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    缺陷檢測裝置、方法和超聲波顯微鏡制造方法及圖紙

    技術編號:44406355 閱讀:3 留言:0更新日期:2025-02-25 10:19
    本申請涉及半導體領域,公開了一種缺陷檢測裝置、方法和超聲波顯微鏡。缺陷檢測裝置包括:掃描探頭和介質液控制模塊。介質液控制模塊的控制頭設置于掃描探頭上,且包圍掃描探頭的側壁。在掃描探頭移動至目標晶片的正上方的情況下,介質液控制模塊向目標晶片的上表面注入介質液,并將介質液限制于目標晶片的上表面,以對目標晶片所在區域進行缺陷檢測。

    【技術實現步驟摘要】

    本申請涉及集成電路領域,具體涉及一種缺陷檢測裝置、方法和超聲波顯微鏡


    技術介紹

    1、在集成電路的部分制程之后,需要進行缺陷檢測,確保產品質量。例如,在waferto?wafer(晶圓至晶圓)或die?to?wafer(晶片至晶圓)的鍵合工藝之后,需要用csam(超聲波顯微鏡)來檢測鍵合界面內部的分層、空洞、裂縫等缺陷。

    2、其中,超聲波顯微鏡透過介質液傳輸超聲波信號,當訊號遇到不同材料的界面時會部分反射及穿透,此種發射回波強度會因為材料密度不同而有所差異,從而,超聲波顯微鏡可以通過這種特性來檢驗材料內部的缺陷,并根據所接收的信號變化進行成像。

    3、然而,相關技術的缺陷檢測過程中,晶圓表面需要長時間浸泡在介質液中,這樣,會導致介質液滲透進鍵合界面,進而影響產品良率。


    技術實現思路

    1、有鑒于此,本申請實施例提供了一種缺陷檢測裝置、方法和超聲波顯微鏡,能夠避免介質液滲透而帶來的不良影響,提高產品良率。

    2、本申請實施例的技術方案是這樣實現的:

    3、本申請實施例提供了一種缺陷檢測裝置,所述缺陷檢測裝置包括:掃描探頭和介質液控制模塊;所述介質液控制模塊的控制頭設置于所述掃描探頭上,且包圍所述掃描探頭的側壁;在所述掃描探頭移動至目標晶片的正上方的情況下,所述介質液控制模塊向所述目標晶片的上表面注入介質液,并將所述介質液限制于所述目標晶片的上表面,以對所述目標晶片所在區域進行缺陷檢測。

    4、在本申請的一些實施例中,所述介質液控制模塊包括:介質液供應單元、氣體供應單元和氣液回收單元;所述介質液供應單元,被配置為向所述目標晶片的上表面注入介質液;所述氣體供應單元,被配置為向所述目標晶片的周圍通入氣體而形成風流,將所述介質液限制于所述目標晶片的上表面;所述氣液回收單元,被配置為在對所述目標晶片所在區域進行缺陷檢測之后,將所述目標晶片上的氣體和所述介質液回收。

    5、在本申請的一些實施例中,所述介質液供應單元包括:液體供應孔、液體供應管和儲液箱;所述氣體供應單元包括:氣體供應孔、氣體供應管和氣體源;所述氣液回收單元包括:氣液回收孔、氣液回收管和真空源;所述液體供應孔、所述氣體供應孔以及所述氣液回收孔,均設置于所述介質液控制模塊的控制頭上;所述液體供應孔、所述氣體供應孔以及所述氣液回收孔,分別環形排布于所述掃描探頭的周圍。

    6、在本申請的一些實施例中,所述氣液回收孔包括:第一回收孔和第二回收孔;所述液體供應孔、所述第一回收孔、所述氣體供應孔和所述第二回收孔,按照由內至外的方向,依次環形排布于所述掃描探頭的周圍。

    7、在本申請的一些實施例中,所述掃描探頭突出于所述介質液控制模塊的控制頭之外。

    8、在本申請的一些實施例中,所述氣體供應孔向所述掃描探頭的方向傾斜;所述氣體供應孔與所述控制頭的表面的夾角,大于55°且小于65°。

    9、本申請實施例還提供了一種缺陷檢測方法,所述缺陷檢測方法包括:將掃描探頭移動至目標晶片的正上方;向所述目標晶片的上表面注入介質液,并將所述介質液限制于所述目標晶片的上表面;對所述目標晶片所在區域進行缺陷檢測。

    10、在本申請的一些實施例中,將所述介質液限制于所述目標晶片的上表面,包括:向所述目標晶片的周圍通入氣體而形成風流,將所述介質液限制于所述目標晶片的上表面。

    11、在本申請的一些實施例中,對所述目標晶片所在區域進行缺陷檢測之后,所述缺陷檢測方法還包括:將所述目標晶片上的氣體和所述介質液回收。

    12、本申請實施例還提供了一種超聲波顯微鏡,所述超聲波顯微鏡包括上述方案中所述的缺陷檢測裝置。

    13、可以理解的是,在缺陷檢測過程中,將介質液限制于目標晶片的上表面,避免介質液浸沒目標晶片的側面以及其他晶片,這樣,在保證缺陷檢測順利進行的同時,避免了介質液滲透而帶來的不良影響,提高了產品良率。

    本文檔來自技高網...

    【技術保護點】

    1.一種缺陷檢測裝置,其特征在于,所述缺陷檢測裝置包括:掃描探頭和介質液控制模塊;

    2.根據權利要求1所述的缺陷檢測裝置,其特征在于,所述介質液控制模塊包括:介質液供應單元、氣體供應單元和氣液回收單元;

    3.根據權利要求2所述的缺陷檢測裝置,其特征在于,

    4.根據權利要求3所述的缺陷檢測裝置,其特征在于,所述氣液回收孔包括:第一回收孔和第二回收孔;

    5.根據權利要求1至4任一項所述的缺陷檢測裝置,其特征在于,所述掃描探頭突出于所述介質液控制模塊的控制頭之外。

    6.根據權利要求3或4所述的缺陷檢測裝置,其特征在于,所述氣體供應孔向所述掃描探頭的方向傾斜;所述氣體供應孔與所述控制頭的表面的夾角,大于55°且小于65°。

    7.一種缺陷檢測方法,其特征在于,所述缺陷檢測方法包括:

    8.根據權利要求7所述的缺陷檢測方法,其特征在于,將所述介質液限制于所述目標晶片的上表面,包括:

    9.根據權利要求7或8所述的缺陷檢測方法,其特征在于,對所述目標晶片所在區域進行缺陷檢測之后,所述缺陷檢測方法還包括:

    10.一種超聲波顯微鏡,其特征在于,所述超聲波顯微鏡包括如權利要求1至6任一項所述的缺陷檢測裝置。

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    【技術特征摘要】

    1.一種缺陷檢測裝置,其特征在于,所述缺陷檢測裝置包括:掃描探頭和介質液控制模塊;

    2.根據權利要求1所述的缺陷檢測裝置,其特征在于,所述介質液控制模塊包括:介質液供應單元、氣體供應單元和氣液回收單元;

    3.根據權利要求2所述的缺陷檢測裝置,其特征在于,

    4.根據權利要求3所述的缺陷檢測裝置,其特征在于,所述氣液回收孔包括:第一回收孔和第二回收孔;

    5.根據權利要求1至4任一項所述的缺陷檢測裝置,其特征在于,所述掃描探頭突出于所述介質液控制模塊的控制頭之外。

    6.根據權利要求3或4所述的缺...

    【專利技術屬性】
    技術研發人員:葉琴王夢婷陳幫馮泳強
    申請(專利權)人:湖北星辰技術有限公司
    類型:發明
    國別省市:

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