一種降低鋁合金鍍銀表面二次電子發射系數的方法，步驟為：(1)將鋁合金微波部件內表面先利用丙酮溶液超聲清洗10分鐘，再用乙醇溶液超聲清洗10分鐘；(2)再用濃度為50g/L，溫度為50℃的NaOH溶液清洗后的鋁合金微波部件的內表面清洗1分鐘，去除鋁合金表面的氧化膜；(3)將鋁合金微波部件放入用濃度為5g/L的三氯化鐵和濃度為10g/L的鹽酸混合溶液中處理微波部件3分鐘，處理溫度為40℃；(4)在鋁合金微波部件內表面先濺射一層銅；(5)再在銅表面濺射一層銀。本發明專利技術能夠有效降低鋁合金鍍銀表面二次電子發射系數。
【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及一種降低鋁合金鍍銀表面二次電子發射系數的實現方法，屬于微波
技術介紹
微放電效應是在真空條件下，電子在射頻場的加速下，在兩金屬表面間激發的二次電子發射與倍增的效應。多工器、濾波器等航天器大功率微波部件的內部電場較強區域容易發生微放電效應，導致大功率微波部件失效，甚至使整個有效載荷徹底失效。因此，航天器微波部件必須進行微放電效應的抑制設計，確保航天器在軌的安全、可靠運行。目前針對鋁合金微波部件抑制微放電的主要方法是在 鋁合金表面電化學鍍銀，鍍銀后二次電子發射系數有所降低，但只能降到2. 2。隨著航天器微波部件功率逐步的提高，需要將二次電子發射系數降到1.5。美國航空航天局(NASA)US005711860A號專利公開了一種在降低銅表面二次電子發射系數的方法和處理裝置，該方法無法應用于鋁合金材料表面。中國電子科技集團公司第十二研究所CN201010221069. 9號專利公開了一種抑制二次電子發射的離子束表面處理設備，包括處于前置真空的機械泵、二級真空分子泵及樣品臺組件，其特征在于，樣品臺組件上方設有濺射沉積組件，該濺射沉積組件上方設有離子源，它們組成了密封的真空設備，該設備還連接著一臺電控柜。該方法的主要缺點是表面處理后微波部件表面的陷阱結構尺寸較大，導致微波傳輸損耗高，不適用于能源有限的航天器使用。
技術實現思路
本專利技術技術解決問題克服現有的星載微波部件抑制微放電表面處理方法閾值低的不足，提供一種能夠有效降低鋁合金鍍銀表面二次電子發射系數的方法。本專利技術的具體解決方案是，其特點在于實現步驟如下(I)將鋁合金微波部件內表面先利用丙酮溶液超聲清洗10分鐘，再用乙醇溶液超聲清洗10分鐘；(2)再用濃度為50g/L，溫度為50°C的NaOH溶液將步驟(I)清洗后的鋁合金微波部件的內表面清洗I分鐘，去除鋁合金表面的氧化膜；(3)將鋁合金微波部件放入用濃度為5g/L的三氯化鐵和濃度為10g/L的鹽酸混合溶液中處理微波部件3分鐘，處理溫度為40°C ；(4)在鋁合金微波部件內表面先濺射一層銅，厚度為2 μ m ;(5)再在銅表面派射一層銀,厚度為4 μ m。所述步驟⑷中在鋁合金微波部件表面濺射一層銅時的濺射室真空度為2.4X 10_4Pa，濺射電流為O. 5A，濺射電壓為280V ;先預濺射時間為3分鐘后，再實際濺射時間為10分鐘。所述步驟(5)中再在銅表面濺射一層銀時的濺射室真空度為2. 2X 10_4Pa，濺射電流為O. 2A，濺射電壓為260V ;先預濺射時間為3分鐘后，再實際濺射時間為20分鐘。本專利技術與現有技術相比的優點在于本專利技術能夠有效降低鋁合金鍍銀表面二次電子發射系數。傳統表面鍍銀處理方法獲得的鋁合金表面的SEM如圖2所示，利用本專利技術提出的方法處理的鋁合金表面的SEM如圖3所示，通過對比可以看出本專利技術提出的方法處理的鋁合金表面出現了大量的陷阱結構，能夠形成二次電子的多次漫反射，兩種不同表面處理方法處理的鋁合金表面二次電子發射系數的測量結果如圖4所示，可以看出二次電子發射系數由2. 12降低至I. 52，與傳統的鋁合金表面鍍銀處理方法相比，由此可見本專利技術提出的方法的二次電子發射系數降低了 28%。同時，本專利技術提出的方法實現的陷阱結構尺寸都在納米量級，對微波部件的損耗特性和傳輸性能影響很小。附圖說明圖I為專利技術實現方法的流程圖； 圖2為傳統表面鍍銀處理方法獲得的鋁合金表面的SEM ；圖3本專利技術提出的方法處理的鋁合金表面的SEM ；圖4為兩種不同表面處理方法處理的鋁合金表面二次電子發射系數的測量結果。具體實施例方式如圖I所示，本專利技術具體實現如下實施例II.清洗鋁合金微波部件將機械加工完成的鋁合金微波部件放入丙酮溶液中超聲清洗10分鐘，然后再放入乙醇溶液中超聲清洗10分鐘。2.預處理鋁合金微波部件將鋁合金微波部件放入50g/L的NaOH溶液中處理I分鐘，控制溶液的溫度在40攝氏度范圍內。3.鋁合金微波部件的腐蝕將鋁合金微波部件放入濃度為5g/L的三氯化鐵和10g/L的鹽酸溶液中處理3分鐘，溶液溫度為40攝氏度。4.鋁合金微波部件的濺射將腐蝕過后的鋁合金微波部件表面先濺射一層銅，再濺射一層銀。銅的濺射時間為10分鐘，銀的濺射時間為20分鐘。濺射銅時電流為O. 5A，濺射電壓為280V。濺射銀時電流為O. 2A，濺射電壓為260V。銅鍍層的厚度為2 μ m，銀鍍層的厚度為4 μ m。實施例2I.清洗鋁合金微波部件在丙酮溶液中超聲清洗鋁合金微波部件10分鐘，然后再放入乙醇溶液中超聲清洗10分鐘。2.預處理鋁合金微波部件將鋁合金微波部件放入50g/L的NaOH溶液中處理I分鐘，控制溶液的溫度在40攝氏度范圍內。在非處理工作面上涂上保護膠，并將鋁合金微波部件掛裝。3.鋁合金微波部件的腐蝕將涂有保護膠的鋁合金微波部件放入濃度為5g/L的三氯化鐵和10g/L的鹽酸溶液中處理3分鐘，溶液溫度為40攝氏度。腐蝕完成后去除表面的保護膠，然后清洗鋁合金微波部件。4.鋁合金微波部件的濺射將腐蝕過后的鋁合金微波部件表面先濺射一層銅，再濺射一層銀。銅的濺射時間為10分鐘，銀的濺射時間為20分鐘。濺射銅時電流為O. 5A，濺射電壓為280V。濺射銀時電流為O. 2A，濺射電壓為260V。銅鍍層的厚度為2 μ m ，銀鍍層的厚度為4 μ m。權利要求1.，其特征在于實現步驟如下 (1)將鋁合金微波部件內表面先利用丙酮溶液超聲清洗10分鐘，再用乙醇溶液超聲清洗10分鐘； (2)再用濃度為50g/L，溫度為50°C的NaOH溶液將步驟(I)清洗后的鋁合金微波部件的內表面清洗I分鐘，去除鋁合金表面的氧化膜； (3)將鋁合金微波部件放入用濃度為5g/L的三氯化鐵和濃度為10g/L的鹽酸混合溶液中處理微波部件3分鐘，處理溫度為40°C ； (4)在鋁合金微波部件內表面先濺射一層銅； (5)再在銅表面濺射一層銀。2.根據權利要求I所述的降低鋁合金鍍銀表面二次電子發射系數的方法，其特征在于所述步驟(4)中在鋁合金微波部件表面濺射一層銅時的濺射室真空度為2. 4X 10_4Pa，濺射電流為O. 5A，濺射電壓為280V ;先預濺射時間為3分鐘后，再實際濺射時間為10分鐘。3.根據權利要求I所述的降低鋁合金鍍銀表面二次電子發射系數的方法，其特征在于所述步驟(5)中再在銅表面濺射一層銀時的濺射室真空度為2. 2X 10_4Pa，濺射電流為O.2A，濺射電壓為260V ;先預濺射時間為3分鐘后，再實際濺射時間為20分鐘。4.根據權利要求I所述的降低鋁合金鍍銀表面二次電子發射系數的方法，其特征在于所述步驟(4)中濺射銅層的厚度為2 μ m。5.根據權利要求I所述的降低鋁合金鍍銀表面二次電子發射系數的方法，其特征在于所述步驟(5)中的濺射銀層的厚度為4 μ m。全文摘要，步驟為(1)將鋁合金微波部件內表面先利用丙酮溶液超聲清洗10分鐘，再用乙醇溶液超聲清洗10分鐘；(2)再用濃度為50g/L，溫度為50℃的NaOH溶液清洗后的鋁合金微波部件的內表面清洗1分鐘，去除鋁合金表面的氧化膜；(3)將鋁合金微波部件放入用濃度為5g/L的三氯化鐵和濃度為10g/L的鹽酸混合溶液中處理微波部件3分鐘，處理溫度為40℃；(4)在鋁合金微波部件內表本文檔來自技高網...
【技術保護點】
一種降低鋁合金鍍銀表面二次電子發射系數的方法，其特征在于實現步驟如下：(1)將鋁合金微波部件內表面先利用丙酮溶液超聲清洗10分鐘，再用乙醇溶液超聲清洗10分鐘；(2)再用濃度為50g/L，溫度為50℃的NaOH溶液將步驟(1)清洗后的鋁合金微波部件的內表面清洗1分鐘，去除鋁合金表面的氧化膜；(3)將鋁合金微波部件放入用濃度為5g/L的三氯化鐵和濃度為10g/L的鹽酸混合溶液中處理微波部件3分鐘，處理溫度為40℃；(4)在鋁合金微波部件內表面先濺射一層銅；(5)再在銅表面濺射一層銀。
【技術特征摘要】
【專利技術屬性】
技術研發人員：胡天存，崔萬照，楊晶，賀永寧，
申請(專利權)人：西安空間無線電技術研究所，
類型：發明
國別省市：
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