【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
技術(shù)介紹
1、集成電路(ic)裝置(例如管芯)通常在多管芯ic封裝中被耦合在一起以集成特征或功能性并且便于到諸如封裝襯底的其他部件的連接。在傳統(tǒng)封裝中，可以通過焊料將管芯耦合在一起。可以通過管芯之間的焊料互連以可實現(xiàn)的互連密度來限制這樣的封裝。
技術(shù)實現(xiàn)思路
【技術(shù)保護(hù)點】
1.一種微電子組件，包括：
2.如權(quán)利要求1所述的微電子組件，其中，所述多個導(dǎo)電觸點與所述第一管芯的所述第一表面接觸。
3.如權(quán)利要求1所述的微電子組件，其中，所述多個導(dǎo)電觸點被電耦合到所述第一管芯。
4.如權(quán)利要求1所述的微電子組件，其中，所述RDL包括多個金屬層。
5.如權(quán)利要求4所述的微電子組件，其中，所述RDL包括三個金屬層。
6.如權(quán)利要求1所述的微電子組件，其中，所述非焊料互連包括沿所述第二管芯的下表面的第二多個導(dǎo)電觸點。
7.如權(quán)利要求1所述的微電子組件，其中，所述非焊料互連包括凸塊焊盤或?qū)щ娭?/p>
8.如權(quán)利要求1所述的微電子組件，其中，所述非焊料互連包括金。
9.如權(quán)利要求1所述的微電子組件，其中，所述第一管芯在第一層中，所述第一層進(jìn)一步包括圍繞所述第一管芯的絕緣材料。
10.一種微電子組件，包括：
11.如權(quán)利要求10所述的微電子組件，其中，所述第二層進(jìn)一步包括第三管芯，并且所述第三管芯通過非焊料互連被電耦合到所述RDL。
12.如
13.如權(quán)利要求12所述的微電子組件，其中，所述第三管芯在側(cè)向與所述第二管芯分隔開。
14.如權(quán)利要求11所述的微電子組件，其中，將所述第三管芯堆疊在所述第二管芯上。
15.如權(quán)利要求10所述的微電子組件，進(jìn)一步包括圍繞所述第一管芯的模制材料。
16.如權(quán)利要求10所述的微電子組件，其中，所述第一管芯具有上表面和下表面，所述上表面在所述RDL和所述下表面之間，并且所述多個導(dǎo)電觸點與所述第一管芯的所述上表面接觸。
17.如權(quán)利要求10所述的微電子組件，其中，所述多個焊球在所述第一管芯和所述RDL之間。
18.一種封裝，包括：
19.如權(quán)利要求18所述的封裝，其中，所述多個焊球是第一多個焊球，所述封裝進(jìn)一步包括將所述組件耦合到所述電路板的第二多個焊球。
20.如權(quán)利要求19所述的封裝，其中，所述第一管芯在所述第一多個焊球和所述第二多個焊球之間。
...【技術(shù)特征摘要】
1.一種微電子組件，包括：
2.如權(quán)利要求1所述的微電子組件，其中，所述多個導(dǎo)電觸點與所述第一管芯的所述第一表面接觸。
3.如權(quán)利要求1所述的微電子組件，其中，所述多個導(dǎo)電觸點被電耦合到所述第一管芯。
4.如權(quán)利要求1所述的微電子組件，其中，所述rdl包括多個金屬層。
5.如權(quán)利要求4所述的微電子組件，其中，所述rdl包括三個金屬層。
6.如權(quán)利要求1所述的微電子組件，其中，所述非焊料互連包括沿所述第二管芯的下表面的第二多個導(dǎo)電觸點。
7.如權(quán)利要求1所述的微電子組件，其中，所述非焊料互連包括凸塊焊盤或?qū)щ娭?/p>
8.如權(quán)利要求1所述的微電子組件，其中，所述非焊料互連包括金。
9.如權(quán)利要求1所述的微電子組件，其中，所述第一管芯在第一層中，所述第一層進(jìn)一步包括圍繞所述第一管芯的絕緣材料。
10.一種微電子組件，包括：
11.如權(quán)利要求10所述的微電子組件，其中，所述第二層進(jìn)一步包括第三管芯，并且所述第三管芯通過非焊料互連被電...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：X·F·布倫，S·甘尼桑，H·索耶，W·J·蘭伯特，T·A·戈瑟林，Y·王，
申請(專利權(quán))人：英特爾公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
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