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    一種LED恒流驅動芯片和照明裝置制造方法及圖紙

    技術編號:44493078 閱讀:3 留言:0更新日期:2025-03-04 17:59
    本發明專利技術涉及LED照明技術領域,公開了一種LED恒流驅動芯片和照明裝置,LED恒流驅動芯片包括比較器CMP、脈沖產生單元、加法器、第一電流控制單元和第二電流控制單元,照明裝置包括LED恒流驅動芯片、整流單元、儲能電容CAP和負載LED單元;在實際使用時,本發明專利技術的照明裝置無需使用電阻進行母線電壓檢測就能對CAP充電電流做反向補償產生峰值電流的效果,這樣在多個芯片并聯時不用使用跳線電阻來將檢測到的母線電壓傳遞給各個芯片,從而節約了照明裝置中多個芯片并聯時的應用成本,而且由于跳線電阻的減小還增加了儲能電容CAP的負端與其它節點爬電距離,增加了照明裝置的可靠性。

    【技術實現步驟摘要】

    本專利技術涉及led照明,具體涉及一種led恒流驅動芯片和照明裝置。


    技術介紹

    1、在led驅動電路中,常會采用線性恒流驅動控制芯片(以下簡稱芯片)來確保流過led或者負載的電流恒定,其中單個芯片的電路如圖1所示。

    2、在圖1中,芯片內部電路為了降低芯片面積一般包括電流控制模塊1、電流控制模塊2、高壓供電模塊以及基準模塊。另外芯片的引腳包括充電電流輸入的引腳drc、負載電流輸入的引腳drn、第一輸出引腳csc、第二輸出引腳csn和前饋信號輸入的引腳det;

    3、其中引腳drc腳電連接儲能電容cap的負端,csc引腳接采樣電阻rcsc一端,電阻rcsc的另一端接地,用于調節流過儲能電容cap的電流大?。?/p>

    4、引腳drn與負載led的負端連接,引腳csn接電阻rcsn一端,電阻rcsn的另一端接地,用于負載的電流大小。

    5、當輸入電壓vin(θ)的絕對值|vin(θ)|大于儲能電容cap兩端電壓(以下簡稱vcap)時,母線電壓vbus給led供電,led的負端即芯片的引腳drn也給芯片供電(理論上led的電流等于芯片的供電電流加電流控制模塊2控制的電流,但由于前者只占后者不到0.5%,所以led電流都忽略芯片的供電電流),同時母線電壓vbus可給儲能電容cap充電,充電電流有電流控制模塊1控制。

    6、當|vin(θ)|小于vcap后,儲能電容cap反過來給led提供電源即由儲能電容cap放電提供led工作和芯片工作,儲能電容cap電流從母線流出,從芯片的地端進過mos管q1回到儲能電容cap的負端。

    7、當|vin(θ)|再次大于vcap后,則母線電壓vbus給led與芯片供電和儲能電容cap充電。顯然輸入電流為|vin(θ)|大于vcap時,led的電流和cap的充電電流之和。

    8、目前為了滿足在輸入電壓的65度相位前電網的輸入電流(以下簡稱輸入電流)達到最大,所以芯片引入了vbus反向補償充電電流,母線電壓被電阻r1和電阻r2分壓后連接至引腳det,引腳det的電壓被基準電壓減去后傳遞至電流控制模塊中的運算放大器的正向輸入端,所以儲能電容cap的電流在電壓被充電時會隨母線電壓vbus的升高而減小即母線電壓作為反向補償信號疊加在充電電流上。而分壓電容c1的作用是將這個反向補償相對于母線電壓vbus做適當的相位延遲,如此母線電壓vbus上升沿的補償就快于下降沿的補償。

    9、現有單顆芯片的驅動功率在5w~12w之間,對于一些更大的應用場合,往往需要多顆的芯片并聯使用以便分擔功耗,多個芯片并聯的電路圖如圖2所示。另外考慮到散熱效果,整個電路的元件(除輸入電源)常通過貼片焊接的方式將焊接在單面覆銅的鋁基板的同一面上,具體如圖3所示。

    10、對于圖3結構,利用檢測母線電壓vbus對充電電路進行反向補償的方式必然導致多個芯片并聯使用時部分電路的連線須通過貼片電阻用作跳線,其中圖3中的跳線電阻就是圖2中圓弧導線部分。而采用跳線電阻存在以下問題:

    11、首先增加了制造成本,其次跳線電阻引腳本體和焊盤都減小了與高壓節點的間距,減小了產品長期使用的可靠性和存在浪涌電壓時節點之間的爬電距離。


    技術實現思路

    1、鑒于
    技術介紹
    的不足,本專利技術是提供了一種led恒流驅動芯片和照明裝置,所要解決的技術問題是現有led恒流驅動芯片在并聯使用時由于需要使用貼片電阻,存在成本高的可靠性差的問題。

    2、為解決以上技術問題,第一方面,本專利技術提供了如下技術方案:一種led恒流驅動芯片,包括比較器cmp、脈沖產生單元、加法器、第一電流控制單元和第二電流控制單元;

    3、所述比較器cmp的正輸入端和第一電流控制單元的輸入端電連接,所述比較器cmp的負輸入端用于輸入第一基準電壓;

    4、所述比較器cmp的輸出端與所述脈沖產生單元電連接,所述脈沖產生單元在接收到從低電平變為高電平的觸發信號后向加法器的一個輸入端輸入脈沖信號,所述加法器的另一個輸入端用于第二基準電壓,所述加法器的輸出端與所述第一電流控制單元的控制端電連接;

    5、所述第二電流控制單元的控制端用于接入所述第二基準電壓,所述第二電流控制單元的輸入端用于外接負載。

    6、第二方面,本專利技術提供了另一種結構的led恒流驅動芯片,包括比較器cmp、脈沖產生單元、加法器、第一電流控制單元和第二電流控制單元;

    7、所述比較器cmp的正輸入端和第一電流控制單元的輸出端電連接,所述比較器cmp的負輸入端用于輸入第一基準電壓;

    8、所述比較器cmp的輸出端與所述脈沖產生單元電連接,所述脈沖產生單元在接收到從低電平變為高電平的觸發信號后向加法器的一個輸入端輸入脈沖信號,所述加法器的另一個輸入端用于第二基準電壓,所述加法器的輸出端與所述第一電流控制單元的控制端電連接;

    9、所述第二電流控制單元的控制端用于接入所述第二基準電壓,所述第二電流控制單元的輸入端用于外接負載。

    10、在某種實施方式中,本專利技術還包括高壓供電單元和基準單元,所述高壓供電單元與所述第二電流控制單元的輸入端電連接,所述基準單元與所示高壓供電單元的輸出端電連接,基于所述高壓供電單元輸出的電壓生成所述第一基準電壓和第二基準電壓。

    11、在某種實施方式中,所述第一電流控制單元包括運算放大器ea1和mos管q1,所述運算放大器ea1的正極為第一電流控制單元的控制端,所述運算放大器ea1的負極與mos管q1的源極電連接,mos管q1的源極為第一電流控制單元的輸出端,所述運算放大器ea1的輸出端與mos管q1的柵極電連接,所述mos管q1的漏極為第一電流控制單元的輸入端。

    12、在某種實施方式中,所述第二電流控制單元包括運算放大器ea2和mos管q2,所述運算放大器ea2的正極為第二電流控制單元的控制端,所述運算放大器ea2的負極與mos管q2的源極電連接,mos管q2的源極為第二電流控制單元的輸出端,所述運算放大器ea2的輸出端與mos管q2的柵極電連接,所述mos管q2的漏極為第二電流控制單元的輸入端。

    13、在某種實施方式中,本專利技術還包括芯片本體,所述比較器cmp、脈沖產生單元、加法器、第一電流控制單元、第二電流控制單元、高壓供電單元和基準單元均設置在所述芯片本體上;

    14、所述芯片本體上還設有引腳drc、引腳drn、引腳csc、引腳csn和接地引腳,所述第一電流控制單元的輸入端和所述引腳drc電連接,所述第二電流控制單元的輸入端和所述引腳drn電連接,所述第一電流控制單元的輸出端與所述引腳csc電連接,所述第二電流控制單元的輸出端和所述引腳csn電連接,所述接地引腳用于和電路的中的接地端子電連接。

    15、在某種實施方式中,所述第一電流控制單元和第二電流控制單元在所述芯片本體上左右分布,所述引腳drc和接地引腳位于芯片本體上側,所述引腳csc、引腳csn和引腳drn位于芯片本體下側。

    本文檔來自技高網...

    【技術保護點】

    1.一種LED恒流驅動芯片,其特征在于,包括比較器CMP、脈沖產生單元、加法器、第一電流控制單元和第二電流控制單元;

    2.一種LED恒流驅動芯片,其特征在于,包括比較器CMP、脈沖產生單元、加法器、第一電流控制單元和第二電流控制單元;

    3.根據權利要求1或2所述的一種LED恒流驅動芯片,其特征在于,還包括高壓供電單元和基準單元,所述高壓供電單元與所述第二電流控制單元的輸入端電連接,所述基準單元與所示高壓供電單元的輸出端電連接,基于所述高壓供電單元輸出的電壓生成所述第一基準電壓和第二基準電壓。

    4.根據權利要求1或2或3所述的一種LED恒流驅動芯片,其特征在于,所述第一電流控制單元包括運算放大器EA1和MOS管Q1,所述運算放大器EA1的正極為第一電流控制單元的控制端,所述運算放大器EA1的負極與MOS管Q1的源極電連接,MOS管Q1的源極為第一電流控制單元的輸出端,所述運算放大器EA1的輸出端與MOS管Q1的柵極電連接,所述MOS管Q1的漏極為第一電流控制單元的輸入端。

    5.根據權利要求4所述的一種LED恒流驅動芯片,其特征在于,所述第二電流控制單元包括運算放大器EA2和MOS管Q2,所述運算放大器EA2的正極為第二電流控制單元的控制端,所述運算放大器EA2的負極與MOS管Q2的源極電連接,MOS管Q2的源極為第二運算放大單元的輸出端,所述運算放大器EA2的輸出端與MOS管Q2的柵極電連接,所述MOS管Q2的漏極為第二電流控制單元的輸入端。

    6.根據權利要求5所述的一種LED恒流驅動芯片,其特征在于,還包括芯片本體,所述比較器CMP、脈沖產生單元、加法器、第一電流控制單元、第二電流控制單元、高壓供電單元和基準單元均設置在所述芯片本體上;

    7.根據權利要求6所述的一種LED恒流驅動芯片,其特征在于,所述第一電流控制單元和第二電流控制單元在所述芯片本體上左右分布,所述引腳DRC和接地引腳位于芯片本體上側,所述引腳CSC、引腳CSN和引腳DRN位于芯片本體下側。

    8.一種照明裝置,其特征在于,包括至少一個權利要求7所述的LED恒流驅動芯片,還包括整流單元、儲能電容CAP和負載LED單元,所述負載LED單元包括N個LED燈,N為正整數,當N大于1時,所有LED燈依次串聯;

    9.根據權利要求8所述的一種照明裝置,其特征在于,還包括PCB板,所有LED恒流驅動芯片、整流單元、儲能電容CAP和負載LED單元均單面焊接在PCB板一側面上,所述負載LED單元位于PCB板的一側面的右側,所述儲能電容CAP和所有LED恒流驅動芯片在所述負載LED單元左側,且從下往上依次設置,所述整流單元在所述儲能電容CAP左側。

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    【技術特征摘要】

    1.一種led恒流驅動芯片,其特征在于,包括比較器cmp、脈沖產生單元、加法器、第一電流控制單元和第二電流控制單元;

    2.一種led恒流驅動芯片,其特征在于,包括比較器cmp、脈沖產生單元、加法器、第一電流控制單元和第二電流控制單元;

    3.根據權利要求1或2所述的一種led恒流驅動芯片,其特征在于,還包括高壓供電單元和基準單元,所述高壓供電單元與所述第二電流控制單元的輸入端電連接,所述基準單元與所示高壓供電單元的輸出端電連接,基于所述高壓供電單元輸出的電壓生成所述第一基準電壓和第二基準電壓。

    4.根據權利要求1或2或3所述的一種led恒流驅動芯片,其特征在于,所述第一電流控制單元包括運算放大器ea1和mos管q1,所述運算放大器ea1的正極為第一電流控制單元的控制端,所述運算放大器ea1的負極與mos管q1的源極電連接,mos管q1的源極為第一電流控制單元的輸出端,所述運算放大器ea1的輸出端與mos管q1的柵極電連接,所述mos管q1的漏極為第一電流控制單元的輸入端。

    5.根據權利要求4所述的一種led恒流驅動芯片,其特征在于,所述第二電流控制單元包括運算放大器ea2和mos管q2,所述運算放大器ea2的正極為第二電流控制單元的控制端,所述運算放大器ea2的負極與mos管q2的源極電連接,mos管...

    【專利技術屬性】
    技術研發人員:顧杰,
    申請(專利權)人:江蘇源微半導體科技有限公司,
    類型:發明
    國別省市:

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