數據控制電路制造技術

數據控制電路包括輸入／輸出線和驅動器。當讀操作或寫操作不工作時，輸入／輸出線預充電電路將全局輸入／輸出線預充電到預定電壓。驅動器包括多個ＭＯＳ晶體管并且在讀操作期間響應于從局部輸入／輸出線和互補局部輸入／輸出線接收數據而驅動全局輸入／輸出線。

【技術實現步驟摘要】

本專利技術涉及半導體電路，更具體地，涉及數據控制電路。
技術介紹
隨著計算系統(tǒng)和電子通信的不斷發(fā)展，用于保存信息的半導體存儲器的產品變得 越來越便宜、尺寸越來越小、數據容量越來越大。此外，對能量效率的不斷增長的需要目前 正驅使著半導體存儲器以比以前大大減少的電流消耗工作。同時，動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)具有用于進行讀和寫操作的各種類型的驅動 器。例如，可以利用用于驅動全局輸入/輸出線接受來自局部輸入/輸出線的數據的輸入 /輸出線讀出放大器驅動器來執(zhí)行DRAM的讀操作。DRAM的寫操作需要用于驅動全局輸入 /輸出線從DQ墊(pad)接收輸入數據的數據輸入驅動器。構建在DRAM內的那些驅動器一般由金屬氧化物半導體(MOS)晶體管組成。由于 MOS晶體管的電流特性性能在低電源電壓(VDD)條件下大大下降，因此電流可驅動性能趨 向惡化。為此，必須將由低電源條件供電的那些MOS晶體管驅動器配置為比DRAM中的其他 MOS晶體管大，以便保證穩(wěn)定的可驅動性。但是，當不需要讀或寫操作時，例如，當在省電狀態(tài)中時，漏電流仍然可以流過關 斷的驅動器的這些MOS晶體管。因此，用于在低電源電壓條件下實現較高的可驅動性所需 的較大尺寸的MOS晶體管可能引起漏電流的增加。
技術實現思路
因此，提供一種能夠通過在沒有讀或寫操作時預充電全局輸入/輸出線來降低漏 電流的數據控制電路。根據本專利技術的一方面，提供一種數據控制電路，可以包括輸入/輸出線預充電電 路，被配置為當讀或寫操作不工作時將全局輸入/輸出線預充電到預定電壓；和驅動器，包 括多個MOS晶體管，并且被配置為在讀操作期間響應于從局部輸入/輸出線和互補局部輸 入/輸出線接收數據而驅動全局輸入/輸出線。所述MOS晶體管中的驅動全局輸入/輸出 線的一個MOS晶體管具有比所述MOS晶體管中的其他MOS晶體管的閾值電壓低的閾值電 壓。根據本專利技術的另一方面，提供一種數據控制電路，包括第一輸入/輸出線預充電 電路，被配置為當讀或寫操作不工作時將第一全局輸入/輸出線預充電到預定電壓；第二 輸入/輸出線預充電電路，被配置為當讀或寫操作不工作時將第二全局輸入/輸出線預充 電到預定電壓；和中繼器，被配置為在讀操作期間放大第一全局輸入/輸出線的數據并將 其傳送到第二全局輸入/輸出線，并且被配置為在寫操作期間放大第二全局輸入/輸出線 的數據并將其傳送到第一全局輸入/輸出線。根據本專利技術的另一方面，提供一種數據控制電路，可以包括輸入/輸出線預充電 電路，被配置為當讀或寫操作不工作時以預定電壓預充電全局輸入/輸出線；和驅動器，包括多個MOS晶體管，并且被配置為在寫操作期間響應于從數據墊接收數據而驅動全局輸入 /輸出線。所述MOS晶體管中的驅動全局輸入/輸出線的一個MOS晶體管具有比所述MOS 晶體管中的其他MOS晶體管的閾值電壓低的閾值電壓。根據本專利技術的另一方面，提供一種數據控制電路，包括輸入/輸出線預充電電 路，被配置為當讀或寫操作不工作時以預定電壓預充電第一和第二全局輸入/輸出線；第 一驅動器，被配置為在讀操作期間響應于從局部輸入/輸出線和互補局部輸入/輸出線接 收數據而驅動第一全局輸入/輸出線；中繼器，被配置為在讀操作中放大第一全局輸入/輸 出線的數據并將其傳送到第二全局輸入/輸出線，并且被配置為在寫操作中放大第二全局 輸入/輸出線的數據并將其傳送到第一全局輸入/輸出線；以及第二驅動器，被配置為在寫 操作期間響應于從數據墊接收數據而驅動第二全局輸入/輸出線。這里對本專利技術的性質和優(yōu)點的進一步的了解可以通過參考說明書的其余部分和 附圖來實現。附圖說明通過下面結合附圖的詳細描述，將更清楚地理解本專利技術的上述和其他方面、特征 和其他優(yōu)點，其中圖1是示出根據本專利技術的實施例的數據控制電路的功能結構的框圖；圖2是示出圖1所示的數據控制電路的第一全局輸入/輸出線預充電電路的電路 圖；圖3是示出圖1所示的數據控制電路的第二全局輸入/輸出線預充電電路的電路 圖；圖4是示出圖1所示的數據控制電路的全局輸入/輸出線中繼器的電路圖；圖5是示出圖1所示的數據控制電路的輸入/輸出線讀出放大器驅動器的電路 圖；圖6是示出圖1所示的數據控制電路的數據輸入驅動器的電路圖；以及圖7是示出圖2和3所示的第一和第二全局輸入/輸出線預充電電路的另一個實 施例的電路圖。具體實施例方式下面將參照示出一些實施例的附圖更完整地描述各種實施例。但是，這里公開的 特定結構和功能細節(jié)僅僅是用于描述本專利技術的實施例的典型。在對附圖的描述中，相似的 參考數字指代相似的元件。這里所用的術語僅僅是為了描述具體的實施例，而不意欲限制實施例。正如這里 所用的，單數形式“一”、“一個”和“該”意欲也包括復數形式，除非上下文清楚地指明是單 數。還應當理解，這里所用的術語“包括”和/或“包含”指定了所述特征、整數、步驟、操作、 元件和/或部件的存在，但是不排除存在或添加一個或更多的其他特征、整數、步驟、操作、 元件、部件、和/或它們的群組。應當理解，盡管這里可能使用術語第一、第二等來描述各種元件，但是這些元件不 應當被這些術語所限制。這些術語僅用于將一個元件和另一個元件區(qū)分開來。例如，可以將第一元件稱為第二元件，類似地，可以將第二元件稱為第一元件，而不背離本專利技術的范圍。 這里所用的術語“和/或”包括相關列出的項的一個或多個的任意和所有組合。還應當理 解，當稱一個元件“連接到”或“耦接到”另一個元件時，其可以直接連接到或耦接到另一個 元件，或者也可以存在居間元件。相反，當稱一個元件“直接連接到”或“直接耦接到”另一 元件時，則不存在居間元件。應當用相似的方式來理解用于描述元件之間的關系的其他詞語(例如，“在......之間”與“直接在......之間”、“與......相鄰”與“與......直接相鄰”，等等)。為了更具體地描述實施例，在下文中將參考附圖詳細描述各種參數和實施例。圖1示出根據本專利技術的實施例的數據控制電路的功能塊配置。參考圖1，數據控制電路可以包括輸入/輸出線(IO)預充電電路1、輸入/輸出線 讀出放大器(IOSA)驅動器2、全局輸入/輸出線(GIO)中繼器3、數據墊(DQ) 4、數據緩沖器 5和數據輸入驅動器6。輸入/輸出線預充電電路1示范性地由第一全局輸入/輸出線預 充電電路10和第二全局輸入/輸出線預充電電路11組成。現在參考圖2，第一全局輸入/輸出線預充電電路10可以由第一驅動信號發(fā)生器 100和PMOS晶體管PlO形成。第一驅動信號發(fā)生器100被配置為響應于第一使能信號OE 和第二使能信號WT_EN通過或操作來產生第一驅動信號DRVl。當處于讀操作時，第一使能 信號OE被激活為高電平狀態(tài)。當處于寫操作時，第二使能信號WT_EN被激活為高電平狀態(tài)。 當第一驅動信號DRVl處于低電平狀態(tài)時，PMOS晶體管PlO響應于第一驅動信號DRVl而導 通以便以內電壓VPERI驅動第一全局輸入/輸出線GI01。利用此配置，當讀和寫操作不工 作時，第一全局輸入/輸出線預充電電路10工作以便以內電壓VPERI驅動第一全局輸入/ 輸出線GI01。現在參考圖3，第二全局輸入/輸出線預充電電路11可以由第二驅動信號發(fā)生器 110和PMOS晶體管Pll形成。第二驅動信號發(fā)生器本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種數據控制電路，包括：輸入／輸出線預充電電路，被配置為當讀或寫操作不工作時將全局輸入／輸出線預充電到預定電壓；和驅動器，包括多個ＭＯＳ晶體管，并且被配置為在讀操作期間響應于從局部輸入／輸出線和互補局部輸入／輸出線接收數據而驅動全局輸入／輸出線，其中所述ＭＯＳ晶體管中的驅動全局輸入／輸出線的至少一個ＭＯＳ晶體管具有比其他ＭＯＳ晶體管的閾值電壓低的閾值電壓。

【技術特征摘要】
...

【專利技術屬性】
技術研發(fā)人員：李相權，
申請(專利權)人：海力士半導體有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：KR[韓國]