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    控制電路、方法、設(shè)備、存儲介質(zhì)、裝置及電子負載制造方法及圖紙

    技術(shù)編號:43965678 閱讀:23 留言:0更新日期:2025-01-07 21:51
    本申請公開了一種控制電路、方法、設(shè)備、存儲介質(zhì)、裝置及電子負載,包括:控制單元、DAC和多個運放單元,控制單元的輸出端連接DAC的輸入端。每個運放單元皆包括運算放大器和可控開關(guān),DAC的輸出端通過第一電阻連接運算放大器的同相輸入端,運算放大器的反相輸入端通過第二電阻接地,運算放大器的輸出端對應(yīng)連接MOS管的柵極,MOS管的源極通過第三電阻接地,第三電阻的一端通過第四電阻連接運算放大器的反相輸入端,第三電阻的另一端通過第五電阻連接運算放大器的同相輸入端,可控開關(guān)的第一連接端連接運算放大器的輸出端,可控開關(guān)的第二連接端連接運算放大器的反相輸入端,控制單元的輸出端連接可控開關(guān)的控制端。

    【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】

    本申請涉及電子負載,特別涉及一種控制電路、方法、設(shè)備、存儲介質(zhì)、裝置及電子負載


    技術(shù)介紹

    1、電子負載是測控技術(shù)中的一種常用儀表,電子負載控制內(nèi)部mos管的導(dǎo)通量,依靠mos管的耗散功率消耗電能的設(shè)備,其在電源測試領(lǐng)域扮演著非常重要的角色。

    2、由于電子負載中存在多個mos管,電子負載工作在不同的電流量程時,需要導(dǎo)通不同數(shù)量的mos管。因此,在相關(guān)技術(shù)中,電子負載的控制信號通過模擬開關(guān)輸入至mos管的柵極,利用模擬開關(guān)實現(xiàn)mos管的通斷控制,利用控制信號調(diào)節(jié)mos管的導(dǎo)通程度,控制mos管的輸出電流。由于模擬開關(guān)存在導(dǎo)通電阻,會導(dǎo)致通過的控制信號發(fā)生衰減,進而導(dǎo)致對mos管的控制產(chǎn)生偏差,使得電子負載的精度下降。


    技術(shù)實現(xiàn)思路

    1、本申請旨在提出一種控制電路、方法、設(shè)備、存儲介質(zhì)、裝置及電子負載,能夠提高電子負載的精度。

    2、第一方面,本申請實施例提供了一種電子負載控制電路,用于控制電子負載的多個mos管,所述電路包括:

    3、控制單元;

    4、dac,所述控制單元的輸出端連接所述dac的輸入端,所述控制單元通過所述dac輸出控制信號,所述控制信號用于控制所述mos管的導(dǎo)通程度;

    5、多個運放單元,多個所述運放單元與多個所述mos管對應(yīng),每個所述運放單元皆包括運算放大器和可控開關(guān),所述dac的輸出端通過第一電阻連接所述運算放大器的同相輸入端,所述運算放大器的反相輸入端通過第二電阻接地,所述運算放大器的輸出端對應(yīng)連接所述mos管的柵極,所述mos管的源極通過第三電阻接地,所述第三電阻的一端通過第四電阻連接所述運算放大器的反相輸入端,所述第三電阻的另一端通過第五電阻連接所述運算放大器的同相輸入端,所述可控開關(guān)的第一連接端連接所述運算放大器的輸出端,所述可控開關(guān)的第二連接端連接所述運算放大器的反相輸入端,所述控制單元的輸出端連接所述可控開關(guān)的控制端;在所述可控開關(guān)導(dǎo)通的情況下,最大輸入電壓小于所述mos管的閾值電壓,所述最大輸入電壓為:所述控制信號的預(yù)設(shè)最大值通過所述第一電阻和所述第五電阻分壓后,輸入至所述運算放大器的同相輸入端的電壓。

    6、根據(jù)本申請的一些實施例,所述控制單元包括:

    7、mcu,所述mcu的輸出端連接所述dac的輸入端;

    8、多路模擬開關(guān),所述多路模擬開關(guān)具有控制端、多個第一連接端和多個第二連接端,所述mcu的輸出端連接所述多路模擬開關(guān)的控制端,所述多路模擬開關(guān)的多個第一連接端皆與供電端連接,所述多路模擬開關(guān)的第二連接端與至少一個所述可控開關(guān)的控制端連接。

    9、根據(jù)本申請的一些實施例,還包括:

    10、電容,所述電容的一端連接所述運算放大器的輸出端,所述電容的另一端連接所述運算放大器的反相輸入端。

    11、第二方面,本申請實施例提供了一種電子負載控制方法,應(yīng)用于如上所述的電子負載控制電路,所述方法包括:

    12、控制目標mos管對應(yīng)的可控開關(guān)斷開,使得對應(yīng)的所述運放單元為誤差放大器;

    13、發(fā)送控制信號,使得所述控制信號經(jīng)過所述運放單元輸出至所述目標mos管的柵極,從而控制所述目標mos管的導(dǎo)通程度;

    14、控制目標mos管對應(yīng)的可控開關(guān)導(dǎo)通,使得對應(yīng)的所述運放單元為電壓跟隨器,所述控制信號由于第一電阻和第五電阻的分壓作用,經(jīng)過所述運放單元輸出至所述目標mos管的柵極電壓無法達到閾值電壓,所述目標mos管斷開。

    15、根據(jù)本申請的一些實施例,所述控制單元包括mcu和多路模擬開關(guān),所述mcu的輸出端連接所述dac的輸入端,所述多路模擬開關(guān)具有控制端、多個第一連接端和多個第二連接端,所述mcu的輸出端連接所述多路模擬開關(guān)的控制端,所述多路模擬開關(guān)的多個第一連接端皆與供電端連接,所述多路模擬開關(guān)的第二連接端與至少一個所述可控開關(guān)的控制端連接;

    16、所述控制目標mos管對應(yīng)的可控開關(guān)斷開,包括:

    17、控制目標第二連接端與所述供電端斷開連接,使得所述目標mos管對應(yīng)的所述可控開關(guān)斷開,所述目標第二連接端為:連接所述目標mos管對應(yīng)的所述可控開關(guān)的所述第二連接端;

    18、所述控制目標mos管對應(yīng)的可控開關(guān)導(dǎo)通,包括:

    19、控制目標第二連接端與所述供電端連接,使得所述目標mos管對應(yīng)的所述可控開關(guān)導(dǎo)通。

    20、第三方面,本申請實施例提供了一種電子設(shè)備,包括:

    21、至少一個處理器;

    22、至少一個存儲器,用于存儲至少一個程序;

    23、當至少一個所述程序被至少一個所述處理器執(zhí)行時實現(xiàn)如上所述的電子負載控制方法。

    24、第四方面,本申請實施例提供了一種計算機可讀存儲介質(zhì),其中存儲有處理器可執(zhí)行的程序,所述處理器可執(zhí)行的程序被處理器執(zhí)行時用于實現(xiàn)如上所述的電子負載控制方法。

    25、第五方面,本申請實施例提供了一種電子負載控制裝置,應(yīng)用于如上所述的電子負載控制電路,包括:

    26、第一控制模塊,用于控制目標mos管對應(yīng)的可控開關(guān)斷開,使得對應(yīng)的所述運放單元為誤差放大器;

    27、發(fā)送模塊,用于發(fā)送控制信號,使得所述控制信號經(jīng)過所述運放單元輸出至所述目標mos管的柵極,從而控制所述目標mos管的導(dǎo)通程度;

    28、第二控制模塊,用于控制目標mos管對應(yīng)的可控開關(guān)導(dǎo)通,使得對應(yīng)的所述運放單元為電壓跟隨器,所述控制信號由于第一電阻和第五電阻的分壓作用,經(jīng)過所述運放單元輸出至所述目標mos管的柵極電壓無法達到閾值電壓,所述目標mos管斷開。

    29、根據(jù)本申請的一些實施例,所述控制單元包括mcu和多路模擬開關(guān),所述mcu的輸出端連接所述dac的輸入端,所述多路模擬開關(guān)具有控制端、多個第一連接端和多個第二連接端,所述mcu的輸出端連接所述多路模擬開關(guān)的控制端,所述多路模擬開關(guān)的多個第一連接端皆與供電端連接,所述多路模擬開關(guān)的第二連接端與至少一個所述可控開關(guān)的控制端連接;

    30、所述第一控制模塊,包括:

    31、第一控制子模塊,用于控制目標第二連接端與所述供電端斷開連接,使得所述目標mos管對應(yīng)的所述可控開關(guān)斷開,所述目標第二連接端為:連接所述目標mos管對應(yīng)的所述可控開關(guān)的所述第二連接端;

    32、所述第二控制模塊,包括:

    33、第二控制子模塊,用于控制目標第二連接端與所述供電端連接,使得所述目標mos管對應(yīng)的所述可控開關(guān)導(dǎo)通。

    34、第六方面,本申請實施例提供了一種電子負載,包括如上所述的電子負載控制電路。

    35、本申請實施例中,通過控制目標mos管對應(yīng)的可控開關(guān)斷開,使得運放單元為誤差放大器,發(fā)送控制信號,使得控制信號經(jīng)過運放單元輸出至目標mos管的柵極,從而控制目標mos管的導(dǎo)通程度。通過控制目標mos管對應(yīng)的可控開關(guān)導(dǎo)通,使得運放單元為電壓跟隨器,控制信號由于第一電阻和第五電阻的分壓作用,經(jīng)過運放單元輸出至目標mos管的柵本文檔來自技高網(wǎng)...

    【技術(shù)保護點】

    1.一種電子負載控制電路,其特征在于,用于控制電子負載的多個MOS管,所述電路包括:

    2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子負載控制電路,其特征在于,所述控制單元包括:

    3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子負載控制電路,其特征在于,還包括:

    4.一種電子負載控制方法,其特征在于,應(yīng)用于如權(quán)利要求1所述的電子負載控制電路,所述方法包括:

    5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電子負載控制方法,其特征在于,所述控制單元包括MCU和多路模擬開關(guān),所述MCU的輸出端連接所述DAC的輸入端,所述多路模擬開關(guān)具有控制端、多個第一連接端和多個第二連接端,所述MCU的輸出端連接所述多路模擬開關(guān)的控制端,所述多路模擬開關(guān)的多個第一連接端皆與供電端連接,所述多路模擬開關(guān)的第二連接端與至少一個所述可控開關(guān)的控制端連接;

    6.一種電子設(shè)備,其特征在于,包括:

    7.一種計算機可讀存儲介質(zhì),其特征在于,其中存儲有處理器可執(zhí)行的程序,所述處理器可執(zhí)行的程序被處理器執(zhí)行時用于實現(xiàn)如權(quán)利要求4所述的電子負載控制方法。

    8.一種電子負載控制裝置,其特征在于,應(yīng)用于如權(quán)利要求1所述的電子負載控制電路,包括:

    9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的電子負載控制裝置,其特征在于,所述控制單元包括MCU和多路模擬開關(guān),所述MCU的輸出端連接所述DAC的輸入端,所述多路模擬開關(guān)具有控制端、多個第一連接端和多個第二連接端,所述MCU的輸出端連接所述多路模擬開關(guān)的控制端,所述多路模擬開關(guān)的多個第一連接端皆與供電端連接,所述多路模擬開關(guān)的第二連接端與至少一個所述可控開關(guān)的控制端連接;

    10.一種電子負載,其特征在于,包括如權(quán)利要求1至3任意一項所述的電子負載控制電路。

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    【技術(shù)特征摘要】

    1.一種電子負載控制電路,其特征在于,用于控制電子負載的多個mos管,所述電路包括:

    2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子負載控制電路,其特征在于,所述控制單元包括:

    3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子負載控制電路,其特征在于,還包括:

    4.一種電子負載控制方法,其特征在于,應(yīng)用于如權(quán)利要求1所述的電子負載控制電路,所述方法包括:

    5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電子負載控制方法,其特征在于,所述控制單元包括mcu和多路模擬開關(guān),所述mcu的輸出端連接所述dac的輸入端,所述多路模擬開關(guān)具有控制端、多個第一連接端和多個第二連接端,所述mcu的輸出端連接所述多路模擬開關(guān)的控制端,所述多路模擬開關(guān)的多個第一連接端皆與供電端連接,所述多路模擬開關(guān)的第二連接端與至少一個所述可控開關(guān)的控制端連接;

    6.一種電子設(shè)備...

    【專利技術(shù)屬性】
    技術(shù)研發(fā)人員:請求不公布姓名請求不公布姓名請求不公布姓名
    申請(專利權(quán))人:湖南恩智測控技術(shù)有限公司
    類型:發(fā)明
    國別省市:

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