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    三疊層OLED器件及三疊層OLED器件對應的RGB像素裝置制備方法制造方法及圖紙

    技術編號:44265562 閱讀:6 留言:0更新日期:2025-02-14 22:09
    本申請公開了一種三疊層OLED器件及三疊層OLED器件對應的RGB像素裝置制備方法,涉及OLED微顯示領域,該三疊層OLED器件包括:R發光單元、G發光單元、B發光單元、陽極層和陰極層;所述R發光單元、所述G發光單元和所述B發光單元基于第一預設位置進行疊放組合得到發光單元層;所述發光單元層設置于所述陽極層上,所述陰極層設置于所述發光單元層上。本申請能夠顯著降低三疊層器件的開發周期。

    【技術實現步驟摘要】

    本申請涉及oled微顯示領域,特別是涉及一種三疊層oled器件及三疊層oled器件對應的rgb像素裝置制備方法。


    技術介紹

    1、oled微顯示屏幕壽命受到oled器件壽命的制約,目前行業內大多采用雙疊層白光oled器件。為了進一步提升oled器件壽命,三疊層甚至更高疊層的數的oled器件結構可用于oled微顯示屏幕。三疊層器件開發的目標通常為實現接近(0.33,0.33)的cie。因此現在亟需設計一種三疊層oled器件。


    技術實現思路

    1、本申請的目的是提供一種三疊層oled器件及三疊層oled器件對應的rgb像素裝置制備方法,可顯著降低三疊層器件的開發周期。

    2、為實現上述目的,本申請提供了如下方案:

    3、第一方面,本申請提供了一種三疊層oled器件包括:r發光單元、g發光單元、b發光單元、陽極層和陰極層;

    4、所述r發光單元、所述g發光單元和所述b發光單元基于第一預設位置進行疊放組合得到發光單元層;

    5、所述發光單元層設置于所述陽極層上,所述陰極層設置于所述發光單元層上。

    6、可選地,所述所述發光單元層還包括:第一電荷產生層和第二電荷產生層;

    7、所述第一電荷產生層的位置和所述第二電荷產生層的位置基于第二預設位置進行設置。

    8、可選地,所述陽極層為金屬材料或復合材料。

    9、可選地,所述陰極層為tco材料,ito材料,azo材料或izo材料。

    10、一種三疊層oled器件對應的rgb像素裝置制備方法包括:

    11、獲取三疊層oled器件中r發光單元、g發光單元和b發光單元的單色效率和像素面積;

    12、將r發光單元的單色效率和像素面積相乘得到第一常數;

    13、將g發光單元的單色效率和像素面積相乘得到第二常數;

    14、將b發光單元的單色效率和像素面積相乘得到第三常數;

    15、確定第一常數、第二常數和第三常數之間的比例關系;

    16、將比例關系的反比作為r像素結構、g像素結構和b像素結構的面積比例關系;

    17、基于r像素結構、g像素結構和b像素結構的面積比例關系制造r像素結構、g像素結構和b像素結構;

    18、基于第三預設位置將r像素結構、g像素結構和b像素結構設置于三疊層oled器件中陽極層。

    19、根據本申請提供的具體實施例,本申請公開了以下技術效果:

    20、本申請提供了一種三疊層oled器件及三疊層oled器件對應的rgb像素裝置制備方法,通過將r發光單元、g發光單元和b發光單元進行疊放組合得到發光單元層實現三疊層,再將發光單元層與陽極層和陰極層進行相應設置得到三疊層oled器件,降低三疊層器件的開發周期。

    本文檔來自技高網...

    【技術保護點】

    1.一種三疊層OLED器件,其特征在于,所述三疊層OLED器件包括:R發光單元、G發光單元、B發光單元、陽極層和陰極層;

    2.根據權利要求1所述的三疊層OLED器件,其特征在于,所述所述發光單元層還包括:第一電荷產生層和第二電荷產生層;

    3.根據權利要求1所述的三疊層OLED器件,其特征在于,所述陽極層為金屬材料或復合材料。

    4.根據權利要求1所述的三疊層OLED器件,其特征在于,所述陰極層為TCO材料,ITO材料,AZO材料或IZO材料。

    5.一種三疊層OLED器件對應的RGB像素裝置制備方法,其特征在于,所述三疊層OLED器件對應的RGB像素裝置制備方法包括:

    【技術特征摘要】

    1.一種三疊層oled器件,其特征在于,所述三疊層oled器件包括:r發光單元、g發光單元、b發光單元、陽極層和陰極層;

    2.根據權利要求1所述的三疊層oled器件,其特征在于,所述所述發光單元層還包括:第一電荷產生層和第二電荷產生層;

    3.根據權利要求1所述的三疊層oled器件,其特...

    【專利技術屬性】
    技術研發人員:李培丞,吳遠武,吳迪,王江南,張川,
    申請(專利權)人:湖畔光芯半導體江蘇有限公司,
    類型:發明
    國別省市:

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