【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
【國(guó)外來(lái)華專(zhuān)利技術(shù)】
【】本專(zhuān)利技術(shù)涉及一種適于作為適于各種顯示設(shè)備的自發(fā)光組件的有機(jī)電致發(fā)光組件(以下，簡(jiǎn)稱(chēng)為有機(jī)el組件)的化合物與組件，具體而言，涉及一種芳胺化合物與使用該化合物的有機(jī)el組件。【先前技術(shù)】有機(jī)el組件為自發(fā)光性組件，較液晶組件更明亮且可見(jiàn)性?xún)?yōu)異，因此，在可實(shí)現(xiàn)清晰的顯示的方面，一直在積極地進(jìn)行研究。于1987年，伊士曼·柯達(dá)公司的c.w.tang等開(kāi)發(fā)出將各種作用分擔(dān)至各材料的積層構(gòu)造組件，由此使使用有機(jī)材料的有機(jī)el組件成為現(xiàn)實(shí)。他們將能夠傳輸電子的熒光體與能夠傳輸空穴的有機(jī)物積層，將兩側(cè)的電荷注入至熒光體的層中而使其發(fā)光，由此以10v以下的電壓獲得1000cd/m2以上的高亮度(例如，參照專(zhuān)利文獻(xiàn)1及專(zhuān)利文獻(xiàn)2)。至今為止，為了有機(jī)el組件的實(shí)用化而進(jìn)行了較多改良，將積層構(gòu)造的各種作用進(jìn)一步細(xì)化，從而由在基板上依次設(shè)置有陽(yáng)極、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層及陰極的電致發(fā)光組件而達(dá)成高效率與耐久性(例如，參照非專(zhuān)利文獻(xiàn)1)。此外，以進(jìn)一步提高發(fā)光效率為目的而嘗試?yán)萌貞B(tài)激子，且在研究利用磷光發(fā)光性化合物(例如，參照非專(zhuān)利文獻(xiàn)2)。此外，亦開(kāi)發(fā)出一種利用由熱活化延遲熒光(tadf)而實(shí)現(xiàn)的發(fā)光的組件，2011年，九州大學(xué)的adachi等通過(guò)使用熱活化延遲熒光材料的組件實(shí)現(xiàn)了5.3％的外部量子效率(例如，參照非專(zhuān)利文獻(xiàn)3)。發(fā)光層也可由如下方式制作：于通常稱(chēng)為主體材料的具有電荷傳輸性的化合物中摻雜熒光性化合物、磷光發(fā)光性化合物或放射延遲熒光的材料。如上述非專(zhuān)利文獻(xiàn)所記載，有機(jī)el組件中的有機(jī)材料的選擇對(duì)該組件的效率或耐久性等多
技術(shù)介紹
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
0、
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、【專(zhuān)利技術(shù)所欲解決的問(wèn)題】
2、本專(zhuān)利技術(shù)的目的在于：開(kāi)發(fā)高效率、高耐久性的有機(jī)el組件時(shí)提供一種(1)空穴的注入、傳輸性能優(yōu)異，(2)具有電子阻擋能力，(3)薄膜狀態(tài)下的穩(wěn)定性較高，(4)耐久性?xún)?yōu)異的特性的有機(jī)el組件用材料。
3、由使用本專(zhuān)利技術(shù)的材料而提供一種(1)發(fā)光效率及功率效率較高，(2)發(fā)光起始電壓及實(shí)用驅(qū)動(dòng)電壓較低，且(3)長(zhǎng)壽命的有機(jī)el組件。
4、【解決問(wèn)題的技術(shù)手段】
5、為了達(dá)成上述目的，本專(zhuān)利技術(shù)人等著眼于芳胺化合物的空穴注入、傳輸能力、薄膜的穩(wěn)定性及耐久性?xún)?yōu)異的方面，由導(dǎo)入咔唑基而擴(kuò)大帶隙，從而追求取代亞萘基的導(dǎo)入及取代位置的優(yōu)化，由此材料的特性得到飛躍性的提高。對(duì)于有機(jī)el組件而言，發(fā)光效率及功率效率的性能亦提高，因此可抑制發(fā)光起始電壓及實(shí)用驅(qū)動(dòng)電壓，從而實(shí)現(xiàn)優(yōu)于先前壽命的長(zhǎng)壽命化，從而完成了本專(zhuān)利技術(shù)。
6、(1)即，本專(zhuān)利技術(shù)是一種下述通式(i)表示的芳胺化合物。
7、
8、式中，a表示經(jīng)取代或未經(jīng)取代的芳族烴基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的芳族雜環(huán)基、或經(jīng)取代或未經(jīng)取代的縮合多環(huán)芳基，
9、b表示經(jīng)取代或未經(jīng)取代的咔唑基，
10、c表示未經(jīng)取代的亞萘基，
11、r表示未經(jīng)取代的芳族烴基、未經(jīng)取代的芳族雜環(huán)基、或未經(jīng)取代的縮合多環(huán)芳基，
12、l1～l3表示單鍵、未經(jīng)取代的2價(jià)芳族烴基、未經(jīng)取代的2價(jià)芳族雜環(huán)基、或未經(jīng)取代的2價(jià)縮合多環(huán)芳基。
13、(2)此外，本專(zhuān)利技術(shù)是如上述(1)的芳胺化合物，其中所述通式(i)中的c表示為未經(jīng)取代的1,2-亞萘基、未經(jīng)取代的1,3-亞萘基、未經(jīng)取代的2,4-亞萘基、未經(jīng)取代的2,5-亞萘基、未經(jīng)取代的2,6-亞萘基、未經(jīng)取代的2,7-亞萘基、或未經(jīng)取代的2,8-亞萘基。
14、(3)此外，本專(zhuān)利技術(shù)是如上述(2)的芳胺化合物，其中所述通式(i)中的l2及l(fā)3表示為未經(jīng)取代的亞苯基、或未經(jīng)取代的亞聯(lián)苯基。
15、(4)此外，本專(zhuān)利技術(shù)是如上述(3)的芳胺化合物，其中所述通式(i)中的r表示為未經(jīng)取代的苯基、未經(jīng)取代的萘基、未經(jīng)取代的二苯并呋喃基、未經(jīng)取代的菲基、或未經(jīng)取代的聯(lián)苯基。
16、(5)此外，本專(zhuān)利技術(shù)是如上述(4)的本文檔來(lái)自技高網(wǎng)...
【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
1.芳胺化合物，其由下述通式(I)表示：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芳胺化合物，其中所述通式(I)中的C表示為未經(jīng)取代的1,2-亞萘基、未經(jīng)取代的1,3-亞萘基、未經(jīng)取代的2,4-亞萘基、未經(jīng)取代的2,5-亞萘基、未經(jīng)取代的2,6-亞萘基、未經(jīng)取代的2,8-亞萘基或未經(jīng)取代的2,7-亞萘基。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的芳胺化合物，其中所述通式(I)中的L2及L3表示為未經(jīng)取代的亞苯基、或未經(jīng)取代的亞聯(lián)苯基。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的芳胺化合物，其中所述通式(I)中的R表示為未經(jīng)取代的苯基、未經(jīng)取代的萘基、未經(jīng)取代的二苯并呋喃基、未經(jīng)取代的菲基、或未經(jīng)取代的聯(lián)苯基。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的芳胺化合物，其中所述通式(I)中的B表示為經(jīng)取代或未經(jīng)取代的9-咔唑基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的2-咔唑基、或經(jīng)取代或未經(jīng)取代的3-咔唑基。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的芳胺化合物，其中所述通式(I)中的B表示為未經(jīng)取代的9-咔唑基。
7.有機(jī)電致發(fā)光(EL)組件，其包括一對(duì)電極及夾在它們之間的至少一層有機(jī)層，所述有機(jī)層包括根據(jù)權(quán)利要求1
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的有機(jī)EL組件，其中所述有機(jī)層為空穴傳輸層。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的有機(jī)EL組件，其中所述有機(jī)層為電子阻擋層。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的有機(jī)EL組件，其中所述有機(jī)層為空穴注入層。
11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的有機(jī)EL組件，其中所述有機(jī)層為發(fā)光層。
12.電子裝置，其包括一對(duì)電極及夾在它們之間的至少一層有機(jī)層，所述有機(jī)層包括根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的芳胺化合物。
...【技術(shù)特征摘要】
【國(guó)外來(lái)華專(zhuān)利技術(shù)】
1.芳胺化合物，其由下述通式(i)表示：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芳胺化合物，其中所述通式(i)中的c表示為未經(jīng)取代的1,2-亞萘基、未經(jīng)取代的1,3-亞萘基、未經(jīng)取代的2,4-亞萘基、未經(jīng)取代的2,5-亞萘基、未經(jīng)取代的2,6-亞萘基、未經(jīng)取代的2,8-亞萘基或未經(jīng)取代的2,7-亞萘基。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的芳胺化合物，其中所述通式(i)中的l2及l(fā)3表示為未經(jīng)取代的亞苯基、或未經(jīng)取代的亞聯(lián)苯基。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的芳胺化合物，其中所述通式(i)中的r表示為未經(jīng)取代的苯基、未經(jīng)取代的萘基、未經(jīng)取代的二苯并呋喃基、未經(jīng)取代的菲基、或未經(jīng)取代的聯(lián)苯基。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的芳胺化合物，其中所述通式(i)中的b表示為經(jīng)取代或未經(jīng)取代的9-咔唑基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的2...
【專(zhuān)利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：加瀨幸喜，高相原，林栽建，泉田淳一，林秀一，
申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人：保土谷化學(xué)工業(yè)株式會(huì)社，
類(lèi)型：發(fā)明
國(guó)別省市：
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