【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術(shù)涉及到射頻微波，尤其涉及一種w波段高發(fā)射功率變頻模塊。
技術(shù)介紹
1、w波段頻率范圍為75ghz-110ghz，由于其頻率高、波長短，導(dǎo)致在變頻模塊中，混頻器的插入損耗和傳輸損耗都很大，因此需要合理規(guī)劃走線和信號傳輸長度以及器件選型來降低功率的浪費。
2、除此之外，為實現(xiàn)小型化的w波段變頻模塊，系統(tǒng)集成復(fù)雜度較高，需要在保證小型化和高集成度的條件下，保證性能指標(biāo)合格，這導(dǎo)致芯片的選取更為挑剔。
3、當(dāng)發(fā)射功率較大時，末級功率放大器會產(chǎn)生大量的熱量，這會導(dǎo)致長時間工作后，末級功率放大器的輸出功率和增益發(fā)生巨大變化，致使產(chǎn)品穩(wěn)定性降低。而高發(fā)射功率也會增加末級信號切換器件的選取難度。
4、公開號為cn103296973a，公開日為2013年09月11日的中國專利文獻公開了一種w波段上變頻模塊，包括上層腔體和下層腔體，所述上層腔體內(nèi)安裝有電源印制電路板和絕緣子，下層腔體的頂部安裝有射頻鏈路，所述電源印制電路板通過絕緣子與射頻鏈路垂直連接，所述上層腔體和下層腔體內(nèi)還分別設(shè)置有波導(dǎo)結(jié)構(gòu)，所述射頻鏈路包括第一w波段放大器和第二w波段放大器、w波段混頻器、第三w波段放大器和第四w波段放大器、中頻衰減器，所述各元器件采用平面混合集成的方式布置，所述第一w波段放大器、第二w波段放大器、w波混頻器、第三w波段放大器、第四w波段放大器依次連接，同時中頻衰減器也與w波混頻器連接；輸入信號經(jīng)第一w波段放大器和第二w波段放大器放大，再與從中頻衰減器出來的中頻信號一起通過混頻器進行上變頻，上變頻后的射頻信號經(jīng)第三
5、該專利文獻公開的w波段上變頻模塊，各元器件采用三維立體結(jié)構(gòu)布置，射頻鏈路中的元器件與電源印制電路板通過絕緣子垂直互連，增強了電源和元器件的隔離，提高了模塊的電磁兼容性。但是，收發(fā)鏈路之間的隔離度欠佳，影響了鏈路性能；且調(diào)測時間長，調(diào)測成本高。
技術(shù)實現(xiàn)思路
1、本專利技術(shù)為了克服上述現(xiàn)有技術(shù)的缺陷，提供一種w波段高發(fā)射功率變頻模塊，本專利技術(shù)將各不同功能模塊化設(shè)計并結(jié)合環(huán)形器，能夠增加收發(fā)鏈路之間的隔離度，降低調(diào)測成本和時間，增強鏈路性能。
2、本專利技術(shù)通過下述技術(shù)方案實現(xiàn)：
3、一種w波段高發(fā)射功率變頻模塊，包括上變頻組件和下變頻組件，其特征在于：還包括發(fā)射放大組件、功放組件、環(huán)形器、低噪放組件和接收放大組件，所述發(fā)射放大組件與上變頻組件電連接，上變頻組件與功放組件電連接，所述低噪放組件與下變頻組件電連接，下變頻組件與接收放大組件電連接，所述環(huán)形器分別與功放組件和低噪放組件電連接。
4、所述環(huán)形器，用于切換接收信號和發(fā)送信號。
5、所述低噪放組件包括限幅器和低噪聲放大器，限幅器和低噪聲放大器電連接。
6、所述限幅器，用于降低高輸入功率，使低噪聲放大器處于線性區(qū)。
7、所述接收放大組件包括兩個衰減器和兩個放大器，衰減器和放大器電連接。
8、所述衰減器，用于調(diào)節(jié)輸入端口駐波。
9、所述放大器，用于鏈路放大。
10、所述發(fā)射放大組件，用于放大中頻信號，發(fā)射放大組件包括一級低噪聲放大器和二級低噪聲放大器，一級低噪聲放大器和二級低噪聲放大器電連接。
11、所述功放組件包括一級驅(qū)動放大器和一級功率放大器，一級驅(qū)動放大器和一級功率放大器電連接。
12、所述下變頻組件包括第一驅(qū)動放大器、第一衰減器、混頻器、第二衰減器、濾波器、第三衰減器、第二驅(qū)動放大器、第四衰減器、鏡頻濾波器和第五衰減器，第一驅(qū)動放大器與第一衰減器電連接，混頻器分別與第二衰減器和第四衰減器電連接，濾波器分別與第二衰減器和第三衰減器電連接，第三衰減器與第二驅(qū)動放大器電連接，鏡頻濾波器分別與第四衰減器和第五衰減器電連接。
13、本專利技術(shù)的有益效果主要表現(xiàn)在以下方面：
14、一、本專利技術(shù)，發(fā)射放大組件與上變頻組件電連接，上變頻組件與功放組件電連接，低噪放組件與下變頻組件電連接，下變頻組件與接收放大組件電連接，環(huán)形器分別與功放組件和低噪放組件電連接，較現(xiàn)有技術(shù)而言，將各不同功能模塊化設(shè)計并結(jié)合環(huán)形器，能夠增加收發(fā)鏈路之間的隔離度，降低調(diào)測成本和時間，增強鏈路性能。
15、二、本專利技術(shù)，采用環(huán)形器來實現(xiàn)收發(fā)切換功能，相較于普通單刀雙擲開關(guān)而言，環(huán)形器作為無源器件，能承受高功率輸入，且不需要在背面安裝具有電源調(diào)制功能的pcb板，從而能夠大大降低產(chǎn)品成本。
16、三、本專利技術(shù)，采用環(huán)形器來實現(xiàn)收發(fā)切換功能，相較于開關(guān)芯片而言，擁有更高的隔離度，使得整個變頻模塊發(fā)射時，能夠有效減小對接收鏈路的影響。
17、四、本專利技術(shù)，低噪放組件包括限幅器和低噪聲放大器，限幅器和低噪聲放大器電連接，通過限幅器不僅能降低高輸入功率以保證低噪聲放大器處于線性區(qū)，還能進一步增加收發(fā)鏈路之間的隔離度。
18、五、本專利技術(shù)，接收放大組件包括兩個衰減器和兩個放大器，衰減器和放大器電連接，通過兩個衰減器，能夠調(diào)節(jié)輸入端口駐波和防止兩個放大器出現(xiàn)自激現(xiàn)象。
19、六、本專利技術(shù)，對不同功能進行模塊化劃分，能夠增加通道間的隔離度，并降低通道間的相互影響，并通過對比測試，可實現(xiàn)放大器之間的自激檢查，從而更好的優(yōu)化電路。
20、七、本專利技術(shù)，下變頻組件包括第一驅(qū)動放大器、第一衰減器、混頻器、第二衰減器、濾波器、第三衰減器、第二驅(qū)動放大器、第四衰減器、鏡頻濾波器和第五衰減器，第一驅(qū)動放大器與第一衰減器電連接，混頻器分別與第二衰減器和第四衰減器電連接，濾波器分別與第二衰減器和第三衰減器電連接，第三衰減器與第二驅(qū)動放大器電連接，鏡頻濾波器分別與第四衰減器和第五衰減器電連接，通過在混頻器前加鏡頻濾波器，能夠抑制鏡像頻率，同時在濾波器前后設(shè)置第二衰減器和第三衰減器，能夠保障無源器件之間駐波，從而降低傳輸?shù)膿p耗。
本文檔來自技高網(wǎng)...【技術(shù)保護點】
1.一種W波段高發(fā)射功率變頻模塊，包括上變頻組件和下變頻組件，其特征在于：還包括發(fā)射放大組件、功放組件、環(huán)形器、低噪放組件和接收放大組件，所述發(fā)射放大組件與上變頻組件電連接，上變頻組件與功放組件電連接，所述低噪放組件與下變頻組件電連接，下變頻組件與接收放大組件電連接，所述環(huán)形器分別與功放組件和低噪放組件電連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種W波段高發(fā)射功率變頻模塊，其特征在于：所述環(huán)形器，用于切換接收信號和發(fā)送信號。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種W波段高發(fā)射功率變頻模塊，其特征在于：所述低噪放組件包括限幅器和低噪聲放大器，限幅器和低噪聲放大器電連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種W波段高發(fā)射功率變頻模塊，其特征在于：所述限幅器，用于降低高輸入功率，使低噪聲放大器處于線性區(qū)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種W波段高發(fā)射功率變頻模塊，其特征在于：所述接收放大組件包括兩個衰減器和兩個放大器，衰減器和放大器電連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種W波段高發(fā)射功率變頻模塊，其特征在于：所述衰減器，用于調(diào)節(jié)輸入端口駐波。
7
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種W波段高發(fā)射功率變頻模塊，其特征在于：所述發(fā)射放大組件，用于放大中頻信號，發(fā)射放大組件包括一級低噪聲放大器和二級低噪聲放大器，一級低噪聲放大器和二級低噪聲放大器電連接。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種W波段高發(fā)射功率變頻模塊，其特征在于：所述功放組件包括一級驅(qū)動放大器和一級功率放大器，一級驅(qū)動放大器和一級功率放大器電連接。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種W波段高發(fā)射功率變頻模塊，其特征在于：所述下變頻組件包括第一驅(qū)動放大器、第一衰減器、混頻器、第二衰減器、濾波器、第三衰減器、第二驅(qū)動放大器、第四衰減器、鏡頻濾波器和第五衰減器，第一驅(qū)動放大器與第一衰減器電連接，混頻器分別與第二衰減器和第四衰減器電連接，濾波器分別與第二衰減器和第三衰減器電連接，第三衰減器與第二驅(qū)動放大器電連接，鏡頻濾波器分別與第四衰減器和第五衰減器電連接。
...【技術(shù)特征摘要】
1.一種w波段高發(fā)射功率變頻模塊，包括上變頻組件和下變頻組件，其特征在于：還包括發(fā)射放大組件、功放組件、環(huán)形器、低噪放組件和接收放大組件，所述發(fā)射放大組件與上變頻組件電連接，上變頻組件與功放組件電連接，所述低噪放組件與下變頻組件電連接，下變頻組件與接收放大組件電連接，所述環(huán)形器分別與功放組件和低噪放組件電連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種w波段高發(fā)射功率變頻模塊，其特征在于：所述環(huán)形器，用于切換接收信號和發(fā)送信號。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種w波段高發(fā)射功率變頻模塊，其特征在于：所述低噪放組件包括限幅器和低噪聲放大器，限幅器和低噪聲放大器電連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種w波段高發(fā)射功率變頻模塊，其特征在于：所述限幅器，用于降低高輸入功率，使低噪聲放大器處于線性區(qū)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種w波段高發(fā)射功率變頻模塊，其特征在于：所述接收放大組件包括兩個衰減器和兩個放大器，衰減器和放大器電連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種w波段高發(fā)射功率變頻模塊，其特征在...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：羅曜，劉前，胡奇，劉巧，樂怡文，
申請(專利權(quán))人：航天科工微電子系統(tǒng)研究院有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
還沒有人留言評論。發(fā)表了對其他瀏覽者有用的留言會獲得科技券。