【技術實現步驟摘要】
本申請涉及一種低內應力的sic晶體和sic襯底，屬于sic材料制備。
技術介紹
1、sic生長過程中由于存在軸向、徑向溫度梯度，且溫度梯度的連續漸變性特點加之sic襯底在切磨拋過程中產生的面型變化是連續的，因此使得sic自中心向邊緣存在漸變的應力變化。另一方面，若sic在生長過程中出現晶格畸變而誘生微管、空洞、白斑等面內缺陷，該面內缺陷會造成局部應力集中。
2、使用偏光雙折射對sic襯底應力進行測試，由于光源為貫穿整個sic晶圓，實現對sic晶圓面內晶格畸變造成光程差進行測量，從而可以采用光程差表征其應力。
3、然而目前采用光程差表征sic應力時，只能夠實現應力的定性表征，無法區別由于內應力或缺陷造成的光程差，進而也無法通過光程差來反饋sic產品的生產及加工工藝，以得到低內應力的sic晶體和sic襯底。
技術實現思路
1、為了解決上述問題，提供了一種低內應力的sic晶體和sic襯底，該sic晶體和sic襯底在低通信號下的光程差小且均勻，代表sic中的內應力低，由內應力造成的晶格畸變程度小。
2、根據本申請的一個方面，提供了一種低內應力的sic晶體，所述sic晶體制備得到若干個sic襯底，基于拉普拉斯金字塔原理對高通信號和低通信號進行區分，在低通信號下，任意sic襯底的光程差<6nm，光程差的最大值<10nm，且光程差的標準差<2nm。
3、本申請的光程差是指光線在介質內部傳播時，由于路徑不同而產生的光程差異。應力對s
4、本申請基于內應力的特點，發現其在偏光雙折射測試的光程差中為連續的低頻變化。低通數據為過濾掉高頻波動的光程差信號，代表由于內應力及面型波動造成的的晶格畸變產生的應力情況；因此基于該理論原理，通過對面內測得光程差進行篩選，以表征sic由于內應力及面型波動造成的的晶格畸變產生的應力情況，基于該表征情況進行生產工藝優化，從而得到本申請低內應力的sic晶體及sic襯底。
5、該sic晶體得到的任意sic襯底不僅是整體光程差較小，且光程差的標準差也較小，因此代表sic晶體在軸向及徑向的均勻性要好。
6、上述基于拉普拉斯金字塔原理對高通信號和低通信號進行區分，是指利用拉普拉斯金字塔，基于空間卷曲區分高通與低通信號，此處為現有技術，本申請不再贅述。
7、可選地，|opd1-opd2|＜3nm，opd1表示sic晶體得到的包含第一端面的sic襯底整體的光程差，opd2表示sic晶體得到的包含第二端面的sic襯底的光程差。
8、該sic晶體頭尾磨平之后，再制備若干個sic襯底，本申請中包含第一端面的sic襯底與包含第二端面的sic襯底屬于磨平后的sic晶體兩端經過加工各自得到的第一片襯底。
9、上述參數進一步證明本申請的sic晶體在軸向上的均勻分布，結合任意sic襯底的光程差能夠得到本申請的sic晶體整體內應力較小且均勻。
10、可選地，|opd1-opd3|＜1nm，|opd2-opd3|＜1nm，opd3表示sic晶體得到的所有sic襯底的光程差的平均值。
11、優選的，|opd1-opd3|＜0.5nm，|opd2-opd3|＜0.5nm。
12、|opd1-opd3|及|opd2-opd3|能夠代表包含第一端面的sic襯底和包含第二端面的sic襯底與該晶體得到的所有sic襯底的差異性，該數值越小，越表示晶體在軸向上能夠實現內應力的均勻分布，從而體現為光程差在軸向的均勻分布。
13、可選地，所述sic晶體得到的任意sic襯底，均具有中心區域和圍繞所述中心區域的環形區域，所述環形區域為自襯底邊緣向內延伸的寬度不大于15mm；
14、在低通信號下，|opd4-opd5|＜4nm，opd4表示沿[11-20]方向環形區域得到的光程差，opd5表示沿[11-20]方向中心區域得到的光程差。
15、可選地，|opd6-opd7|＜4nm，opd6表示沿[1-100]方向環形區域得到的光程差，opd7表示沿[1-100]方向中心區域得到的光程差。
16、優選的，|opd4-opd5|＜3nm，|opd6-opd7|＜3nm。
17、針對目前制備的sic晶體而言，由于生長溫場的影響，環形區域的質量比中心區域要差一點，本申請的sic晶體能夠縮小環形區域與中心區域的差異性，實現面內內應力的均勻性提升。[11-20]方向和[1-100]方向是sic的兩個特征方向，在上述兩個方向中|opd4-opd5|和|opd6-opd7|的數值越低，代表sic襯底在[11-20]方向和[1-100]方向上的均勻化程度越高。
18、根據本申請的另一個方面，一種低內應力的sic襯底，所述sic襯底在低通信號下，光程差<6nm，且光程差的最大值<10nm，且光程差的標準差<2nm。
19、可選地，所述sic襯底任意水平線上光程差的標準差<2nm。
20、針對sic襯底任意水平線上光程差的標準差能夠反應該sic襯底在該線上的數據波動性，光程差的標準差越小，代表產品質量在徑向上越均勻。
21、可選地，所述sic襯底具有中心區域和圍繞所述中心區域的環形區域，所述環形區域為自襯底邊緣向內延伸的寬度不大于15mm；
22、在低通信號下，針對任意水平線，σ1/σ2的取值范圍為1.1-5.0，σ1表示環形區域中該水平線上的光程差的標準差，σ2表示中心區域中該水平線上光程差的標準差。
23、優選的，σ1/σ2的取值范圍為1.1-3.5。
24、σ1/σ2是指在一條水平線上計算得到的環形區域的光程差的標準差與中心區域的光程差的標準差的比值，該比值越接近于1代表環形區域和中心區域的差異性越小，從而代表sic襯底整體的均勻性越好，sic襯底的可利用面積將會增加，從而提高單片sic襯底能夠制備器件的數量，以降低單位制作成本。
25、可選地，所述sic襯底具有中心區域和圍繞所述中心區域的環形區域，所述環形區域為自襯底邊緣向內延伸的寬度不大于15mm；
26、在低通信號下，|opd4-opd5|＜4nm，opd4表示所述sic襯底沿[11-20]方向環形區域得到的光程差，opd5表示所述sic襯底沿[11-20]方向中心區域得到的光程差。
27、可選地，在低通信號下，|opd6-opd7|＜4nm，opd6表示所述sic襯底沿[1-100]方向環形區域得到的光程差，opd7表示所述sic襯底沿[1-100]方向中心區域得到的光程差。
28、可選地，所述sic本文檔來自技高網...
【技術保護點】
1.一種低內應力的SiC晶體，其特征在于，所述SiC晶體制備得到若干個SiC襯底，基于拉普拉斯金字塔原理對高通信號和低通信號進行區分，在低通信號下，任意SiC襯底的光程差<6nm，光程差的最大值<10nm，且光程差的標準差<2nm。
2.根據權利要求1所述的低內應力的SiC晶體，其特征在于，在低通信號下，|OPD1-OPD2|＜3nm，OPD1表示SiC晶體得到的包含第一端面的SiC襯底整體的光程差，OPD2表示SiC晶體得到的包含第二端面的SiC襯底的光程差。
3.根據權利要求2所述的低內應力的SiC晶體，其特征在于，在低通信號下，|OPD1-OPD3|＜1nm，|OPD2-OPD3|＜1nm，OPD3表示SiC晶體得到的所有SiC襯底的光程差的平均值。
4.根據權利要求1所述的低內應力的SiC晶體，其特征在于，所述SiC晶體得到的任意SiC襯底，均具有中心區域和圍繞所述中心區域的環形區域，所述環形區域為自襯底邊緣向內延伸的寬度不大于15mm；
5.根據權利要求4所述的低內應力的SiC晶體，其特征在于，在低通信號
6.一種低內應力的SiC襯底，其特征在于，所述SiC襯底在低通信號下，光程差<6nm，且光程差的最大值<10nm，且光程差的標準差<2nm。
7.根據權利要求6所述的低內應力的SiC襯底，其特征在于，在低通信號下，所述SiC襯底任意水平線上光程差的標準差<2nm。
8.根據權利要求6所述的低內應力的SiC襯底，其特征在于，所述SiC襯底具有中心區域和圍繞所述中心區域的環形區域，所述環形區域為自襯底邊緣向內延伸的寬度不大于15mm；
9.根據權利要求6所述的低內應力的SiC襯底，其特征在于，所述SiC襯底在低通信號下，0.7<OPD8/OPD9<1.4，OPD8表示沿<11-20>的晶向族環形區域得到的光程差的均值，OPD9表示沿<1-100>的晶向族環形區域得到的光程差的均值。
10.根據權利要求9所述的低內應力的SiC襯底，其特征在于，所述SiC襯底在低通信號下，0.8<OPD10/OPD11<1.2，OPD10表示沿<11-20>的晶向族中心區域得到的光程差的均值，OPD11表示沿<1-100>的晶向族中心區域得到的光程差的均值。
...【技術特征摘要】
1.一種低內應力的sic晶體，其特征在于，所述sic晶體制備得到若干個sic襯底，基于拉普拉斯金字塔原理對高通信號和低通信號進行區分，在低通信號下，任意sic襯底的光程差<6nm，光程差的最大值<10nm，且光程差的標準差<2nm。
2.根據權利要求1所述的低內應力的sic晶體，其特征在于，在低通信號下，|opd1-opd2|＜3nm，opd1表示sic晶體得到的包含第一端面的sic襯底整體的光程差，opd2表示sic晶體得到的包含第二端面的sic襯底的光程差。
3.根據權利要求2所述的低內應力的sic晶體，其特征在于，在低通信號下，|opd1-opd3|＜1nm，|opd2-opd3|＜1nm，opd3表示sic晶體得到的所有sic襯底的光程差的平均值。
4.根據權利要求1所述的低內應力的sic晶體，其特征在于，所述sic晶體得到的任意sic襯底，均具有中心區域和圍繞所述中心區域的環形區域，所述環形區域為自襯底邊緣向內延伸的寬度不大于15mm；
5.根據權利要求4所述的低內應力的sic晶體，其特征在于，在低通信號下，|opd6-opd7|＜4nm，opd6表示沿[1-100]方向環形區域得到的光程差，opd7表示沿[1-100]方向中心區...
【專利技術屬性】
技術研發人員：張九陽，高超，楊曉俐，高宇晗，舒天宇，方帥，宋猛，王宗玉，
申請(專利權)人：山東天岳先進科技股份有限公司，
類型：發明
國別省市：
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