【技術實現(xiàn)步驟摘要】
本公開涉及鍺材料領域，具體地涉及一種鍺單晶的檢測方法。
技術介紹
1、在半導體樣片長度方向施加一個電壓，并在寬度方向施加一個磁場，由于磁場作用，因此會在高度方向產(chǎn)生一個洛倫茲力，這個現(xiàn)象被成為霍爾效應；洛倫茲力會使得在半導體樣片中運動的載子在試片的上方積累，因此會使得試片上下面(高度方向)產(chǎn)生一個電場，電場所產(chǎn)生的電力會和洛倫茲力達成平衡，利用此現(xiàn)象對半導體樣片進行霍爾檢測。
2、在進行低溫霍爾檢測時，對樣品及電極接觸要求較高，比如包括：樣品厚度要均勻，樣品表面平整，無孔洞、溝槽，電極接觸位置應處于樣品邊緣位置，電極接觸點的面積要夠小等。
3、在鍺的霍爾檢測領域，目前常規(guī)的檢測方法，首先是切割獲得一個厚度小于1mm的樣片，然后再將樣片切割成小的正方形樣品，最后在樣品的四個角點銦制作電極進行霍爾檢測，例如已公開的中國專利cn114577561a、cn114235899a都采用類似的方法；雖然較薄的樣片溫度容易快速降至77k，檢測效率更高，但是使用線切割機切割晶體取樣時，難免存在厚度誤差，樣品厚度越薄，樣片厚度誤差對測試結果影響越大，這對檢測結果準確性是不利的。
4、超高純鍺作為高純材料的巔峰之作，其載流子濃度小于2e10/cm3，純度可以達到13n，電阻率更是可以達到幾千至幾萬，如此特殊的高阻材料對霍爾檢測方法及檢測設備要求極高，目前使用的檢測方法及設備，容易出現(xiàn)檢測結果不穩(wěn)定，可重復性差等現(xiàn)象，甚至檢測結果準確性都無法保證。
技術實現(xiàn)思路
1、鑒
2、由此，一種鍺單晶的檢測方法包括步驟：s1，準備鍺單晶的樣片；s2，在樣片上制作四個歐姆電極；s3，使霍爾檢測夾具的四個探針分別接觸四個歐姆電極；s4，啟動霍爾檢測儀進行檢測。其中，在步驟s1中，樣片在四個側面分別設有四個凹口；在步驟s2中，四個歐姆電極分別形成在四個凹口中；在步驟s3中，霍爾檢測夾具的各探針分別對著樣片的對應側面扎入對應的凹口中的歐姆電極。
3、本公開的有益效果如下：在根據(jù)本公開的鍺單晶的檢測方法中，由于四個歐姆電極分別形成在四個凹口中，但霍爾檢測夾具的各探針分別對著樣片的對應側面扎入對應的凹口中的歐姆電極時，各探針扎入歐姆電極的部分與歐姆電極形成點接觸，因霍爾檢測夾具的各探針的末端在形狀尺寸上相同、操作行程相同，這樣在扎入歐姆電極、末端點接觸歐姆電極時，點接觸的接觸面達到相同，這樣，霍爾檢測儀的檢測結果可重復性、穩(wěn)定性、準確性均得到保證。
本文檔來自技高網(wǎng)...【技術保護點】
1.一種鍺單晶的檢測方法，包括步驟：
2.根據(jù)權利要求1所述的鍺單晶的檢測方法，其特征在于，
3.根據(jù)權利要求1所述的鍺單晶的檢測方法，其特征在于，
4.根據(jù)權利要求1所述的鍺單晶的檢測方法，其特征在于，
5.根據(jù)權利要求1所述的鍺單晶的檢測方法，其特征在于，
6.根據(jù)權利要求5所述的鍺單晶的檢測方法，其特征在于，
7.根據(jù)權利要求6所述的鍺單晶的檢測方法，其特征在于，
8.根據(jù)權利要求5所述的鍺單晶的檢測方法，其特征在于，
9.根據(jù)權利要求1所述的鍺單晶的檢測方法，其特征在于，
10.根據(jù)權利要求9所述的鍺單晶的檢測方法，其特征在于，
【技術特征摘要】
1.一種鍺單晶的檢測方法，包括步驟：
2.根據(jù)權利要求1所述的鍺單晶的檢測方法，其特征在于，
3.根據(jù)權利要求1所述的鍺單晶的檢測方法，其特征在于，
4.根據(jù)權利要求1所述的鍺單晶的檢測方法，其特征在于，
5.根據(jù)權利要求1所述的鍺單晶的檢測方法，其特征在于，
6....
【專利技術屬性】
技術研發(fā)人員：牛曉東，黃茹平，趙青松，狄聚青，顧小英，
申請(專利權)人：安徽光智科技有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
還沒有人留言評論。發(fā)表了對其他瀏覽者有用的留言會獲得科技券。