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    一種微波線路吸波負載及太赫茲設備制造技術

    技術編號:44254111 閱讀:12 留言:0更新日期:2025-02-11 13:52
    本發明專利技術公開了一種微波線路吸波負載,包括:傳輸線;傳輸線的一端為輸入端,傳輸線的另一端為終端短路面;設置于傳輸線中輸入端與終端短路面之間的人工表面等離激元線路;人工表面等離激元線路包括延伸至傳輸線內的多個枝節,沿傳輸線的傳輸方向,枝節在傳輸線的兩側對稱分布,且任一側枝節延伸至傳輸線內的長度逐漸增加。通過直接嵌入傳輸線的人工表面等離激元線路可以直接實現對傳輸線中TE主模式到人工表面等離激元模式的行波式轉化與吸收,無需額外的中間過渡模式,從而避免由于中間模式造成的回波特性惡化。因此,該結構可以極大地提升微波線路吸波負載的回波/反射特性。

    【技術實現步驟摘要】

    本專利技術涉及太赫茲,特別是涉及一種微波線路吸波負載以及一種太赫茲設備。


    技術介紹

    1、吸波負載在無線電電子學中扮演及其重要的角色,例如,在微波毫米波無線通信和雷達成像中,常用的定向耦合器其端口隔離度等傳輸特性參數直接受到隔離端口匹配負載吸波性能的影響。但是現有的吸波負載其駐波比較大,回波損耗較高。因此,太赫茲頻段的系統應用仍然對高吸收率、低回波反射、工藝難度低和可靠性高的波導吸波負載具有極其迫切的需求。


    技術實現思路

    1、本專利技術的目的是提供一種微波線路吸波負載,具有高吸收率和低回波反射;本專利技術的另一目的在于提供一種太赫茲設備,具有高吸收率和低回波反射。

    2、為解決上述技術問題,本專利技術提供一種微波線路吸波負載,包括:

    3、傳輸線;所述傳輸線的一端為輸入端,所述傳輸線的另一端為終端短路面;

    4、設置于所述傳輸線中所述輸入端與所述終端短路面之間的人工表面等離激元線路;所述人工表面等離激元線路包括延伸至所述傳輸線內的多個枝節,沿所述傳輸線的傳輸方向,所述枝節在所述傳輸線的兩側對稱分布,且任一側所述枝節延伸至所述傳輸線內的長度逐漸增加。

    5、可選的,所述傳輸線為波導,所述人工表面等離激元線路嵌入所述波導。

    6、可選的,所述人工表面等離激元線路包括基片和設置在所述基片表面的所述枝節,所述基片的至少一側表面設置有所述枝節。

    7、可選的,所述基片相對的兩個表面均設置有所述枝節,沿所述傳輸線的傳輸方向,位于所述基片同一表面的枝節在所述傳輸線的兩側對稱分布,且任一側所述枝節延伸至所述傳輸線內的長度逐漸增加。

    8、可選的,位于所述基片相對兩個表面的枝節沿厚度方向的投影相互重合。

    9、可選的,所述人工表面等離激元線路朝向所述傳輸線輸入端的第一端與所述波導之間通過阻抗匹配結構連接。

    10、可選的,所述阻抗匹配結構包括沿寬度方向在所述波導兩側突出所述波導的突出部,所述人工表面等離激元線路的所述第一端與所述突出部連接;所述突出部在所述波導兩側突出所述波導的長度相等。

    11、可選的,所述基片為低電導率金屬基片。

    12、可選的,所述傳輸線為槽線,所述人工表面等離激元線路與所述槽線為一體式結構。

    13、本專利技術還提供了一種太赫茲設備,包括如上述任一項所述的微波線路吸波負載。

    14、本專利技術所提供的一種微波線路吸波負載,包括:傳輸線;傳輸線的一端為輸入端,傳輸線的另一端為終端短路面;設置于傳輸線中輸入端與終端短路面之間的人工表面等離激元線路;人工表面等離激元線路包括延伸至傳輸線內的多個枝節,沿傳輸線的傳輸方向,枝節在傳輸線的兩側對稱分布,且任一側枝節延伸至傳輸線內的長度逐漸增加。

    15、通過直接嵌入傳輸線的人工表面等離激元線路可以直接實現對傳輸線中te主模式到人工表面等離激元模式的行波式轉化與吸收,無需額外的中間過渡模式,從而避免由于中間模式的存在,例如先將te模式轉化至tem模式造成的回波特性惡化。因此,該結構可以極大地提升微波線路吸波負載的回波/反射特性。并且人工表面等離激元線路僅需采用成熟的太赫茲薄膜電路工藝就可實現,具備圖形精度高、一致性好和低成本特點;同時對應的波導腔體結構簡單,腔體電路可加工性好,不存在傳統楔形吸波體材料對狹長楔形波導終端的加工需求,因此整體電路機加成熟度高、成本低。

    16、本專利技術還提供了一種太赫茲設備,同樣具有上述有益效果,在此不再進行贅述。

    本文檔來自技高網...

    【技術保護點】

    1.一種微波線路吸波負載,其特征在于,包括:

    2.根據權利要求1所述的微波線路吸波負載,其特征在于,所述傳輸線為波導,所述人工表面等離激元線路嵌入所述波導。

    3.根據權利要求2所述的微波線路吸波負載,其特征在于,所述人工表面等離激元線路包括基片和設置在所述基片表面的所述枝節,所述基片的至少一側表面設置有所述枝節。

    4.根據權利要求3所述的微波線路吸波負載,其特征在于,所述基片相對的兩個表面均設置有所述枝節,沿所述傳輸線的傳輸方向,位于所述基片同一表面的枝節在所述傳輸線的兩側對稱分布,且任一側所述枝節延伸至所述傳輸線內的長度逐漸增加。

    5.根據權利要求4所述的微波線路吸波負載,其特征在于,位于所述基片相對兩個表面的枝節沿厚度方向的投影相互重合。

    6.根據權利要求2所述的微波線路吸波負載,其特征在于,所述人工表面等離激元線路朝向所述傳輸線輸入端的第一端與所述波導之間通過阻抗匹配結構連接。

    7.根據權利要求6所述的微波線路吸波負載,其特征在于,所述阻抗匹配結構包括沿寬度方向在所述波導兩側突出所述波導的突出部,所述人工表面等離激元線路的所述第一端與所述突出部連接;所述突出部在所述波導兩側突出所述波導的長度相等。

    8.根據權利要求3所述的微波線路吸波負載,其特征在于,所述基片為低電導率金屬基片。

    9.根據權利要求1所述的微波線路吸波負載,其特征在于,所述傳輸線為槽線,所述人工表面等離激元線路與所述槽線為一體式結構。

    10.一種太赫茲設備,其特征在于,包括如權利要求1至9任一項權利要求所述的微波線路吸波負載。

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    【技術特征摘要】

    1.一種微波線路吸波負載,其特征在于,包括:

    2.根據權利要求1所述的微波線路吸波負載,其特征在于,所述傳輸線為波導,所述人工表面等離激元線路嵌入所述波導。

    3.根據權利要求2所述的微波線路吸波負載,其特征在于,所述人工表面等離激元線路包括基片和設置在所述基片表面的所述枝節,所述基片的至少一側表面設置有所述枝節。

    4.根據權利要求3所述的微波線路吸波負載,其特征在于,所述基片相對的兩個表面均設置有所述枝節,沿所述傳輸線的傳輸方向,位于所述基片同一表面的枝節在所述傳輸線的兩側對稱分布,且任一側所述枝節延伸至所述傳輸線內的長度逐漸增加。

    5.根據權利要求4所述的微波線路吸波負載,其特征在于,位于所述基片相對兩個表面的枝節沿厚度方向的投影相互重合。

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    【專利技術屬性】
    技術研發人員:田遙嶺李若雪楊昊黃昆蔣均何月
    申請(專利權)人:中國工程物理研究院電子工程研究所
    類型:發明
    國別省市:

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