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    一種抑制高速永磁電機(jī)轉(zhuǎn)子永磁體表面渦流的工藝方法技術(shù)

    技術(shù)編號(hào):44495469 閱讀:5 留言:0更新日期:2025-03-04 18:02
    本發(fā)明專利技術(shù)公開(kāi)了一種抑制高速永磁電機(jī)轉(zhuǎn)子永磁體表面渦流的工藝方法,屬于電機(jī)設(shè)計(jì)領(lǐng)域;解決了電機(jī)內(nèi)部的轉(zhuǎn)子永磁體表面的發(fā)熱與退磁問(wèn)題;本發(fā)明專利技術(shù)提供一種永磁電機(jī)轉(zhuǎn)子永磁體的工藝結(jié)構(gòu),通過(guò)在永磁體表面刻淺槽,實(shí)現(xiàn)將永磁體表面的導(dǎo)體分割成小塊,抑制了電機(jī)轉(zhuǎn)子永磁體表面的大渦流的產(chǎn)生;用于降低電機(jī)內(nèi)部的熱量和損耗,還解決了永磁體的退磁問(wèn)題。

    【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】

    本專利技術(shù)涉及電機(jī)設(shè)計(jì)領(lǐng)域,具體涉及一種抑制高速永磁電機(jī)轉(zhuǎn)子永磁體表面渦流的工藝方法。


    技術(shù)介紹

    1、渦流與一般電流一樣,會(huì)產(chǎn)生熱效應(yīng),產(chǎn)生的熱量值符合焦耳定律。用于增強(qiáng)線圈磁性的鐵芯(磁導(dǎo)率大)?,在工作時(shí)就會(huì)產(chǎn)生渦流,使自身發(fā)熱,浪費(fèi)能量,甚至影響設(shè)備的工作。因此,在電機(jī)、發(fā)電機(jī)、變壓器、交流電磁鐵等設(shè)備的鐵芯材料中,不采用整個(gè)鐵芯,而是采用表面涂有絕緣漆的硅鋼片,這是因?yàn)楣桎摵?~5%的硅可以提高鐵芯的電阻率。

    2、高速永磁電機(jī)的轉(zhuǎn)子外觀如圖1所示,在轉(zhuǎn)子鐵芯圓柱體的表面是永磁體。高速永磁電機(jī)的永磁體轉(zhuǎn)子在旋轉(zhuǎn)過(guò)程中,由于永磁體具有導(dǎo)電特性,因此在定轉(zhuǎn)子氣隙諧波磁場(chǎng)的作用下,會(huì)在永磁體上感應(yīng)出渦流,渦流i與永磁體的等效電阻r產(chǎn)生熱效應(yīng),表示為q=i2r?。渦流感應(yīng)出與諧波磁場(chǎng)反向的磁場(chǎng),對(duì)諧波磁場(chǎng)起到屏蔽作用,使渦流的強(qiáng)度隨永磁體的深度遞減,大部分渦流局限在永磁體的表面,諧波的頻率越高,渦流作用的深度越淺。渦流產(chǎn)生的熱效應(yīng)使永磁體的溫度升高,剩磁降低,氣隙磁密減小,電機(jī)的功率減小,效率降低,嚴(yán)重時(shí)可以對(duì)永磁體發(fā)生不可逆的退磁作用,所以高速永磁電機(jī)轉(zhuǎn)子表面的渦流越弱越好。


    技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

    1、本專利技術(shù)旨在解決高速永磁電機(jī)永磁體轉(zhuǎn)子表面的大渦流帶來(lái)的高溫與退磁的后果。

    2、為此,本專利技術(shù)公開(kāi)了一種抑制高速永磁電機(jī)轉(zhuǎn)子永磁體表面渦流的工藝方法,是在所述高速永磁電機(jī)的永磁體轉(zhuǎn)子的圓柱表面沿軸向刻淺槽,所述的淺槽在轉(zhuǎn)子永磁體的外表面均勻分布。

    3、優(yōu)選的是,所述淺槽的深度在1mm以下,間隔3mm以上。

    4、優(yōu)選的是,?所述淺槽的寬度為0.05-0.2mm,深度為0.5-1mm。

    5、更為具體的是,所述淺槽的寬度為0.2mm,深度為1mm,間隔為5mm。

    6、優(yōu)選的是,所述的淺槽在加工永磁體轉(zhuǎn)子表面時(shí),用線切割加工出等間距的沿軸向的淺槽。

    7、上述技術(shù)方案實(shí)施后,都能很好地抑制高速永磁電機(jī)轉(zhuǎn)子表面的渦流損耗,因?yàn)檗D(zhuǎn)子永磁體表面刻槽后,永磁體表面導(dǎo)體分割成小塊,等效電阻很大,將永磁體表面渦流限制在很小的薄片區(qū)域內(nèi),以此降低了總體渦流損耗,減小發(fā)熱,降低能耗,提高效率,降低永磁體退磁的風(fēng)險(xiǎn)。

    本文檔來(lái)自技高網(wǎng)...

    【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】

    1.一種抑制高速永磁電機(jī)轉(zhuǎn)子永磁體表面渦流的工藝方法,其特征在于,在所述高速永磁電機(jī)的轉(zhuǎn)子永磁體的圓柱表面沿軸向刻淺槽,所述的淺槽在轉(zhuǎn)子永磁體的外表面均勻分布。

    2.如權(quán)利要求1所述的抑制高速永磁電機(jī)轉(zhuǎn)子永磁體表面渦流的工藝方法,其特征在于,所述淺槽的深度在1mm以下,間隔3mm以上。

    3.如權(quán)利要求2所述的抑制高速永磁電機(jī)轉(zhuǎn)子永磁體表面渦流的工藝方法,其特征在于,所述淺槽的寬度為0.05-0.2mm,深度為0.5-1mm。

    4.如權(quán)利要求3所述的抑制高速永磁電機(jī)轉(zhuǎn)子永磁體表面渦流的工藝方法,其特征在于,所述淺槽的寬度為0.2mm,深度為1mm,間隔為5mm。

    5.如上任一權(quán)利要求所述的抑制高速永磁電機(jī)轉(zhuǎn)子永磁體表面渦流的工藝方法,其特征在于,所述的淺槽在加工永磁體轉(zhuǎn)子表面時(shí),用線切割加工出等間距的沿軸向的淺槽。

    6.如上任一權(quán)利要求所述的抑制高速永磁電機(jī)轉(zhuǎn)子永磁體表面渦流的工藝方法,其特征在于,所述的均勻分布的淺槽是用激光切割出來(lái)的。

    【技術(shù)特征摘要】

    1.一種抑制高速永磁電機(jī)轉(zhuǎn)子永磁體表面渦流的工藝方法,其特征在于,在所述高速永磁電機(jī)的轉(zhuǎn)子永磁體的圓柱表面沿軸向刻淺槽,所述的淺槽在轉(zhuǎn)子永磁體的外表面均勻分布。

    2.如權(quán)利要求1所述的抑制高速永磁電機(jī)轉(zhuǎn)子永磁體表面渦流的工藝方法,其特征在于,所述淺槽的深度在1mm以下,間隔3mm以上。

    3.如權(quán)利要求2所述的抑制高速永磁電機(jī)轉(zhuǎn)子永磁體表面渦流的工藝方法,其特征在于,所述淺槽的寬度為0.05-0.2mm,深度為0.5-1mm。<...

    【專利技術(shù)屬性】
    技術(shù)研發(fā)人員:王雪董建新
    申請(qǐng)(專利權(quán))人:精效懸浮蘇州科技有限公司,
    類型:發(fā)明
    國(guó)別省市:

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