【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及半導體，尤其是涉及一種紅外場景生成器件的制造方法。
技術介紹
1、紅外場景生成系統能夠為紅外半實物仿真試驗的待測試設備提供實時的紅外圖像源。紅外場景生成器件是紅外場景生成系統中的核心器件，根據工作方式可分為直接輻射型和輻射調制型，紅外場景生成芯片是典型的紅外場景生成器件之一，其通過光驅動的方式使得芯片產生自發輻射。
2、在相關技術中，為了減少對流換熱，一些紅外場景生成器件需要在真空度較高的環境下工作。為保持真空工作環境，這些器件或芯片通常被固定于真空腔內，采用真空設備與真空腔相連保持真空度，但是由真空腔和真空機組構成的真空系統不僅會導致整個測試系統的體積龐大、靈活性較低，而且真空系統的組成構件復雜、重量大、難以整體搬動或挪動，因此測試系統的便攜性較差。另外，芯片工作時真空設備需時刻保持通電工作狀態，真空機組的工作功率較大因此電能消耗較多。
技術實現思路
1、本專利技術旨在至少解決現有技術中存在的技術問題之一。為此，本專利技術的一個目的在于提出一種紅外場景生成器件的制造方法，該紅外場景生成器件的制造方法不僅可以提升敏感單元的耐久度和可靠性，還可以減少紅外場景生成器件整體的體積，提升便攜性。
2、根據本專利技術的紅外場景生成器件的制造方法，包括：制備芯片基底，其中，所述芯片基底具有在第一方向上相對的進光面和出光面，所述芯片基底的進光面設置有敏感單元；在所述芯片基底的進光面設置封蓋，其中，所述封蓋具有可見光進口，所述可見光進口與所述敏感單元在第一方向
3、由此，通過真空系統將封蓋和芯片基底形成的內腔抽至真空，加熱使得封蓋和芯片基底連接固定可以構成真空封裝的紅外場景生成器件，不僅可以提升敏感單元耐久度和可靠性，還可以減少紅外場景生成器件整體的體積。
4、在本專利技術的一些示例中，所述加熱使得所述封蓋和所述芯片基底連接固定的步驟還包括：在所述芯片基底和所述封蓋之間設置焊料件；加熱使得所述焊料件將所述芯片基底和所述封蓋連接固定。
5、在本專利技術的一些示例中，所述焊料件為合金焊料片和鍵合劑中的至少一種。
6、在本專利技術的一些示例中，所述在所述芯片基底的進光面設置封蓋的步驟之前，還包括：所述在所述芯片基底的進光面設置吸氣件。
7、在本專利技術的一些示例中，所述吸氣件位于所述敏感單元和所述焊料件之間且在所述芯片基底的周向上延伸設置。
8、在本專利技術的一些示例中，所述芯片基底和所述封蓋之間設置有焊料件的步驟還包括：在所述芯片基底和所述封蓋之間設置支撐件，其中，所述焊料件包括第一焊料件和第二焊料件，所述支撐件與所述封蓋之間設置有所述第一焊料件，所述支撐件和所述芯片基底之間設置有所述第二焊料件。
9、在本專利技術的一些示例中，所述吸氣件在所述敏感單元的外側周向延伸設置，所述吸氣件與所述第二焊料件相對應且位于所述第二焊料件的內圈；和/或所述吸氣件與所述第一焊料件相對應且位于所述第一焊料件的內圈；和/或所述吸氣件與所述支撐件相對應且位于所述支撐件的內圈。
10、在本專利技術的一些示例中，所述敏感單元與所述吸氣件在第一方向上的投影相互間隔設置。
11、在本專利技術的一些示例中，所述敏感單元為光熱轉換單元。
12、在本專利技術的一些示例中，所述芯片基底為碳化硅基底，所述芯片基底對紅外波段的透過率為a，a的取值范圍為：a＞70%。
13、在本專利技術的一些示例中，所述在所述芯片基底的進光面設置封蓋的步驟之前還包括：將所述封蓋刻蝕出在第一方向朝向遠離所述芯片基底的一側凹陷的凹槽，其中，所述可見光進口與所述凹槽相對應。
14、在本專利技術的一些示例中，所述封蓋包括保護框部和進光部，所述可見光進口位于所述進光部，所述保護框部設置于所述進光部的周向邊緣，所述將所述封蓋刻蝕出在第一方向朝向遠離所述芯片基底的一側凹陷的凹槽的步驟包括：將所述進光部刻蝕出在第一方向朝向遠離所述芯片基底的一側凹陷的凹槽。
15、在本專利技術的一些示例中，所述可見光進口和所述芯片基底的出光面中的至少一個設置有增透膜。
16、本專利技術的附加方面和優點將在下面的描述中部分給出，部分將從下面的描述中變得明顯，或通過本專利技術的實踐了解到。
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1.一種紅外場景生成器件的制造方法，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的紅外場景生成器件的制造方法，其特征在于，所述加熱使得所述封蓋（20）和所述芯片基底（10）連接固定的步驟還包括：
3.根據權利要求2所述的紅外場景生成器件（100）的制造方法，其特征在于，所述焊料件（30）為合金焊料片和鍵合劑中的至少一種。
4.根據權利要求2所述的紅外場景生成器件的制造方法，其特征在于，所述在所述芯片基底（10）的進光面（101）設置封蓋（20）的步驟之前，還包括：
5.根據權利要求4所述的紅外場景生成器件的制造方法，其特征在于，所述吸氣件（40）位于所述敏感單元（103）和所述焊料件（30）之間且在所述芯片基底（10）的周向上延伸設置。
6.根據權利要求2所述的紅外場景生成器件的制造方法，其特征在于，所述芯片基底（10）和所述封蓋（20）之間設置有焊料件（30）的步驟還包括：
7.根據權利要求5所述的紅外場景生成器件的制造方法，其特征在于，所述吸氣件（40）在所述敏感單元（103）的外側周向延伸設置，所述吸氣件
8.根據權利要求4所述的紅外場景生成器件的制造方法，其特征在于，所述敏感單元（103）與所述吸氣件（40）在第一方向上的投影相互間隔設置。
9.根據權利要求1所述的紅外場景生成器件的制造方法，其特征在于，所述敏感單元（103）為光熱轉換單元。
10.根據權利要求1所述的紅外場景生成器件的制造方法，其特征在于，所述芯片基底（10）為碳化硅基底，所述芯片基底（10）對紅外波段的透過率為a，a的取值范圍為：a＞70%。
11.根據權利要求1所述的紅外場景生成器件的制造方法，其特征在于，所述在所述芯片基底（10）的進光面（101）設置封蓋（20）的步驟之前還包括：
12.根據權利要求11所述的紅外場景生成器件的制造方法，其特征在于，所述封蓋（20）包括保護框部（203）和進光部（204），所述可見光進口（201）位于所述進光部（204），所述保護框部（203）設置于所述進光部（204）的周向邊緣，所述將所述封蓋（20）刻蝕出在第一方向朝向遠離所述芯片基底（10）的一側凹陷的凹槽（202）的步驟包括：
13.根據權利要求1所述的紅外場景生成器件的制造方法，其特征在于，所述可見光進口（201）和所述芯片基底（10）的出光面（102）中的至少一個設置有增透膜。
...【技術特征摘要】
1.一種紅外場景生成器件的制造方法，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的紅外場景生成器件的制造方法，其特征在于，所述加熱使得所述封蓋（20）和所述芯片基底（10）連接固定的步驟還包括：
3.根據權利要求2所述的紅外場景生成器件（100）的制造方法，其特征在于，所述焊料件（30）為合金焊料片和鍵合劑中的至少一種。
4.根據權利要求2所述的紅外場景生成器件的制造方法，其特征在于，所述在所述芯片基底（10）的進光面（101）設置封蓋（20）的步驟之前，還包括：
5.根據權利要求4所述的紅外場景生成器件的制造方法，其特征在于，所述吸氣件（40）位于所述敏感單元（103）和所述焊料件（30）之間且在所述芯片基底（10）的周向上延伸設置。
6.根據權利要求2所述的紅外場景生成器件的制造方法，其特征在于，所述芯片基底（10）和所述封蓋（20）之間設置有焊料件（30）的步驟還包括：
7.根據權利要求5所述的紅外場景生成器件的制造方法，其特征在于，所述吸氣件（40）在所述敏感單元（103）的外側周向延伸設置，所述吸氣件（40）與所述第二焊料件（302）相對應且位于所述第二焊料件（302）的內圈；和/或
8.根據權利要求...
【專利技術屬性】
技術研發人員：李德芳，孫亞軒，劉朝輝，楊鎮駿，
申請(專利權)人：比亞迪股份有限公司，
類型：發明
國別省市：
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