【技術實現步驟摘要】
本公開涉及半導體裝置以及半導體裝置的制造方法。
技術介紹
1、以往，提出了在阻擋層之上形成有溝道層的高電子遷移率晶體管(high?electronmobility?transistor：hemt)。此外，作為柵極絕緣膜的材料，已知有相對介電常數高的硅酸鉿。
2、現有技術文獻
3、專利文獻
4、專利文獻1：日本特表2009－506537號公報
5、專利文獻2：日本特開平5－223855號公報
6、專利文獻3：國際公開第2005/119787號
7、近年來，柵極泄漏的減少的要求逐漸提高。
技術實現思路
1、本公開的目的在于提供能減少柵極泄漏的半導體裝置以及半導體裝置的制造方法。
2、本公開的半導體裝置具有：氮化物半導體層；電介質氮氧化膜，設于所述氮化物半導體層之上，具有與所述氮化物半導體層對置的第一面；以及柵電極，設于所述電介質氮氧化膜之上，所述氮化物半導體層的與所述電介質氮氧化膜對置的面具有氮極性。
3、專利技術效果
4、根據本公開，能減少柵極泄漏。
【技術保護點】
1.一種半導體裝置，具有：
2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，
3.根據權利要求2所述的半導體裝置，其中，
4.根據權利要求1至3中任一項所述的半導體裝置，其中，
5.根據權利要求4所述的半導體裝置，其中，
6.一種半導體裝置的制造方法，具有以下工序：
【技術特征摘要】
1.一種半導體裝置，具有：
2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，
3.根據權利要求2所述的半導體裝置，其中，
4.根據...
【專利技術屬性】
技術研發人員：岡田政也，
申請(專利權)人：住友電氣工業株式會社，
類型：發明
國別省市：
還沒有人留言評論。發表了對其他瀏覽者有用的留言會獲得科技券。