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    陶瓷基座制造技術
    
                            
    技術編號：44481715 閱讀：2 留言：0更新日期：2025-03-04 17:48
    
                        
    
                        
    
                            
                            本發明專利技術涉及一種陶瓷基座，本發明專利技術的陶瓷基座可包括：基材，具有用于供應冷卻氣體的冷卻氣體流路；絕緣板，固定在所述基材上，具有在厚度方向上貫通的氣孔；以及放電防止銷，插入至所述氣孔中，并且沿著所述氣孔的長度方向延伸。
    
                            
                            
    


    
                            

                            
    【技術實現步驟摘要】
    
                                
    本專利技術涉及一種陶瓷基座，尤其，涉及一種氣孔的異常放電防止銷。

    技術介紹
    1、通常，半導體裝置或顯示裝置是將包括介電層及金屬層的多個薄膜層依次層疊在玻璃基板、柔性基板或半導體晶圓基板上，然后通過圖案化的半導體工藝來制造。尤其，在反應離子刻蝕(reactive?ion?etching，rie)設備等中，可設置有陶瓷基座，用于支撐玻璃基板、柔性基板及半導體晶圓基板等并用于圖案化的干蝕刻工藝等。所述陶瓷基座設置有高頻(rf)電極，因此也可在形成于基板上的薄膜層的蝕刻工藝(etching?process)等中用于形成等離子體。進而，所述陶瓷基座還可設置有用于支撐基板的吸盤電極或用于加熱基板的發熱線等。
    2、圖1a至圖1c是用于說明現有陶瓷基座的問題的圖。圖1a及圖1b是示出在現有陶瓷基座的干蝕刻工序等中在氣孔部分中發生的電弧(arcing)的實例的圖。圖1c是示出插入現有陶瓷基座的氣孔中的放電防止銷的磨損狀態的圖。
    3、參照圖1a至圖1c，通常，陶瓷基座的壽命為5000小時～15000小時，根據使用環境，可使用約10個月～30個月。此時，適用于陶瓷基座的氣孔部分的放電防止銷長期暴露在等離子體中并產生如圖1c所示的磨損。由此，當通常以小于1mm的直徑插入到直徑為1mm以下的氣孔中的所述放電防止銷的耐等離子體特性欠佳時，如圖1a及圖1b所示，存在嚴重磨損以致誘發電弧的問題。這決定了陶瓷基座的壽命，因此需要對其進行改善。

    技術實現思路
    1、專利技術要解決的問題
    <p>2、因此，本專利技術是為了解決上述問題而提出的，本專利技術的目的在于，提供一種陶瓷基座，所述陶瓷基座可通過改善氣孔的放電防止銷的耐等離子體特性來減少電弧的發生并提高陶瓷基座的壽命。
    3、用于解決問題的手段
    4、首先，概括本專利技術的特征，用于實現所述目的的本專利技術的一方面的陶瓷基座可包括：基材，具有用于供應冷卻氣體的冷卻氣體流路；絕緣板，固定在所述基材上，具有在厚度方向上貫通的氣孔；以及放電防止銷，插入至所述氣孔中，并且沿著所述氣孔的長度方向延伸。
    5、所述放電防止銷優選由體積電阻在1e14ωcm～1e15ωcm范圍內的材料制成。
    6、所述放電防止銷的端部剖面積可以為所述氣孔的剖面積的50％～90％。
    7、所述放電防止銷可以包括al2o3-sic復合材料。
    8、在所述al2o3-sic復合材料中，可優選包含3wt％～10wt％的sic。
    9、所述al2o3-sic復合材料在常溫下的體積電阻可優選為1e15ωcm以上，在200℃的溫度下體積電阻為1e14ωcm以上。
    10、所述放電防止銷可插入直徑為1mm以下的所述氣孔中。
    11、所述陶瓷基座可包括位于所述絕緣板內的電極層，所述電極層可包括靜電吸盤電極、高頻電極、或發熱線中的一種以上。
    12、專利技術效果
    13、根據本專利技術的陶瓷基座，作為一種氣孔的放電防止銷的材料，可使用在al2o3中混合有3wt％～10wt％的sic的材料，使等離子體蝕刻率保持在0.02μm/分鐘～0.1μm/分鐘范圍內，并且使材料的體積電阻在常溫下為1e15ωcm以上，在200℃的溫度下為1e14ωcm以上，由此來改善耐等離子體特性，并提高陶瓷基座的壽命。即，本專利技術的所述放電防止銷通過耐等離子體特性的改善而不會磨損，因此不會在氣孔中形成電子加速的空間，從而不會引起異常放電。另外，可通過保持上述材料的體積電阻，來防止在高電阻時可誘發異常放電的高電位差的發生，并且防止在低電阻時可誘發異常放電的電流增加。
    本文檔來自技高網    ...
                            
    
                            
    【技術保護點】
    
                                
    1.一種陶瓷基座，其特征在于，
    2.根據權利要求1所述的陶瓷基座，其特征在于，
    3.根據權利要求1所述的陶瓷基座，其特征在于，
    4.根據權利要求1所述的陶瓷基座，其特征在于，
    5.根據權利要求1所述的陶瓷基座，其特征在于，
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    7.根據權利要求1所述的陶瓷基座，其特征在于，
    
                            
    
                            
    【技術特征摘要】
    
                                
    1.一種陶瓷基座，其特征在于，
    2.根據權利要求1所述的陶瓷基座，其特征在于，
    3.根據權利要求1所述的陶瓷基座，其特征在于，
    4.根據權利要求1所述的陶瓷基座...
                            
    
                            
    【專利技術屬性】
    
                                技術研發人員：趙美娜，金恩妃，
    
        申請(專利權)人：美科陶瓷科技有限公司，
    
        類型：發明
    
        國別省市：
    
                            
    
                            
                        
    
                    
    
                    
                    
                     
                
    
                
                
    
                    
    
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