【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及芯片制造，具體而言，涉及一種正膠剝離方法及剝離系統。
技術介紹
1、剝離工藝的流程一般包括在襯底上用光刻工藝獲得圖案化的光刻膠，然后在光刻膠上鍍上金屬材料，最后利用去膠液（又稱剝離液）剝離光刻膠由此獲得與圖案一致的金屬層；而光刻膠一般分為正膠和負膠，負膠具有良好的粘附能力和阻擋作用且感光速度快，但是顯影時會發生變形和膨脹，限制了負膠的分辨率，因此面對納米級精度的制造要求時，一般會采用正膠作為光刻膠，然而使用正膠制作膠層并鍍上金屬材料后，金屬與膠層底部粘連以致在剝離膠層時出現金屬脫落或造成金屬側壁粗糙等導致金屬層質量下降的問題。
2、針對上述問題，目前尚未有有效的技術解決方案。
技術實現思路
1、本專利技術的目的在于提供一種正膠剝離方法及剝離系統，解決現有因采用正膠制作的膠層與金屬粘連而導致金屬層質量下降的問題，有利于防止金屬脫落和降低金屬側壁粗糙度，達到提高金屬層質量的效果。
2、第一方面，本專利技術提供了一種正膠剝離方法，包括以下步驟：
3、s1.利用正膠在晶圓的上表面制作膠層；
4、s2.將所述晶圓浸泡在顯影液中，以使所述膠層中的感光劑與所述顯影液發生交聯反應，并將所述膠層中靠近所述膠層的上表面的正膠轉變成硬化膠膜；所述硬化膠膜的顯影速率小于所述正膠的顯影速率；
5、s3.通過對所述晶圓進行曝光顯影，以使所述膠層形成異形結構；所述異形結構的橫截面寬度從上往下逐漸減小；
6、s4.將金屬材料附加
7、本專利技術提供的正膠剝離方法通過制作顯影速度小于正膠的硬化膠膜，確保膠層在曝光顯影后形成異形結構，該異形結構使得鍍在晶圓上的金屬與膠層底層保持間距，從而避免金屬與膠層底部粘連，進而有利于防止金屬脫落和降低金屬側壁粗糙度，達到提高金屬層質量的效果。
8、進一步的，步驟s1中的具體步驟包括：
9、s11.在所述晶圓的上表面涂覆所述正膠后，通過烘烤所述晶圓得到所述膠層。
10、形成穩定的膠層便于準確制成異形結構。
11、進一步的，所述顯影液為tmah顯影液；所述感光劑為pac感光劑。
12、進一步的，步驟s3和步驟s4之間還包括步驟：
13、s5.通過等離子氣體轟擊所述異形結構去除相鄰兩個所述異形結構之間的殘留物。
14、進一步防止出現金屬層脫離或造成金屬側壁粗糙的問題。
15、進一步的，所述等離子氣體為氧氣等離子氣體。
16、能夠有效去除有機污染物并能夠作為循環使用的清洗介質。
17、進一步的，步驟s4中的具體步驟包括：
18、s41.將金屬材料以濺射或蒸鍍方式附加在所述晶圓的上表面。
19、第二方面，本專利技術提供了一種剝離系統，包括：
20、膠層制作設備，用于利用正膠在晶圓的上表面制作膠層；
21、浸泡裝置，用于將所述晶圓浸泡在顯影液中，以使所述膠層中的感光劑與所述顯影液發生交聯反應，并將所述膠層中靠近所述膠層的上表面的正膠轉變成硬化膠膜；所述硬化膠膜的顯影速率小于所述正膠的顯影速率；
22、曝光顯影裝置，用于通過對所述晶圓進行曝光顯影，以使所述膠層形成異形結構；所述異形結構的橫截面寬度從上往下逐漸減小；
23、金屬層制作設備，用于將金屬材料附加在所述晶圓的上表面并通過剝離所述膠層，以使所述晶圓的上表面得到圖形化的金屬層。
24、進一步的，所述膠層制作設備包括涂膠裝置和烘烤裝置，所述涂膠裝置用于將所述正膠涂覆在所述晶圓的上表面；所述烘烤裝置用于在所述晶圓的上表面涂覆所述正膠后，通過烘烤所述晶圓得到所述膠層。
25、進一步的，還包括清除裝置，用于通過等離子氣體轟擊所述異形結構去除相鄰兩個所述異形結構之間的殘留物。
26、進一步的，所述金屬層制作設備包括濺射裝置和/或蒸鍍裝置，所述濺射裝置用于將金屬材料以濺射方式附加在所述晶圓的上表面；所述蒸鍍裝置用于將金屬材料以蒸鍍方式附加在所述晶圓的上表面。
27、由上可知，本專利技術提供的正膠剝離方法利用顯影液與膠層中的感光劑發生交聯反應使得膠層表面的正膠轉變成硬化膠膜，由于硬化膠膜的顯影速度小于正膠的顯影速度，因此在曝光顯影過程中膠層會形成特定形狀的異形結構，該異形結構上寬下窄，金屬材料鍍在晶圓上后，金屬材料與膠層底部之間還保持有一定間距，所以金屬材料不會與膠層底部粘連，由此避免了在剝離膠層時出現金屬脫落或造成金屬側壁粗糙等導致金屬層質量下降的問題，達到提高金屬層質量的效果。
28、本專利技術的其他特征和優點將在隨后的說明書闡述，并且，部分地從說明書中變得顯而易見，或者通過實施本專利技術實施例了解。本專利技術的目的和其他優點可通過在所寫的說明書、以及附圖中所特別指出的結構來實現和獲得。
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1.一種正膠剝離方法，其特征在于，包括以下步驟：
2.根據權利要求1所述的正膠剝離方法，其特征在于，步驟S1中的具體步驟包括：
3.根據權利要求1所述的正膠剝離方法，其特征在于，所述顯影液為TMAH顯影液；所述感光劑為PAC感光劑。
4.根據權利要求1所述的正膠剝離方法，其特征在于，步驟S3和步驟S4之間還包括步驟：
5.根據權利要求4所述的正膠剝離方法，其特征在于，所述等離子氣體為氧氣等離子氣體。
6.根據權利要求1所述的正膠剝離方法，其特征在于，步驟S4中的具體步驟包括：
7.一種剝離系統，其特征在于，包括：
8.根據權利要求7所述的剝離系統，其特征在于，所述膠層制作設備包括涂膠裝置和烘烤裝置，所述涂膠裝置用于將所述正膠涂覆在所述晶圓的上表面；所述烘烤裝置用于在所述晶圓的上表面涂覆所述正膠后，通過烘烤所述晶圓得到所述膠層。
9.根據權利要求7所述的剝離系統，其特征在于，還包括清除裝置，用于通過等離子氣體轟擊所述異形結構去除相鄰兩個所述異形結構之間的殘留物。
10.根據權
...【技術特征摘要】
1.一種正膠剝離方法，其特征在于，包括以下步驟：
2.根據權利要求1所述的正膠剝離方法，其特征在于，步驟s1中的具體步驟包括：
3.根據權利要求1所述的正膠剝離方法，其特征在于，所述顯影液為tmah顯影液；所述感光劑為pac感光劑。
4.根據權利要求1所述的正膠剝離方法，其特征在于，步驟s3和步驟s4之間還包括步驟：
5.根據權利要求4所述的正膠剝離方法，其特征在于，所述等離子氣體為氧氣等離子氣體。
6.根據權利要求1所述的正膠剝離方法，其特征在于，步驟s4中的具體步驟包括：
7.一種剝離系統，其特征在于，包括：
...【專利技術屬性】
技術研發人員：李國強，嚴一凡，
申請(專利權)人：廣州市艾佛光通科技有限公司，
類型：發明
國別省市：
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