【技術實現步驟摘要】
本申請涉及發光器件，特別涉及一種復合材料及其制備方法、薄膜及其制備方法、發光器件、顯示裝置。
技術介紹
1、電致發光器件包括oled(organic?light-emitting?diode，有機發光二極管)和qled(quantum?dot?light?emitting?diodes，量子點發光二極管)，qled具有較高的色彩飽和度、可濕法制備以及高穩定性等優點，使得qled的研究受到了越來越多的關注，oled以其良好的自發光特性、高對比度、快速響應以及柔性顯示等優勢，在顯示領域、照明領域、智能穿戴等領域有廣泛的應用。
2、電致發光器件中通常設有空穴傳輸層以改善載流子傳輸，空穴傳輸層的材料可以采用無機納米材料，由于無機納米材料的表面通常存在缺陷，從而導致器件性能下降。
技術實現思路
1、基于此，本申請實施例提供一種復合材料及其制備方法、薄膜及其制備方法、發光器件、顯示裝置。
2、第一方面，本申請實施例提供一種復合材料，包括無機納米材料以及與所述無機納米材料表面連接的修飾材料，所述修飾材料包括酯類有機物和具有羧酸基團的有機物中的至少一種。
3、在一些實施例中，所述具有羧酸基團的有機物包括羧酸類有機物和羧酸鹽中的至少一種；和/或
4、所述無機納米材料包括無機空穴半導體材料。
5、在一些實施例中，所述羧酸鹽包括酸根離子和金屬離子，所述酸根離子包括1,3,5-苯三羧酸根離子、硬脂酸根離子和檸檬酸根離子中的至少一種，所述金屬離子包
6、在一些實施例中，所述羧酸鹽包括三羧酸銅苯酯、硬脂酸銀和檸檬酸銅中的至少一種；和/或
7、所述羧酸類有機物包括1,3,5-苯三羧酸、硬脂酸、檸檬酸和環己烷羧酸中的至少一種；和/或
8、所述酯類有機物包括乙酸乙酯。
9、在一些實施例中，所述無機納米材料和所述修飾材料的質量比為(1-10)：(1-3)；和/或
10、所述無機納米材料包括氧化鎳、硫氰酸亞銅、碘化亞銅、氧化銅、三氧化鉬、三氧化鎢、五氧化二釩、三氧化鉻和氧化石墨烯中的至少一種；和/或
11、所述無機納米材料為納米桿陣列，所述納米桿陣列由多根納米桿排列形成；和/或
12、所述納米桿的平均長度為1μm～5μm，所述納米桿的平均直徑為50nm～500nm。
13、第二方面，本申請實施例提供一種復合材料的制備方法，包括：
14、獲取無機納米材料；
15、采用修飾材料對所述無機納米材料進行修飾處理，得到復合材料，其中，所述修飾材料包括酯類有機物和具有羧酸基團的有機物中的至少一種。
16、在一些實施例中，所述具有羧酸基團的有機物包括羧酸類有機物和羧酸鹽中的至少一種。
17、在一些實施例中，所述羧酸鹽包括酸根離子和金屬離子，所述酸根離子包括1,3,5-苯三羧酸根離子、硬脂酸根離子和檸檬酸根離子中的至少一種，所述金屬離子包括銀離子、銅離子、鋁離子、鎳離子、鐵離子和鉛離子中的至少一種。
18、在一些實施例中，所述羧酸鹽包括三羧酸銅苯酯、硬脂酸銀和檸檬酸銅中的至少一種；和/或
19、所述羧酸類有機物包括1,3,5-苯三羧酸、硬脂酸、檸檬酸和環己烷羧酸中的至少一種；和/或
20、所述酯類有機物包括乙酸乙酯。
21、在一些實施例中，所述無機納米材料和所述修飾材料的質量比為(1-10)：(1-3)；和/或
22、所述無機納米材料包括氧化鎳、硫氰酸亞銅、碘化亞銅、氧化銅、三氧化鉬、三氧化鎢、五氧化二釩、三氧化鉻和氧化石墨烯中的至少一種；和/或
23、所述無機納米材料為納米桿陣列，所述納米桿陣列由多根納米桿排列形成；和/或
24、所述納米桿的平均長度為1μm～5μm，所述納米桿的平均直徑為50nm～500nm。
25、在一些實施例中，當所述修飾材料為酯類化合物或者羧酸鹽時，所述采用修飾材料對所述無機納米材料進行修飾處理包括：
26、將所述無機納米材料、所述修飾材料以及第一溶劑進行混合，得到混合體系；
27、對所述混合體系進行加熱并反應，得到所述復合材料。
28、在一些實施例中，所述無機納米材料和所述修飾材料的質量比為(1-10)：(1-3)；和/或
29、將所述無機納米材料、所述修飾材料以及第一溶劑進行混合時，所述無機納米材料、所述酯類化合物以及所述第一溶劑的質量比為(1-10)：(1-3)：(5-20)；和/或
30、對所述混合體系進行加熱時，將所述混合體系加熱至150℃～180℃，加熱時間為1小時～3小時；和/或
31、所述第一溶劑包括二甲基亞砜、水、二氯甲烷和甲苯中的至少一種。
32、在一些實施例中，當所述修飾材料為酯類化合物或者羧酸鹽時，所述采用修飾材料對所述無機納米材料進行修飾處理包括：
33、將所述無機納米材料、所述修飾材料以及第一溶劑進行混合，得到混合體系；
34、對所述混合體系進行加熱并反應，得到所述復合材料。
35、在一些實施例中，將所述無機納米材料、所述修飾材料以及第一溶劑進行混合時，所述無機納米材料、所述修飾材料以及所述第一溶劑的質量比為(1-10)：(1-3)：(5-20)；和/或
36、對所述混合體系進行加熱時，將所述混合體系加熱至150℃～180℃，加熱時間為1小時～3小時；和/或
37、所述第一溶劑包括二甲基亞砜、水、二氯甲烷和甲苯中的至少一種。
38、在一些實施例中，當所述修飾材料為羧酸類有機物時，所述采用修飾材料對所述無機納米材料進行修飾處理包括：
39、將所述無機納米材料、所述修飾材料以及第二溶劑進行混合，使所述修飾材料對所述無機納米材料進行修飾。
40、在一些實施例中，將所述無機納米材料、所述修飾材料以及所述第二溶劑進行混合時，所述無機納米材料、所述修飾材料以及所述第二溶劑的質量比為(1-10)：(1-3)：(5-20)；和/或
41、將所述修飾材料、所述無機納米材料以及所述第二溶劑混合并反應時，反應時間為1小時～3小時；和/或
42、所述第二溶劑包括二甲基亞砜、水、二氯甲烷和甲苯的至少一種。
43、第三方面，本申請實施例提供一種薄膜，所述薄膜的材料包括如上所述的復合材料或者如上所述的制備方法制得的復合材料。
44、第四方面，本申請實施例提供一種薄膜的制備方法，包括：
45、提供襯底，在所述襯底上施加復合材料混合溶液，得到所述薄膜，其中所述復合材料混合溶液包括復合材料和第三溶劑，所述復合材料為如上所述的復合材料或者如上所述的制備方法制得的復合材料。
46、在一些實施例中，所述復合材料混合溶液的濃度為5mg/ml～15mg本文檔來自技高網...
【技術保護點】
1.一種復合材料，其特征在于，包括無機納米材料以及與所述無機納米材料表面連接的修飾材料，所述修飾材料包括酯類有機物和具有羧酸基團的有機物中的至少一種。
2.根據權利要求1所述的復合材料，其特征在于，所述具有羧酸基團的有機物包括羧酸類有機物和羧酸鹽中的至少一種；和/或
3.根據權利要求2所述的復合材料，其特征在于，所述羧酸鹽包括酸根離子和金屬離子，所述酸根離子包括1,3,5-苯三羧酸根離子、硬脂酸根離子和檸檬酸根離子中的至少一種，所述金屬離子包括銀離子、銅離子、鋁離子、鎳離子、鐵離子和鉛離子中的至少一種；和/或
4.根據權利要求1所述的復合材料，其特征在于，所述無機納米材料和所述修飾材料的質量比為(1-10)：(1-3)；和/或
5.一種復合材料的制備方法，其特征在于，包括：
6.根據權利要求5所述的復合材料的制備方法，其特征在于，所述具有羧酸基團的有機物包括羧酸類有機物和羧酸鹽中的至少一種；和/或
7.根據權利要求6所述的復合材料的制備方法，其特征在于，所述羧酸鹽包括酸根離子和金屬離子，所述酸根離子包括1,3
8.根據權利要求5所述的復合材料的制備方法，其特征在于，所述無機納米材料和所述修飾材料的質量比為(1-10)：(1-3)；和/或
9.根據權利要求6所述的復合材料的制備方法，其特征在于，當所述修飾材料為酯類化合物或者羧酸鹽時，所述采用修飾材料對所述無機納米材料進行修飾處理包括：
10.根據權利要求9所述的復合材料的制備方法，其特征在于，所述無機納米材料和所述修飾材料的質量比為(1-10)：(1-3)；和/或
11.根據權利要求6所述的復合材料的制備方法，其特征在于，當所述修飾材料為羧酸類有機物時，所述采用修飾材料對所述無機納米材料進行修飾處理包括：
12.根據權利要求11所述的復合材料的制備方法，其特征在于，將所述無機納米材料、所述修飾材料以及所述第二溶劑進行混合時，所述無機納米材料、所述修飾材料以及所述第二溶劑的質量比為(1-10)：(1-3)：(5-20)；和/或
13.一種薄膜，其特征在于，所述薄膜的材料包括如權利要求1-4任一項所述的復合材料或者如權利要求5-12任一項所述的制備方法制得的復合材料。
14.一種薄膜的制備方法，其特征在于，包括：
15.根據權利要求14所述的薄膜的制備方法，其特征在于，所述復合材料混合溶液的濃度為5mg/ml～15mg/ml；和/或
16.根據權利要求14所述的薄膜的制備方法，其特征在于，所述制備方法還包括：在得到所述薄膜之后，對所述薄膜進行退火處理，退火溫度為100℃～130℃，退火時間為5分鐘～10分鐘。
17.一種發光器件，其特征在于，包括：
18.根據權利要求17所述的發光器件，其特征在于，當所述底電極為陽極，所述頂電極為陰極時，所述發光器件還包括位于所述發光層和所述頂電極之間的電子傳輸層；或者
19.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權利要求17或18任一項所述的發光器件。
...【技術特征摘要】
1.一種復合材料，其特征在于，包括無機納米材料以及與所述無機納米材料表面連接的修飾材料，所述修飾材料包括酯類有機物和具有羧酸基團的有機物中的至少一種。
2.根據權利要求1所述的復合材料，其特征在于，所述具有羧酸基團的有機物包括羧酸類有機物和羧酸鹽中的至少一種；和/或
3.根據權利要求2所述的復合材料，其特征在于，所述羧酸鹽包括酸根離子和金屬離子，所述酸根離子包括1,3,5-苯三羧酸根離子、硬脂酸根離子和檸檬酸根離子中的至少一種，所述金屬離子包括銀離子、銅離子、鋁離子、鎳離子、鐵離子和鉛離子中的至少一種；和/或
4.根據權利要求1所述的復合材料，其特征在于，所述無機納米材料和所述修飾材料的質量比為(1-10)：(1-3)；和/或
5.一種復合材料的制備方法，其特征在于，包括：
6.根據權利要求5所述的復合材料的制備方法，其特征在于，所述具有羧酸基團的有機物包括羧酸類有機物和羧酸鹽中的至少一種；和/或
7.根據權利要求6所述的復合材料的制備方法，其特征在于，所述羧酸鹽包括酸根離子和金屬離子，所述酸根離子包括1,3,5-苯三羧酸根離子、硬脂酸根離子和檸檬酸根離子中的至少一種，所述金屬離子包括銀離子、銅離子、鋁離子、鎳離子、鐵離子和鉛離子中的至少一種；和/或
8.根據權利要求5所述的復合材料的制備方法，其特征在于，所述無機納米材料和所述修飾材料的質量比為(1-10)：(1-3)；和/或
9.根據權利要求6所述的復合材料的制備方法，其特征在于，當所述修飾材料為酯類化合物或者羧酸鹽時，所述采用修飾材料對所述無機...
【專利技術屬性】
技術研發人員：黃盼寧，
申請(專利權)人：TCL科技集團股份有限公司，
類型：發明
國別省市：
還沒有人留言評論。發表了對其他瀏覽者有用的留言會獲得科技券。