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    一種提高氮化硅瓷片熱導(dǎo)的漿料制備方法技術(shù)

    技術(shù)編號:43345657 閱讀:17 留言:0更新日期:2024-11-15 20:43
    本發(fā)明專利技術(shù)公開了一種提高氮化硅瓷片熱導(dǎo)的漿料制備方法,涉及熱導(dǎo)陶瓷技術(shù)領(lǐng)域。漿料的原料組份包括:氮化硼粉體、還原劑、溶劑、粘結(jié)劑、塑化劑、分散劑;所述還原劑為三聚氰胺、尿素、三乙醇胺、乙酰苯胺中至少一種;本發(fā)明專利技術(shù)基于常規(guī)的氮化硼敷粉技術(shù)存在的弊端,將具有氮化還原作用的還原劑及其余助劑添加入氮化硼粉體中,乳化分散均勻,得到漿料,通過高壓均勻噴敷在生坯表面,形成均勻涂層,減少燒結(jié)過程中雜相的產(chǎn)生,從而提高瓷片的熱導(dǎo)率。

    【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】

    本專利技術(shù)涉及熱導(dǎo)陶瓷,具體為一種提高氮化硅瓷片熱導(dǎo)的漿料制備方法


    技術(shù)介紹

    1、氮化硅陶瓷具有高導(dǎo)熱性、高強(qiáng)度、高硬度、耐腐蝕性、高模量、低膨脹系數(shù)、抗氧化性和良好的抗熱沖擊及機(jī)械沖擊性能等,被材料科學(xué)界認(rèn)為是陶瓷領(lǐng)域中綜合性能優(yōu)良的陶瓷材料之一。商用高導(dǎo)熱氮化硅陶瓷的熱導(dǎo)率在80w/(m·k)左右,抗彎強(qiáng)度為600~850mpa。氮化硅瓷片在燒結(jié)時(shí),使用的是氣壓液相燒結(jié)技術(shù),因此片與片之間需要通過燒結(jié)溫度更高的氮化硼來起到隔離效果,否則片會燒結(jié)到一起,不易分開。涂覆在瓷片表面的氮化硼在高溫下易氧化,氧化的物質(zhì)會滲透進(jìn)在瓷片表面,在高溫下形成新的雜相,從而影響瓷片表面微觀晶相結(jié)構(gòu)和熱導(dǎo)率。

    2、本專利技術(shù)采用添加還原劑的方式制備的敷粉漿料,通過噴霧霧化的方式將漿料均勻的噴涂到生坯上,然后生坯排膠燒結(jié),還原劑在高溫下能分解氮?dú)狻錃饣蛱蓟铮@些分解物質(zhì)具有還原性,能夠?qū)⒎乐沟鹪诟邷叵卵趸蛘邔⒀趸蟮难趸疬€原成氮化硼,從而大量減少雜相的產(chǎn)生,進(jìn)而將氮化硅瓷片熱導(dǎo)率提高10%以上,達(dá)到90w/(m·k)以上。


    技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

    1、本專利技術(shù)的目的在于提供一種提高氮化硅瓷片熱導(dǎo)的漿料制備方法,以解決上述
    技術(shù)介紹
    中提出的問題。

    2、為了解決上述技術(shù)問題,本專利技術(shù)提供如下技術(shù)方案:

    3、一種提高氮化硅瓷片熱導(dǎo)的漿料,其中漿料的組成包括:按質(zhì)量百分?jǐn)?shù)計(jì),氮化硼粉體10~30%、還原劑0.2~2%、粘結(jié)劑0.5~2.5%、塑化劑0.2~1.5%、分散劑0.2~1.5%、其余為溶劑。

    4、所述溶劑為純水、去離子水、異丙醇、乙二醇、二甘醇中至少一種;進(jìn)一步設(shè)置為純水;

    5、所述粘結(jié)劑為羥乙基纖維素、丙烯酸樹脂、聚乙烯醇、甲基纖維素中至少一種;進(jìn)一步設(shè)置為甲基纖維素;

    6、所述塑化劑為十二碳醇酯、苯甲酸酯、鄰苯二甲酸二甲酯、二乙二醇丁醚中至少一種;進(jìn)一步設(shè)置為苯甲酸酯;

    7、所述分散劑為聚丙二醇、聚醚胺類、水性蓖麻油中至少一種;進(jìn)一步設(shè)置為聚丙二醇。

    8、一種提高氮化硅瓷片熱導(dǎo)的漿料的制備方法,具體制備步驟如下:

    9、s1)膠水配置:將溶劑、粘結(jié)劑混合,在60℃~90℃下,加熱攪拌,攪拌速度為20~120rpm,攪拌時(shí)間為0.5~2h,制得膠水;

    10、s2)溶劑預(yù)混:將溶劑、s1配置好的膠水、分散劑、塑化劑混合攪拌,攪拌速度為500~1500rpm,攪拌時(shí)間為10~30min,制成預(yù)混液;

    11、s3)還原劑溶解:將還原劑加入到預(yù)混液中,在80℃下,恒溫?cái)嚢瑁敝吝€原劑完全溶解;

    12、s4)配制漿料及乳化機(jī)分散:將氮化硼粉體加入到s3所制溶解還原劑的預(yù)混液中,乳化分散,轉(zhuǎn)速為3000~20000rpm,分散時(shí)間為2~6h,制得漿料。

    13、其中還原劑為三聚氰胺、尿素、三乙醇胺、乙酰苯胺中至少一種;進(jìn)一步設(shè)置為三聚氰胺;

    14、一種提高氮化硅瓷片熱導(dǎo)的漿料的應(yīng)用,具體步驟為:取所制漿料裝入噴霧敷粉機(jī),噴霧壓力為0.2~0.8mpa,噴敷在氮化硅生坯上,形成厚度為2~30μm,堆疊顆粒直徑為0.02~0.30mm的氮化硼涂層。

    15、與現(xiàn)有技術(shù)相比,本專利技術(shù)所達(dá)到的有益效果是:

    16、1)本專利技術(shù)所述的一種提高氮化硅瓷片熱導(dǎo)的漿料制備方法,選取可以溶解的還原劑,通過乳化機(jī)進(jìn)行分散后,溶解的還原劑能對氮化硼粉體形成很好的包裹及滲透,能夠均勻的分散在氮化硼顆粒表面;

    17、2)本專利技術(shù)所述的敷粉漿料中采用了高壓噴霧敷粉方式,在生坯表面形成厚度為2~30μm,堆疊顆粒直徑為0.02~0.30mm的涂層,敷粉顆粒均勻,隔燒效果好;

    18、3)本專利技術(shù)所述敷粉漿料通過添加還原劑,均勻敷粉在生坯表面,在排膠燒結(jié)陶瓷過程中,該還原劑可在600~1000℃高溫下能分解出氮?dú)狻錃饣蛱蓟铮@些分解物能減少氮化硼氧化,或?qū)⒀趸蟮难趸疬€原,減少瓷片表面雜相的產(chǎn)生,從而將瓷片熱導(dǎo)率提高10%以上。

    本文檔來自技高網(wǎng)...

    【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】

    1.一種提高氮化硅瓷片熱導(dǎo)的漿料,其特征在于,所述漿料的組成包括:按質(zhì)量百分?jǐn)?shù)計(jì),氮化硼粉體10~30%、還原劑0.2~2%、粘結(jié)劑0.5~2.5%、塑化劑0.2~1.5%、分散劑0.2~1.5%、其余為溶劑。

    2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種提高氮化硅瓷硅瓷片熱導(dǎo)的漿料,其特征在于,所述溶劑為純水、去離子水、異丙醇、乙二醇、二甘醇中至少一種。

    3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種提高氮化硅瓷硅瓷片熱導(dǎo)的漿料,其特征在于,所述粘結(jié)劑為羥乙基纖維素、丙烯酸樹脂、聚乙烯醇、甲基纖維素中至少一種。

    4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種提高氮化硅瓷硅瓷片熱導(dǎo)的漿料,其特征在于,所述塑化劑為十二碳醇酯、苯甲酸酯、鄰苯二甲酸二甲酯、二乙二醇丁醚中至少一種。

    5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種提高氮化硅瓷硅瓷片熱導(dǎo)的漿料,其特征在于,所述分散劑為聚丙二醇、聚醚胺類、水性蓖麻油中至少一種。

    6.一種提高氮化硅瓷片熱導(dǎo)的漿料的制備方法,其特征在于,包括以下步驟:

    7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種提高氮化硅瓷片熱導(dǎo)的漿料的制備方法,其特征在于,S1)中攪拌速度為20~120rpm;S2)中攪拌轉(zhuǎn)速為500~1500rpm;S4)中乳化轉(zhuǎn)速為3000~20000rpm。

    8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種提高氮化硅瓷片熱導(dǎo)的漿料的制備方法,其特征在于,所述還原劑為三聚氰胺、尿素、三乙醇胺、乙酰苯胺中至少一種。

    9.根據(jù)權(quán)利要求1~5中任意一項(xiàng)所述一種提高氮化硅瓷片熱導(dǎo)的漿料的應(yīng)用,其特

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    【技術(shù)特征摘要】

    1.一種提高氮化硅瓷片熱導(dǎo)的漿料,其特征在于,所述漿料的組成包括:按質(zhì)量百分?jǐn)?shù)計(jì),氮化硼粉體10~30%、還原劑0.2~2%、粘結(jié)劑0.5~2.5%、塑化劑0.2~1.5%、分散劑0.2~1.5%、其余為溶劑。

    2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種提高氮化硅瓷硅瓷片熱導(dǎo)的漿料,其特征在于,所述溶劑為純水、去離子水、異丙醇、乙二醇、二甘醇中至少一種。

    3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種提高氮化硅瓷硅瓷片熱導(dǎo)的漿料,其特征在于,所述粘結(jié)劑為羥乙基纖維素、丙烯酸樹脂、聚乙烯醇、甲基纖維素中至少一種。

    4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種提高氮化硅瓷硅瓷片熱導(dǎo)的漿料,其特征在于,所述塑化劑為十二碳醇酯、苯甲酸酯、鄰苯二甲酸二甲酯、二乙二醇丁醚中至少一種。

    【專利技術(shù)屬性】
    技術(shù)研發(fā)人員:王斌石亮葛荘丁闖崔夢德丁穎穎
    申請(專利權(quán))人:江蘇富樂華功率半導(dǎo)體研究院有限公司
    類型:發(fā)明
    國別省市:

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