【技術實現步驟摘要】
本公開涉及一種多層電容器。
技術介紹
1、近來，隨著電子裝置已經迅速變得多功能化和小型化，電子部件的尺寸也隨著性能的提高而迅速減小。此外，對汽車、網絡設備等中使用的電氣裝置以及工業用的電子部件的高可靠性的要求大幅增加。
2、為了滿足這樣的市場需求，諸如電感器、電容器或電阻器的無源部件的技術開發的競爭正在加速。特別是對于作為無源部件并且其使用和用途不斷增加的多層電容器，需要做出很多努力來通過開發多層電容器(例如，多層陶瓷電容器(mlcc))的各種產品來占據市場。
3、此外，多層電容器通過堆疊介電層和內電極來制造，并且用于各種電子裝置，諸如，移動電話、膝上型計算機、電視機(tv)(包括液晶顯示器(lcd))等。
4、隨著近來技術的進步，要求多層電容器小型化并具有高容量，這要求減小內電極的厚度和介電層的厚度。隨著介電層的厚度減小，每層被施加的電場強度變得相對強，這導致電容器的可靠性降低，并且存在由于電極連接性的劣化而導致電容也降低的問題。
技術實現思路
1、本公開旨在提供一種能夠改善內電極的連接性并改善可靠性的多層電容器。
2、然而，本公開所要解決的問題不限定于上述問題，并且可在實施例所包括的技術思想的范圍內進行各種擴展。
3、一種多層電容器可包括：電容器主體，包括介電層和內電極；以及外電極，設置在所述電容器主體外部。
4、所述電容器主體可包括鈦(ti)和銦(in)。
5、在整個所述電容器主體中，基于10
6、所述介電層可包括包含鈦酸鋇基化合物的主成分和包含銦(in)的副成分。
7、所述內電極可包括銦(in)和除銦之外的導電金屬。
8、所述介電層可包括中央部和界面部，所述界面部位于所述中央部的表面上并接觸所述內電極。
9、當所述界面部中基于100摩爾的ti的in的摩爾含量為a并且所述中央部中基于100摩爾的ti的in的摩爾含量為b時，可滿足a＞b。
10、可滿足a≥2b。
11、a可為1.0摩爾至1.5摩爾。
12、b可為0.5摩爾至1.0摩爾。
13、所述內電極可包括中央部和界面部，所述界面部位于所述中央部的表面上并接觸所述介電層。
14、當所述界面部中基于100摩爾的ni的in的摩爾含量為c并且所述中央部中基于100摩爾的ni的in的摩爾含量為d時，可滿足c＞d。
15、可滿足c≥3d。
16、c可為0.5摩爾至1.0摩爾。
17、d可為0.05摩爾至0.5摩爾。
18、一種多層電容器可包括：電容器主體，包括介電層和內電極；以及外電極，設置在所述電容器主體外部。
19、所述多層電容器可包括鈦(ti)和銦(in)。在整個所述多層電容器中，基于100摩爾的鈦(ti)，銦(in)的含量可為0.2摩爾至4摩爾。
20、所述外電極可包括接觸所述電容器主體的燒結金屬層。
21、所述燒結金屬層可包括銦(in)和除銦之外的導電金屬。
22、所述介電層可包括中央部和界面部，所述界面部位于所述中央部的表面上并接觸所述內電極。
23、當所述界面部中基于100摩爾的ti的in的摩爾含量為a并且所述中央部中基于100摩爾的ti的in的摩爾含量為b時，可滿足a＞b。
24、可滿足a≥2b。
25、a可為1.0摩爾至1.5摩爾。
26、b可為0.5摩爾至1.0摩爾。
27、所述內電極可包括中央部和界面部，所述界面部位于所述中央部的表面上并接觸所述介電層。
28、當所述界面部中基于100摩爾的ni的in的摩爾含量為c并且所述中央部中基于100摩爾的ni的in的摩爾含量為d時，可滿足c＞d。
29、可滿足c≥3d。
30、c可為0.5摩爾至1.0摩爾。
31、d可為0.05摩爾至0.5摩爾。
32、一種多層電容器可包括：電容器主體，包括內電極和介電層，所述內電極包括銦(in)，所述介電層包括鈦(ti)和銦(in)；以及外電極，設置在所述電容器主體外部。
33、在整個所述電容器主體中，基于100摩爾的鈦(ti)，銦(in)的含量可為0.2摩爾至4摩爾。
34、銦(in)可存在于所述介電層與所述內電極之間的界面處。
35、所述介電層可包括包含鈦酸鋇基化合物的主成分。
36、所述內電極還可包括除銦之外的導電金屬。
37、所述導電金屬可包括鎳(ni)。
38、所述鈦酸鋇基化合物可包括鈦酸鋇。
39、一種多層電容器可包括：電容器主體，包括介電層和內電極；以及外電極，設置在所述電容器主體外部。
40、所述電容器主體可包括鈦(ti)和銦(in)。在整個所述電容器主體中，基于100摩爾鈦(ti)，銦(in)的含量可為0.2摩爾至4摩爾。
41、所述介電層可包括中央部和界面部，所述界面部位于所述中央部的表面上并接觸所述內電極。
42、當所述界面部中基于100摩爾的ti的in的摩爾含量為a并且所述中央部中基于100摩爾的ti的in的摩爾含量為b時，可滿足a＞b。
43、所述內電極可包括中央部和界面部，所述內電極的所述界面部位于所述內電極的所述中央部的表面上并接觸所述介電層。
44、當所述內電極的所述界面部中基于100摩爾ni的in的摩爾含量為c并且所述內電極的所述中央部中基于100摩爾ni的in的摩爾含量為d時，可滿足c＞d。
45、可滿足a≥2b且c≥3d。
46、a可為1.0摩爾至1.5摩爾，b可為0.5摩爾至1.0摩爾，c可為0.5摩爾至1.0摩爾，并且d可為0.05摩爾至0.5摩爾。
47、所述介電層可包括包含鈦酸鋇基化合物的主成分和包含銦(in)的副成分。
48、所述內電極可包括銦(in)和除銦之外的導電金屬。
49、根據根據實施例的多層電容器，可改善內電極的連接性，并且可改善可靠性。
50、本公開的各種有益優點和效果不限于以上描述，并且在描述本公開的具體實施例的過程中將更容易理解。
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1.一種多層電容器，包括：
2.根據權利要求1所述的多層電容器，其中，所述介電層包括包含鈦酸鋇基化合物的主成分和包含In的副成分。
3.根據權利要求1所述的多層電容器，其中，所述內電極包括In和除In之外的導電金屬。
4.根據權利要求1所述的多層電容器，其中：
5.根據權利要求4所述的多層電容器，其中，滿足A≥2B。
6.根據權利要求4所述的多層電容器，其中，A為1.0摩爾至1.5摩爾。
7.根據權利要求4所述的多層電容器，其中，B為0.5摩爾至1.0摩爾。
8.根據權利要求1所述的多層電容器，其中：
9.根據權利要求8所述的多層電容器，其中，滿足C≥3D。
10.根據權利要求8所述的多層電容器，其中，C為0.5摩爾至1.0摩爾。
11.根據權利要求8所述的多層電容器，其中，D為0.05摩爾至0.5摩爾。
12.一種多層電容器，包括：
13.根據權利要求12所述的多層電容器，其中：
14.根據權利要求12所述的多層電容器，其中
15.根據權利要求14所述的多層電容器，其中，滿足A≥2B。
16.根據權利要求14所述的多層電容器，其中，A為1.0摩爾至1.5摩爾。
17.根據權利要求14所述的多層電容器，其中，B為0.5摩爾至1.0摩爾。
18.根據權利要求12所述的多層電容器，其中：
19.根據權利要求18所述的多層電容器，其中，滿足C≥3D。
20.根據權利要求18所述的多層電容器，其中，C為0.5摩爾至1.0摩爾。
21.根據權利要求18所述的多層電容器，其中，D為0.05摩爾至0.5摩爾。
22.一種多層電容器，包括：
23.根據權利要求22所述的多層電容器，其中，所述介電層包括包含鈦酸鋇基化合物的主成分。
24.根據權利要求23所述的多層電容器，其中，所述內電極還包括除In之外的導電金屬。
25.根據權利要求24所述的多層電容器，其中，所述導電金屬包括Ni。
26.根據權利要求25所述的多層電容器，其中，所述鈦酸鋇基化合物包括鈦酸鋇。
27.一種多層電容器，包括：
28.根據權利要求27所述的多層電容器，其中，滿足A≥2B且C≥3D。
29.根據權利要求27所述的多層電容器，其中，A為1.0摩爾至1.5摩爾，B為0.5摩爾至1.0摩爾，C為0.5摩爾至1.0摩爾，并且D為0.05摩爾至0.5摩爾。
30.根據權利要求29所述的多層電容器，其中，所述介電層包括包含鈦酸鋇基化合物的主成分和包含In的副成分。
31.根據權利要求30所述的多層電容器，其中，所述內電極包括In和除In之外的導電金屬。
...【技術特征摘要】
1.一種多層電容器，包括：
2.根據權利要求1所述的多層電容器，其中，所述介電層包括包含鈦酸鋇基化合物的主成分和包含in的副成分。
3.根據權利要求1所述的多層電容器，其中，所述內電極包括in和除in之外的導電金屬。
4.根據權利要求1所述的多層電容器，其中：
5.根據權利要求4所述的多層電容器，其中，滿足a≥2b。
6.根據權利要求4所述的多層電容器，其中，a為1.0摩爾至1.5摩爾。
7.根據權利要求4所述的多層電容器，其中，b為0.5摩爾至1.0摩爾。
8.根據權利要求1所述的多層電容器，其中：
9.根據權利要求8所述的多層電容器，其中，滿足c≥3d。
10.根據權利要求8所述的多層電容器，其中，c為0.5摩爾至1.0摩爾。
11.根據權利要求8所述的多層電容器，其中，d為0.05摩爾至0.5摩爾。
12.一種多層電容器，包括：
13.根據權利要求12所述的多層電容器，其中：
14.根據權利要求12所述的多層電容器，其中：
15.根據權利要求14所述的多層電容器，其中，滿足a≥2b。
16.根據權利要求14所述的多層電容器，其中，a為1.0摩爾至1.5摩爾。
17.根據權利要求14所述的多層電容器，其中，b為0.5摩爾至1.0摩爾。
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