【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
本技術(shù)涉及一種太陽能電池單晶制絨槽體預(yù)清洗，特別是單晶硅清洗槽潔凈度監(jiān)測裝置。
技術(shù)介紹
單晶硅的絨面制備是利用硅的各向異性腐蝕，在每平方厘米硅表面形成幾百萬個四面方錐體也即金字塔結(jié)構(gòu)。由于入射光在表面的多次反射和折射，增加了光的吸收，提高了電池的短路電流和轉(zhuǎn)換效率。硅的各向異性腐蝕液通常用熱的堿性溶液，可用的堿有氫氧化鈉(氫氧化鉀、氫氧化鋰和乙二胺等)。大多使用廉價的濃度約為1%的氫氧化鈉稀溶液來制備絨面硅，腐蝕溫度為70°C -85°C。為了獲得均勻的絨面，還應(yīng)在溶液中酌量添加醇類 如乙醇和異丙醇等作為絡(luò)合劑，以加快硅的腐蝕。制備絨面前，硅片須經(jīng)過預(yù)清洗先進行初步表面腐蝕，用堿性或酸性腐蝕液蝕去約20 ii m 25 ii m，而目前預(yù)清洗使用的過氧化氫和堿經(jīng)過一段時間清洗后，槽體的溶液會變臟變色，使預(yù)清洗槽不容易控制，會使預(yù)清洗的硅片飄起，片子一旦飄起則影響片子的光電轉(zhuǎn)換效率；槽體為強酸強堿環(huán)境，并且有揮發(fā)彌漫現(xiàn)象，易對勞動者造成身體傷害。
技術(shù)實現(xiàn)思路
本技術(shù)的目的是為了解決上述現(xiàn)有技術(shù)的不足而提供一種能使槽體潔凈度實時得到控制，減少飄片次數(shù)的單晶硅清洗槽潔凈度監(jiān)測裝置。為了實現(xiàn)上述目的，本技術(shù)所設(shè)計的單晶硅清洗槽潔凈度監(jiān)測裝置，包括安裝壁以及兩側(cè)邊與安裝壁固定連接的清洗槽，其特征是安裝壁上設(shè)有監(jiān)控清洗槽清潔度的紅外感應(yīng)攝像裝置，安裝壁外側(cè)還設(shè)有與紅外感應(yīng)攝像裝置相連接的控制電腦。所述清洗槽包括表面清洗槽、中部網(wǎng)槽以及底部彎管。本技術(shù)得到的單晶硅清洗槽潔凈度監(jiān)測裝置能夠準(zhǔn)確判斷槽體的狀況，根據(jù)槽體的潔凈度及時的處理槽體濃度，消除飄片影響，節(jié)省時間，提...
【技術(shù)保護點】
一種單晶硅清洗槽潔凈度監(jiān)測裝置，包括安裝壁（1）以及兩側(cè)邊與安裝壁（1）固定連接的清洗槽（2），其特征是安裝壁（1）上設(shè)有監(jiān)控清洗槽清潔度的紅外感應(yīng)攝像裝置（3），安裝壁（1）外側(cè)還設(shè)有與紅外感應(yīng)攝像裝置（3）相連接的控制電腦（4）。
【技術(shù)特征摘要】
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：韓波，袁前程，高常輝，丁杰，
申請(專利權(quán))人：寧波升科太陽能股份有限公司，
類型：實用新型
國別省市：
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