【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及聚烯烴基膜，具體的，涉及一種消除聚烯烴基膜定向結晶的方法。
技術介紹
1、聚烯烴基膜，如聚乙烯（pe）薄膜，在包裝、電池隔膜、電子材料等領域具有廣泛應用。然而，傳統聚烯烴基膜在制備過程中常需進行橫縱向拉伸以增強其物理性能，這一步驟雖能顯著提升薄膜的某些性能，但同時也導致了薄膜內部出現橫縱向的定向結晶，定向結晶不均勻會使得薄膜在受到外力作用時極易沿拉伸方向發生撕裂，導致薄膜的針刺強度降低，大大限制了其應用范圍和壽命。
2、為解決上述問題，業界一直在尋找提升聚烯烴基膜性能的新方法，以消除聚烯烴基膜的定向結晶的問題，提高聚烯烴基膜的針刺強度。
技術實現思路
1、本專利技術提出一種消除聚烯烴基膜定向結晶的方法，解決了相關技術中聚烯烴基膜由于存在定向結晶導致聚烯烴基膜的針刺強度較差的問題。
2、本專利技術的技術方案如下：
3、本專利技術提出一種消除聚烯烴基膜定向結晶的方法，包括以下步驟：
4、s1、光引發劑預處理：將光引發劑和第一溶劑油進行混合，加熱熔融，得到預混液；
5、s2、將所述預混液和第二溶劑油進行混合，得到混合液；
6、s3、將聚烯烴樹脂熔融后和所述混合液混合，擠出成膜，交聯，得到聚烯烴基膜；
7、所述第一溶劑油和第二溶劑油各自獨立地包括礦物油。
8、作為進一步的技術方案，所述聚烯烴基膜的厚度為3~9μm。
9、作為進一步的技術方案，所述光引發劑包括2-異丙基硫
10、作為進一步的技術方案，所述光引發劑為質量比1:9~9:1的2,4-二乙基硫雜蒽酮和2,4,6-三甲基苯甲酰基-二苯基氧化膦。
11、本專利技術中，光引發劑采用2,4-二乙基硫雜蒽酮和2,4,6-三甲基苯甲酰基-二苯基氧化膦進行協同復配，進一步提高了聚烯烴基膜的針刺強度和耐熱性。
12、作為進一步的技術方案，所述光引發劑為質量比5:1~5的2,4-二乙基硫雜蒽酮和2,4,6-三甲基苯甲酰基-二苯基氧化膦。
13、本專利技術中，在聚烯烴基膜中，光引發劑采用質量比為5:1~5的2,4-二乙基硫雜蒽酮和2,4,6-三甲基苯甲酰基-二苯基氧化膦，進一步提高了聚烯烴基膜的針刺強度和耐熱性。
14、作為進一步的技術方案，所述第一溶劑油和第二溶劑油的質量和與聚烯烴樹脂、光引發劑的質量比為70~85:15~30:0.001~0.02；
15、所述第一溶劑油和第二溶劑油的質量比為1:1~3；
16、所述聚烯烴樹脂的重均分子量為60萬~80萬。
17、作為進一步的技術方案，步驟s3中，所述混合時還加入了二氧化硅；所述二氧化硅和聚烯烴樹脂的質量比為8~15:100。
18、作為進一步的技術方案，所述二氧化硅為改性劑改性二氧化硅；所述改性劑包括乙酰胺苯砜。
19、本專利技術中，在聚烯烴基膜中還加入了由乙酰胺苯砜改性后的二氧化硅，進一步提高了聚烯烴基膜的針刺強度和耐熱性。
20、作為進一步的技術方案，所述改性劑包括質量比為8:2~5的乙酰胺苯砜和硅烷偶聯劑。
21、作為進一步的技術方案，所述硅烷偶聯劑包括十二烷基三甲氧基硅烷、十六烷基三甲氧基硅烷中的一種或兩種。
22、本專利技術中，改性劑改性二氧化硅時，改性劑采用乙酰胺苯砜和硅烷偶聯劑協同，進一步提高了聚烯烴基膜的針刺強度和耐熱性。
23、作為進一步的技術方案，所述改性劑改性二氧化硅的制備方法包括以下步驟：將二氧化硅和改性劑在溶劑中進行混合，干燥，得到改性劑改性二氧化硅；
24、所述二氧化硅、改性劑、溶劑的質量比為10:1:40~50。
25、本專利技術的工作原理及有益效果為：
26、本專利技術中，制備聚烯烴基膜時，先對光引發劑進行預處理，再通過光引發劑在基膜內部引發的交聯反應，有效消除了傳統拉伸工藝導致的橫縱向定向結晶現象，使基膜在受到外力作用時不易發生撕裂；同時交聯反應的發生使得基膜分子鏈間形成了更為緊密的網狀結構，從而顯著提升了基膜的耐穿刺性能、拉伸強度、撕裂強度；光引發劑的均勻分布和有效交聯反應還有效降低了基膜在加工過程中的變形和收縮率，提高了產品的尺寸穩定性和加工效率顯著提高了聚烯烴基膜的針刺強度和耐熱性，綜合性能優異，可廣泛應用于對材料強度、韌性、耐熱性有更高要求的包裝、電池隔膜、電子材料等領域，對于推動聚烯烴基膜材料的性能提升和應用拓展具有重要意義。
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1.一種消除聚烯烴基膜定向結晶的方法，其特征在于，包括以下步驟：
2.根據權利要求1所述的一種消除聚烯烴基膜定向結晶的方法，其特征在于，所述聚烯烴基膜的厚度為3~9μm。
3.根據權利要求1所述的一種消除聚烯烴基膜定向結晶的方法，其特征在于，所述光引發劑包括2-異丙基硫雜蒽酮、2,4-二乙基硫雜蒽酮、2,4,6-三甲基苯甲酰基-二苯基氧化膦、4-氯二苯甲酮、4,4-雙(二乙氨基)苯甲酮、2-乙基蒽醌、1-羥基環己基苯基甲酮、2-羥基-2-甲基-1-苯基-1-丙酮等中的一種或多種。
4.根據權利要求3所述的一種消除聚烯烴基膜定向結晶的方法，其特征在于，所述光引發劑為質量比1:9~9:1的2,4-二乙基硫雜蒽酮和2,4,6-三甲基苯甲酰基-二苯基氧化膦。
5.根據權利要求4所述的一種消除聚烯烴基膜定向結晶的方法，其特征在于，所述光引發劑為質量比5:1~5的2,4-二乙基硫雜蒽酮和2,4,6-三甲基苯甲酰基-二苯基氧化膦。
6.根據權利要求1所述的一種消除聚烯烴基膜定向結晶的方法，其特征在于，所述第一溶劑油和第二溶劑油的質量和
7.根據權利要求1所述的一種消除聚烯烴基膜定向結晶的方法，其特征在于，步驟S3中，所述混合時還加入了二氧化硅；所述二氧化硅和聚烯烴樹脂的質量比為8~15:100。
8.根據權利要求7所述的一種消除聚烯烴基膜定向結晶的方法，其特征在于，所述二氧化硅為改性劑改性二氧化硅；所述改性劑包括乙酰胺苯砜。
9.根據權利要求8所述的一種消除聚烯烴基膜定向結晶的方法，其特征在于，所述改性劑包括質量比為8:2~5的乙酰胺苯砜和硅烷偶聯劑。
10.根據權利要求8~9任意一項所述的一種消除聚烯烴基膜定向結晶的方法，其特征在于，所述改性劑改性二氧化硅的制備方法包括以下步驟：將二氧化硅和改性劑在溶劑中進行混合，干燥，得到改性劑改性二氧化硅；
...【技術特征摘要】
1.一種消除聚烯烴基膜定向結晶的方法，其特征在于，包括以下步驟：
2.根據權利要求1所述的一種消除聚烯烴基膜定向結晶的方法，其特征在于，所述聚烯烴基膜的厚度為3~9μm。
3.根據權利要求1所述的一種消除聚烯烴基膜定向結晶的方法，其特征在于，所述光引發劑包括2-異丙基硫雜蒽酮、2,4-二乙基硫雜蒽酮、2,4,6-三甲基苯甲酰基-二苯基氧化膦、4-氯二苯甲酮、4,4-雙(二乙氨基)苯甲酮、2-乙基蒽醌、1-羥基環己基苯基甲酮、2-羥基-2-甲基-1-苯基-1-丙酮等中的一種或多種。
4.根據權利要求3所述的一種消除聚烯烴基膜定向結晶的方法，其特征在于，所述光引發劑為質量比1:9~9:1的2,4-二乙基硫雜蒽酮和2,4,6-三甲基苯甲酰基-二苯基氧化膦。
5.根據權利要求4所述的一種消除聚烯烴基膜定向結晶的方法，其特征在于，所述光引發劑為質量比5:1~5的2,4-二乙基硫雜蒽酮和2,4,6-三甲基苯甲酰基-二苯基氧化...
【專利技術屬性】
技術研發人員：袁海朝，徐鋒，賈亞峰，蘇碧海，
申請(專利權)人：河北金力新能源科技股份有限公司，
類型：發明
國別省市：
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