【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及半導體器件，具體涉及一種sic?mosfet逆變器死區補償方法。
技術介紹
1、為了避免逆變器在運行過程中出現橋臂直通問題,器件的驅動時序中需要插入必要的死區時間。然而,死區會帶來逆變器基波電壓損失與畸變等問題。尤其當采用sicmosfet作為開關器件時,較高的開關頻率使得波形畸變更嚴重。當前死區補償方法基本上可以分為兩種:一種是平均電壓誤差補償法,這種方法具有易于實現的優點,缺點是補償不夠精確;另一類是基于脈沖等效時間補償法,這種方法可以對死區時間進行比較精確地補償,但對控制芯片的要求也更高。
2、為了不增加硬件成本并能更精確地實現死區補償，需對sic?mosfet逆變器的死區補償策略進行改進,以在不增加硬件成本的基礎上提升sicmosfet逆變器的性能,充分體現sic?mosfet給逆變器帶來的性能優勢。
技術實現思路
1、基于上述現狀，本專利技術的主要目的在于提供基于一種sic?mosfet逆變器死區補償方法，以通過死區補償和死區消除相結合的分段混合方法抑制死區效應對sic?mosfet作為開關器件的性能影響。
2、本專利技術解決其技術問題采用的技術方案如下：
3、本專利技術提供一種sic?mosfet逆變器死區補償方法，包括步驟：s1，獲取sic?mosfet逆變器輸出電流，計算sic?mosfet逆變器過零點時的電流波紋值；s2，根據電流波紋值劃分電流過零區域和電流非過零區域，當處于電流非過零區域時，在sic?mosfet
4、進一步地，在步驟s1中，獲取sic?mosfet逆變器輸出電流的具體方法為：根據sicmosfet逆變器交流側負載運行時的目標電流和被測電源電壓，得到瞬時目標電流指令即為sic?mosfet逆變器輸出電流。
5、進一步地，在步驟s1中，計算sic?mosfet逆變器過零點時的電流波紋值的具體方法為：根據sic?mosfet逆變器輸出電流的基波幅值和相位，計算得到sic?mosfet逆變器輸出端口實際電壓基波的幅值和相位，將其與被測電源電壓相結合計算精確閾值即為sicmosfet逆變器過零點時的電流波紋值。
6、進一步地，sic?mosfet逆變器為三相兩電平逆變器，在步驟s1中，計算電流波紋值的具體方法為：獲取sic?mosfet逆變器的電源電壓和三相的相電壓，在計算三相中其中一相的電流波紋時，對另外兩相利用戴維南定理進行等效計算，得到該相內每個開關周期的電流波紋幅值中絕對值中的較大值，進而得到一個基波周期內的電流過零點處的電流波紋值。
7、進一步地，實行死區消除的具體方法為：當處于電流過零點區域時，在該相橋臂上僅一個開關器件保持開通，另一個開關器件關斷，關斷的開關器件由并聯的二極管進行續流。
8、進一步地，實行死區補償的具體方法為：當處于電流非過零點區域時，在該相橋臂的驅動信號中加入死區時間，采用等效脈沖交換的方式進行死區補償。
9、進一步地，死區補償方法采用在sic?mosfet逆變器中內置軟件濾波器實時消除偶然諧波。
10、進一步地，軟件濾波器采用軟件算法在二階廣義積分器的基礎上新增一條減法通道和增加一個濾波器形成雙二階廣義積分器。
11、本專利技術的有益效果包括：
12、第一方面，本專利技術針對sic?mosfet逆變器中死區效應引起的電流諧波畸變問題,提出了死區分段消除與補償相結合的混合方法。該補償方法根據相電流是否過零,分別應用兩種補償方法,有效地抑制了死區效應,電流的諧波畸變率得到良好改善,提高了sicmosfet逆變器的穩態性能。第二方面，本專利技術在sic?mosfet逆變器中內置由雙二階廣義積分器形成的軟件濾波器，不增加硬件成本，并實現根據需求選擇不同的濾波算法和參數，具有較高的靈活性和可調性。
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1.一種SiC?MOSFET逆變器死區補償方法，其特征在于，所述死區補償方法包括步驟：
2.根據權利要求1所述的SiC?MOSFET逆變器死區補償方法，其特征在于，所述步驟S1中，獲取SiC?MOSFET逆變器輸出電流的具體方法為：
3.根據權利要求2所述的SiC?MOSFET逆變器死區補償方法，其特征在于，所述步驟S1中，計算SiC?MOSFET逆變器過零點時的電流波紋值的具體方法為：
4.根據權利要求1所述的SiC?MOSFET逆變器死區補償方法，其特征在于，所述SiCMOSFET逆變器為三相兩電平逆變器，所述步驟S1中，計算電流波紋值的具體方法為：
5.根據權利要求4所述的SiC?MOSFET逆變器死區補償方法，其特征在于，所述實行死區消除的具體方法為：當處于電流過零點區域時，在該相橋臂上僅一個開關器件保持開通，另一個開關器件關斷，關斷的開關器件由并聯的二極管進行續流。
6.根據權利要求4所述的SiC?MOSFET逆變器死區補償方法，其特征在于，所述實行死區補償的具體方法為：當處于電流非過零點區域時，在該相橋臂的驅
7.根據權利要求1所述的SiC?MOSFET逆變器死區補償方法，其特征在于，所述死區補償方法采用在SiC?MOSFET逆變器中內置軟件濾波器實時消除偶然諧波。
8.根據權利要求7所述的SiC?MOSFET逆變器死區補償方法，其特征在于，所述軟件濾波器采用軟件算法在二階廣義積分器的基礎上新增一條減法通道和增加一個濾波器形成雙二階廣義積分器。
...【技術特征摘要】
1.一種sic?mosfet逆變器死區補償方法，其特征在于，所述死區補償方法包括步驟：
2.根據權利要求1所述的sic?mosfet逆變器死區補償方法，其特征在于，所述步驟s1中，獲取sic?mosfet逆變器輸出電流的具體方法為：
3.根據權利要求2所述的sic?mosfet逆變器死區補償方法，其特征在于，所述步驟s1中，計算sic?mosfet逆變器過零點時的電流波紋值的具體方法為：
4.根據權利要求1所述的sic?mosfet逆變器死區補償方法，其特征在于，所述sicmosfet逆變器為三相兩電平逆變器，所述步驟s1中，計算電流波紋值的具體方法為：
5.根據權利要求4所述的sic?mosfet逆變器死區補償方法，其特征在于，所述實行死區消除的具體方...
【專利技術屬性】
技術研發人員：陳宇，李潤華，朱超群，趙雪齊，余訓斐，姚金才，
申請(專利權)人：深圳愛仕特科技有限公司，
類型：發明
國別省市：
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