【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
【國外來華專利技術(shù)】
本專利技術(shù)涉及聚硅氧烷組合物。另外，本專利技術(shù)涉及使用了該聚硅氧烷組合物的制造膜的方法、使用了該聚硅氧烷組合物的膜以及制造包含該膜的電子器件的方法。
技術(shù)介紹
1、已知聚硅氧烷具有高溫耐性。在由包含聚硅氧烷的組合物形成固化膜的情況下，以高溫將涂膜加熱而使聚硅氧烷中的硅醇基的縮合反應(yīng)以及具有不飽和鍵的聚合物的反應(yīng)迅速進(jìn)行，以進(jìn)行固化。在殘留有未反應(yīng)的反應(yīng)基團(tuán)的情況下，會(huì)對(duì)器件的制造工藝中使用的化學(xué)試劑發(fā)生反應(yīng)。從對(duì)于基板中的其他材料的影響以及裝置條件來看，期望開發(fā)一種能夠以更低溫固化的含聚硅氧烷的組合物。
2、以使環(huán)氧樹脂低溫固化為目的，提出了將環(huán)氧樹脂、陰離子聚合性固化劑與離子液體組合的方案(例如專利文獻(xiàn)1)，在不含陰離子聚合性固化劑的比較例中，并未進(jìn)行固化。
3、現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
4、專利文獻(xiàn)
5、專利文獻(xiàn)1：日本特開2019-14781號(hào)公報(bào)
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、本專利技術(shù)要解決的技術(shù)問題
2、本專利技術(shù)是基于上述情況完成的，其提供一種可低溫固化且保存穩(wěn)定性優(yōu)異的聚硅氧烷組合物。另外，其目的是提供使用了該聚硅氧烷組合物的制造固化膜及電子元件的方法。
3、用于解決技術(shù)課題的手段
4、本專利技術(shù)的聚硅氧烷組合物包含(i)聚硅氧烷、(ii)離子液體、(iii)酸及(iv)溶劑；
5、上述聚硅氧烷包含式(ia)表示的重復(fù)單元，其末端或側(cè)鏈具有硅醇；
6、
7、其中，r1為氫
8、上述脂肪族烴基及上述芳香族烴基分別為未取代，或是取代有氟、羥基或c1-8烷氧基，
9、上述脂肪族烴基及上述芳香族烴基中，亞甲基未被替代，或1個(gè)以上的亞甲基被氧基、酰亞胺或羰基替代，條件是r1既不是羥基也不是烷氧基，
10、r1為2價(jià)或3價(jià)時(shí)，r1將多個(gè)重復(fù)單元所包含的si彼此連結(jié)，
11、在以ft-ir法測(cè)定及分析上述聚硅氧烷時(shí)，位于1100±100cm-1的范圍內(nèi)而歸屬于si-o的吸收帶的面積強(qiáng)度s1與位于900±100cm-1的范圍內(nèi)歸屬于sioh的吸收帶的面積強(qiáng)度s2的比s2/s1為0.010～0.10。
12、另外，本專利技術(shù)的制造固化膜的方法包括將上述組合物涂布于基板形成涂膜的步驟、以及將上述涂膜加熱的步驟。
13、另外，本專利技術(shù)制造的電子器件的方法包括上述制造固化膜的方法。
14、專利技術(shù)效果
15、本專利技術(shù)的聚硅氧烷組合物能夠以比一般可熱固化的組合物所采用的溫度區(qū)域更低的溫度進(jìn)行固化。本專利技術(shù)的聚硅氧烷組合物的保存穩(wěn)定性優(yōu)異。并且，所得的固化膜的膜減少量也少，膜厚均勻性也優(yōu)異，彈性率小，因此可追隨基板變形。進(jìn)而，在涂布于大的高寬比(aspect?ratio)的基板時(shí)，埋入性優(yōu)異。所得的固化膜，其平坦性、電絕緣特性也優(yōu)異，因此可優(yōu)選地使用于半導(dǎo)體器件的層間絕緣膜、鈍化膜(passivation?film)、基板平坦化膜、抗反射膜、濾光器、高輝度發(fā)光二極管、觸控面板、太陽能電池、光導(dǎo)波路等光學(xué)器件。
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1.一種聚硅氧烷組合物，包含(I)聚硅氧烷、(II)離子液體、(III)酸及(IV)溶劑；
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的聚硅氧烷組合物，其中，R1為氫、C1-6的直鏈狀、支鏈狀或環(huán)狀烷基或C6-10的芳基。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的聚硅氧烷組合物，其中，(II)離子液體的陽離子是從由咪唑鎓鹽類離子、吡咯烷鎓鹽類離子、哌啶鎓鹽類離子、吡啶鎓鹽類離子及銨類離子組成的群組中選出的至少一種陽離子。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的聚硅氧烷組合物，其中，(II)離子液體的陰離子是從由甲酸根離子、乙酸根離子、丙酸根離子、乳酸根離子、油酸根離子、水楊酸根離子、二氰胺離子、氰胺離子、硫氰酸根離子、甲基硫酸根離子、乙基硫酸根離子、硫酸氫離子、甲磺酸根離子、三氟甲磺酸根離子、對(duì)甲苯磺酸根離子、雙(三氟甲基磺酰基)酰亞胺離子、雙(氟磺酰基)酰亞胺離子、甲基碳酸根離子、碳酸氫根離子、二乙基磷酸根離子、二丁基磷酸根離子、六氟磷酸根離子、四氟硼酸根離子、氯離子及溴離子組成的群組中選出的至少一種陰離子。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的聚硅氧烷組合物，其
6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的聚硅氧烷組合物，其中，(II)離子液體相對(duì)于(I)聚硅氧烷的配合比，即離子液體/聚硅氧烷，以質(zhì)量比計(jì)為0.000010～0.10。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的聚硅氧烷組合物，其中，(II)離子液體相對(duì)于(III)酸的配合比，即離子液體/酸，以當(dāng)量比計(jì)為0.10～1.0。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所述的聚硅氧烷組合物，其中，(III)酸為有機(jī)酸。
9.根據(jù)權(quán)利要求1至8中任一項(xiàng)所述的聚硅氧烷組合物，其中，(IV)溶劑是從由丙二醇單甲醚、3-甲氧基丁醇、1,3-丁二醇、丙二醇單甲醚乙酸酯、乳酸乙酯、乙酸丁酯及乙酸3-甲氧基丁酯組成的群組中選出的至少一種。
10.根據(jù)權(quán)利要求1至9中任一項(xiàng)所述的聚硅氧烷組合物，其中，以所述組合物的總質(zhì)量為基準(zhǔn)，(IV)溶劑的含量為50～98質(zhì)量％。
11.根據(jù)權(quán)利要求1至10中任一項(xiàng)所述的聚硅氧烷組合物，其中，進(jìn)一步包含光酸產(chǎn)生劑或光堿產(chǎn)生劑。
12.一種制造固化膜的方法，其包括將權(quán)利要求1至11中任一項(xiàng)所述的聚硅氧烷組合物涂布于基板上而形成涂膜的步驟、以及將涂膜加熱的步驟。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的制造固化膜的方法，其中，加熱以120℃以上的溫度進(jìn)行。
14.一種制造電子器件的方法，其中，包括權(quán)利要求12或13所述的制造固化膜的方法。
...【技術(shù)特征摘要】
【國外來華專利技術(shù)】
1.一種聚硅氧烷組合物，包含(i)聚硅氧烷、(ii)離子液體、(iii)酸及(iv)溶劑；
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的聚硅氧烷組合物，其中，r1為氫、c1-6的直鏈狀、支鏈狀或環(huán)狀烷基或c6-10的芳基。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的聚硅氧烷組合物，其中，(ii)離子液體的陽離子是從由咪唑鎓鹽類離子、吡咯烷鎓鹽類離子、哌啶鎓鹽類離子、吡啶鎓鹽類離子及銨類離子組成的群組中選出的至少一種陽離子。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的聚硅氧烷組合物，其中，(ii)離子液體的陰離子是從由甲酸根離子、乙酸根離子、丙酸根離子、乳酸根離子、油酸根離子、水楊酸根離子、二氰胺離子、氰胺離子、硫氰酸根離子、甲基硫酸根離子、乙基硫酸根離子、硫酸氫離子、甲磺酸根離子、三氟甲磺酸根離子、對(duì)甲苯磺酸根離子、雙(三氟甲基磺酰基)酰亞胺離子、雙(氟磺酰基)酰亞胺離子、甲基碳酸根離子、碳酸氫根離子、二乙基磷酸根離子、二丁基磷酸根離子、六氟磷酸根離子、四氟硼酸根離子、氯離子及溴離子組成的群組中選出的至少一種陰離子。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的聚硅氧烷組合物，其中，由凝膠滲透色譜法測(cè)定的(i)聚硅氧烷的質(zhì)均分子量為500～10,000。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的聚硅氧烷組合物，其中，(ii)離子液體...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：矢野惠，會(huì)田健介，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：默克專利有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
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