21及一第二層22 ；該第一層21呈圓盤狀，該第一層21固設(shè)于該基板10的底面并設(shè)有ー呈圓形貫穿狀的第一氣孔211,該第一氣孔211與該吸氣孔11對齊并相通；優(yōu)選地，該第一氣孔211的直徑大于該吸氣孔11的直徑；該第二層22呈圓盤狀，該第二層22結(jié)合固定于該第一層21的底面，該第二層22可以一體連接于該第一層21，也可以粘貼于該第一層21，本技術(shù)對于第二層22連接于第一層21的方式不作特定的限制；該第二層22設(shè)有ー呈圓形貫穿狀的第二氣孔221 ;該第二氣孔221與該第一氣孔211對齊并相通，其中，該第二氣孔221的直徑大于該第一氣孔211的直徑。優(yōu)選地，該第一層21的外徑大于該第二層22的外徑,并于該第一層21的底面異于該第二層22之處形成ー環(huán)面212。如圖4所示，本技術(shù)在使用時，將圖中未示的吸氣裝置設(shè)于基板10的頂面，并將本技術(shù)的第二層22抵在晶片C的頂面，利用吸氣裝置將吸氣孔11、第一氣孔211及第二氣孔221內(nèi)的空氣吸出而產(chǎn)生吸力，使得晶片C能夠被吸起；其中，晶片C被吸力吸引而朝基板10的方向位移，使得弾性體20被擠壓變形。在 擠壓變形的過程中，第二層22產(chǎn)生變形并緊密貼覆于晶片C的頂面，并且，第一層21也被逐漸地擠壓變形。如圖5所示，若是吸カ夠強，第一層21甚至能夠貼覆于晶片C的頂面并包圍已被擠壓的第二層22。由于本技術(shù)增設(shè)第二層22，因此第二層22產(chǎn)生的變形量能夠進(jìn)一歩貼覆晶片C，阻隔外界空氣進(jìn)入第二氣孔221 ；并且，本技術(shù)內(nèi)第二氣孔221的直徑大于第一氣孔211的直徑，所以本技術(shù)的吸起氣流接觸于晶片C的面積增加，因此能夠利于吸起晶片C ；更進(jìn)一歩地，由于第二氣孔221的直徑大于第一氣孔211的直徑且第ー層21的外徑大于第二層22的外徑，造成第二層22的徑向厚度薄于第一層21的徑向厚度，較薄的第ニ層22更能被擠壓變形而貼覆于晶片C ；其次，第一層21的外徑大于第二層22的外徑，在第一層21貼覆于晶片C時，第一層21能夠包圍已被擠壓的第二層22，使得第二氣孔221及第ー氣孔211內(nèi)空氣能夠充份地被吸走，并使外界的空氣不易穿過被擠壓的第一層21及第ニ層22而進(jìn)入第二氣孔221及第一氣孔211，因此能夠提高吸氣效率。本技術(shù)對于弾性體20、第一氣孔211及第ニ氣孔221的形狀不作特定的限制，只要第二氣孔221的寬度大于第一氣孔211的寬度即可。如圖6所示，本技術(shù)的第二優(yōu)選實施例實質(zhì)上與第一優(yōu)選實施例相同，其中，在該第一層21A的環(huán)形的底面以及在該第二層22A的環(huán)形的底面分別披覆形成ー環(huán)形的奈米鈦層30A。通過奈米鈦層30A進(jìn)ー步阻隔外界空氣進(jìn)入第一氣孔211及第ニ氣孔221，進(jìn)一步地提高吸氣效率。以上所述僅是本技術(shù)的優(yōu)選實施例而已，并非對本技術(shù)做任何形式上的限制，雖然本技術(shù)已以優(yōu)選實施例披露如上，然而并非用以限定本技術(shù)，任何本領(lǐng)域的技術(shù)人員，在不脫離本技術(shù)技術(shù)方案的范圍內(nèi)，應(yīng)當(dāng)可以利用上述掲示的
技術(shù)實現(xiàn)思路
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【技術(shù)保護點】
一種真空吸嘴，其特征在于，包含有：一基板，其設(shè)有一呈軸向貫穿狀的吸氣孔；以及一彈性體，其固設(shè)于該基板的底面并設(shè)有一第一層及一第二層，該第一層固設(shè)于該基板的底面并設(shè)有一呈貫穿狀的第一氣孔，該第一氣孔與該吸氣孔對齊并相通；該第二層固定結(jié)合于該第一層的底面并設(shè)有一呈貫穿狀的第二氣孔；該第二氣孔與該第一氣孔對齊并相通，其中，該第二氣孔的寬度大于該第一氣孔的寬度。

【技術(shù)特征摘要】
1.一種真空吸嘴，其特征在于，包含有 一基板，其設(shè)有一呈軸向貫穿狀的吸氣孔；以及 一彈性體，其固設(shè)于該基板的底面并設(shè)有一第一層及一第二層，該第一層固設(shè)于該基板的底面并設(shè)有一呈貫穿狀的第一氣孔，該第一氣孔與該吸氣孔對齊并相通；該第二層固定結(jié)合于該第一層的底面并設(shè)有一呈貫穿狀的第二氣孔；該第二氣孔與該第一氣孔對齊并相通，其中，該第二氣孔的寬度大于該第一...

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：林盟彧，
申請(專利權(quán))人：宏皓企業(yè)有限公司，
類型：實用新型
國別省市：