【技術實現步驟摘要】
本專利技術屬于ito膜，具體涉及色差更優的超低方阻ito膜及其制備方法。
技術介紹
1、ec調光膜即電致變色調光膜，可以通過材料的反射率、透過率、吸收率等光學屬性在外加電場的作用下發生穩定、可逆的顏色變化，從而在外觀上表現為顏色和透明度的可逆變化，ec調光膜一般由多層薄膜構成，包括透明導電層、電致變色層、電解質層、離子儲存層等。
2、ito膜即氧化銦錫膜，其在ec調光膜中的應用主要作為透明電極使用，在電致變色器件的結構中，ito膜不僅可以允許光線通過，還提供了電子傳輸的路徑，以實現顏色和透明度的調節。ito膜在具體應用時需要進行蝕刻，以形成特定的電極圖案，以便在電場作用下控制電致變色層的變化。現有的ito膜在蝕刻過程中會出現蝕刻前后色差變化偏大的問題，容易降低ito膜的透明度和導電性能，進而會影響ec調光膜的使用效果。
3、因此，如何降低ito膜蝕刻前后的色差差值是目前需要解決的問題。
4、公開于該
技術介紹
部分的信息僅僅旨在增加對本專利技術的總體背景的理解，而不應當被視為承認或以任何形式暗示該信息構成已為本領域一般技術人員所公知的現有技術。
技術實現思路
1、本專利技術的目的在于提供色差更優的超低方阻ito膜及其制備方法，本專利技術中的ito膜方阻低，導電性優，蝕刻前后色差差值小，能夠滿足使用者的高要求。
2、為了實現上述目的，本專利技術一具體實施例提供的技術方案如下：
3、色差更優的超低方阻ito膜，包括基材層，所述基材
4、其中，第一ito層由兩種不同參雜比例的銦錫混合靶鍍設形成，一種銦錫混合靶中銦錫摩爾比以銦錫原子計為(80～99)：(1～20)，另一種銦錫混合靶中銦錫摩爾比以銦錫原子計為(88～95)：(5～12)；
5、第二ito層由兩種不同參雜比例的銦錫混合靶鍍設形成，一種銦錫混合靶中銦錫摩爾比以銦錫原子計為(80～99)：(1～20)，另一種銦錫混合靶中銦錫摩爾比以銦錫原子計為(88～95)：(5～12)。
6、在本專利技術的一個或多個實施例中，所述第一ito層厚度為50～250nm。
7、在本專利技術的一個或多個實施例中，所述第二ito層厚度為50～150nm。
8、在本專利技術的一個或多個實施例中，所述硅鋁混合層中硅鋁摩爾比，以硅鋁原子計為(75～99)：(1～25)。
9、在本專利技術的一個或多個實施例中，所述硅鋁混合層的厚度為1～30nm。
10、在本專利技術的一個或多個實施例中，所述打底層材質選自sio2、ti、tio2、si、al2o3、mgf2、sio、hfo2、sno2和y2o3。
11、在本專利技術的一個或多個實施例中，所述打底層厚度為0.2～20nm。
12、在本專利技術的一個或多個實施例中，所述基材層背離上涂布層的一側設有下涂布層，所述上涂布層和下涂布層均為丙烯酸樹脂層。
13、本專利技術另一具體實施例提供的技術方案如下：
14、色差更優的超低方阻ito膜的制備方法，包括如下步驟：
15、取基材層，在基材層的雙面分別涂布上涂布層和下涂布層，在下涂布層上設置高溫保護膜；
16、在上涂布層上依次鍍設打底層、硅鋁混合層、第一ito層和第二ito層；
17、在第二ito層上設置正保護膜。
18、在本專利技術的一個或多個實施例中，鍍設時，真空度為1×10-4pa以下，水汽值為9×10-5pa以下，反應氣體為氬氣、氮氣和氧氣混合氣體，氬氣、氮氣和氧氣流量比例為(60～80)：(20～35)：(5～10)。
19、與現有技術相比，本專利技術采用兩種不同參雜比例的銦錫靶鍍設ito層，有效降低了ito膜蝕刻前后的色差差值，蝕刻前后的色差值達到≤1％，現有的ito膜蝕刻前后色差偏大，一般在2％左右，顯然本專利技術中的ito膜更能夠滿足使用者的高要求。
本文檔來自技高網...【技術保護點】
1.一種色差更優的超低方阻ITO膜，其特征在于，包括基材層，所述基材層上依次層疊設有上涂布層、打底層、硅鋁混合層、第一ITO層和第二ITO層；
2.根據權利要求1所述的色差更優的超低方阻ITO膜，其特征在于，所述第一ITO層厚度為50～250nm。
3.根據權利要求1所述的色差更優的超低方阻ITO膜，其特征在于，所述第二ITO層厚度為50～150nm。
4.根據權利要求1所述的色差更優的超低方阻ITO膜，其特征在于，所述硅鋁混合層中硅鋁摩爾比，以硅鋁原子計為(75～99)：(1～25)。
5.根據權利要求1所述的色差更優的超低方阻ITO膜，其特征在于，所述硅鋁混合層的厚度為1～30nm。
6.根據權利要求1所述的色差更優的超低方阻ITO膜，其特征在于，所述打底層材質選自SiO2、Ti、TiO2、Si、Al2O3、MgF2、SiO、HfO2、SnO2和Y2O3。
7.根據權利要求1所述的色差更優的超低方阻ITO膜，其特征在于，所述打底層厚度為0.2～20nm。
8.根據權利要求1所述的色差更優的超低
9.權利要求1-8任一項所述的色差更優的超低方阻ITO膜的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：
10.根據權利要求9所述的色差更優的超低方阻ITO膜，其特征在于，鍍設時，真空度為1×10-4pa以下，水汽值為9×10-5pa以下，反應氣體為氬氣、氮氣和氧氣混合氣體，氬氣、氮氣和氧氣流量比例為(60～80)：(20～35)：(5～10)。
...【技術特征摘要】
1.一種色差更優的超低方阻ito膜，其特征在于，包括基材層，所述基材層上依次層疊設有上涂布層、打底層、硅鋁混合層、第一ito層和第二ito層；
2.根據權利要求1所述的色差更優的超低方阻ito膜，其特征在于，所述第一ito層厚度為50～250nm。
3.根據權利要求1所述的色差更優的超低方阻ito膜，其特征在于，所述第二ito層厚度為50～150nm。
4.根據權利要求1所述的色差更優的超低方阻ito膜，其特征在于，所述硅鋁混合層中硅鋁摩爾比，以硅鋁原子計為(75～99)：(1～25)。
5.根據權利要求1所述的色差更優的超低方阻ito膜，其特征在于，所述硅鋁混合層的厚度為1～30nm。
6.根據權利要求1所述的色差更優的超低方阻ito膜，其特征在于，所述打底層材質...
【專利技術屬性】
技術研發人員：高毓康，陳超，王志堅，陳濤，趙飛，
申請(專利權)人：浙江日久新材料科技有限公司，
類型：發明
國別省市：
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