• 
    <ul id="o6k0g"></ul>
    <ul id="o6k0g"></ul>

    帶圖案膜基板的制造方法及含氟共聚物技術(shù)

    技術(shù)編號(hào):43312275 閱讀:21 留言:0更新日期:2024-11-15 20:14
    本發(fā)明專利技術(shù)的帶圖案膜基板的制造方法包含:對(duì)帶圖案膜基板進(jìn)行UV臭氧清洗或氧等離子體清洗,得到第一帶圖案膜基板的清洗工序,其中,所述帶圖案膜基板是在基板上形成有具有圖案的圖案膜的帶圖案膜基板,上述圖案膜含有具有特定重復(fù)單元的含氟共聚物;及加熱上述第一帶圖案膜基板而得到第二帶圖案膜基板的加熱工序。

    【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】

    本申請(qǐng)涉及帶圖案膜基板的制造方法及含氟共聚物。本申請(qǐng)中的帶圖案膜基板的制造方法例如可以在基于噴墨法的顯示元件的制造中使用。作為顯示元件,例如能夠列舉出有機(jī)電致發(fā)光顯示器(以下,有機(jī)el顯示器)、微發(fā)光二極管顯示器(以下,微led顯示器)或量子點(diǎn)顯示器等。


    技術(shù)介紹

    1、使用噴墨法制造有機(jī)el顯示器、微led顯示器或量子點(diǎn)顯示器等顯示元件是眾所周知的。

    2、作為使用噴墨法的這些顯示元件的制造方法,能夠列舉出:通過噴嘴向以膜的凹凸的方式形成在基板上的圖案的凹部滴加油墨的液滴并使其固化的方法;或者向作為親液部和疏液部而預(yù)先形成在基板上的圖案膜上滴加油墨的液滴從而使油墨附著在親液部上的方法,其中,親液部為油墨潤濕部位、疏液部為排斥油墨的部位。

    3、在通過噴嘴向設(shè)置有凹凸的圖案膜的低洼(凹部)處滴加油墨的液滴使其固化的方法中,為了制作這樣的圖案膜,可以采用下述方法:通過以圖案狀對(duì)形成在基板上的抗蝕膜的表面進(jìn)行曝光,從而形成由曝光部和未曝光部構(gòu)成的圖案,將任意一個(gè)部位溶解在顯影液中,在抗蝕膜上形成凹凸的光刻法;或者利用印刷技術(shù)在基板上形成具有凹凸的圖案膜的壓印法。在這樣的具有凹凸的圖案膜中,優(yōu)選凹部的基板表面露出,優(yōu)選露出的基板表面為親液性。

    4、在噴墨法中,具有凹凸的圖案膜的凸部被稱為堤壩,在通過噴墨向圖案膜的凹部滴加油墨時(shí),堤壩發(fā)揮阻隔油墨混合的屏障作用。

    5、例如,專利文獻(xiàn)1中公開了一種在使用噴墨法的有機(jī)el顯示器的制造中,用作油墨的有機(jī)el元件用組合物。專利文獻(xiàn)1中還記載了預(yù)先在基板上制造堤壩,滴加形成發(fā)光層的油墨(有機(jī)el元件用組合物),制造有機(jī)el顯示器用的顯示元件。

    6、專利文獻(xiàn)2中公開了一種液晶用彩色濾光片的制造方法,其特征在于,通過光刻法,在形成有遮光性部位的透光性基板上的遮光部位上形成光敏性化合物層,然后使用噴墨記錄裝置噴出油墨,從而使著色劑排列在透光性部位上,所述光敏性化合物層含有表面張力或臨界表面張力為2.5×10-2[n/m]以下的疏水·疏油性化合物。專利文獻(xiàn)2中還記載了,通過噴墨向圖案膜的凹部滴加油墨時(shí),通過使形成堤壩的光敏性化合物層中含有氟類聚合物或氟類表面活性劑,從而提高堤壩的疏液性、防止油墨越過堤壩入侵相鄰的凹部。

    7、專利文獻(xiàn)3中公開了一種用于通過光刻法獲得由疏液區(qū)域和親液區(qū)域構(gòu)成的圖案的疏液抗蝕劑組合物。專利文獻(xiàn)3中還記載了,通過使用該疏液抗蝕劑組合物,可以通過噴墨法在基板上形成具有清晰的油墨潤濕反差的疏液-親液圖案,以及作為在通過噴墨法向圖案膜的凹部滴加油墨時(shí)防止油墨越過堤壩入侵相鄰的凹部的方法,使作為凹部的基板表面為親液性、堤壩表面為疏液性。

    8、專利文獻(xiàn)4中公開了一種用于噴墨法的圖案化用基板,其具有薄膜,所述薄膜上形成有規(guī)定高度的堤壩、以及由該堤壩分隔開的被涂布區(qū)域。專利文獻(xiàn)4中還記載了,作為凹部的被涂布區(qū)域是親液性的,作為凸部的堤壩是疏液性的。

    9、專利文獻(xiàn)5中公開了一種正型光敏性樹脂組合物,其可形成在固化膜表面具有高疏水性和疏油性的圖像。專利文獻(xiàn)5中還記載了,該正型光敏性樹脂組合物適合用作液晶顯示器或el顯示器中的層間絕緣膜、對(duì)應(yīng)于噴墨方式的遮光材料或間隔材料。

    10、此外,專利文獻(xiàn)4及5中還記載了,通過光刻在基板上形成圖案膜時(shí),作為圖案膜凹部的基板表面被有機(jī)物污染,通過壓印法形成圖案膜時(shí),在圖案膜的凹部發(fā)生膜殘留,因該等缺陷導(dǎo)致圖案膜的凹部成為疏水性,因此對(duì)使用了親水性油墨的帶圖案膜基板進(jìn)行親水化處理,使圖案膜的凹部為親水性。進(jìn)行親水化處理時(shí),在噴墨中,圖案膜的凹部不排斥油墨,可良好地向帶圖案膜基板滴加油墨。

    11、專利文獻(xiàn)4中還記載有,通過使帶圖案膜基板與氧等離子氣體及氟等離子氣體接觸,使作為圖案膜的凹部的基板表面具有親水性,使凸部的堤壩具有疏水性。

    12、根據(jù)專利文獻(xiàn)5中記載的正型光敏性樹脂組合物,可以獲得在親水化處理時(shí)的uv臭氧清洗后,作為堤壩的圖案膜的表面仍保持高疏液性的帶圖案膜基板。

    13、現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

    14、專利文獻(xiàn)

    15、專利文獻(xiàn)1:日本特開平11-54270號(hào)公報(bào)

    16、專利文獻(xiàn)2:日本特開平10-197715號(hào)公報(bào)

    17、專利文獻(xiàn)3:日本特開2012-220860號(hào)公報(bào)

    18、專利文獻(xiàn)4:日本特開2000-353594號(hào)公報(bào)

    19、專利文獻(xiàn)5:國際公開第2017/126610號(hào)


    技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

    1、(一)要解決的技術(shù)問題

    2、如專利文獻(xiàn)4及5中所記載,為了提高作為圖案膜的凹部的基板表面的親液性,對(duì)帶圖案膜基板進(jìn)行uv臭氧清洗或氧等離子體清洗時(shí),堤壩的疏液性會(huì)在清洗后下降,通過噴墨法向圖案膜的凹部滴加油墨時(shí),存在油墨越過堤壩、或堤壩溶解于油墨的問題。

    3、本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N解決上述問題的帶圖案膜基板的制造方法。此外,本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N上述圖案膜所含有的新型的含氟共聚物。

    4、(二)技術(shù)方案

    5、本申請(qǐng)的專利技術(shù)人為了解決上述問題進(jìn)行了深入研究,結(jié)果知曉了對(duì)含有特定的含氟共聚物的帶圖案膜基板進(jìn)行uv臭氧清洗或氧等離子體清洗時(shí),圖案膜的疏液性雖會(huì)暫時(shí)下降,但后續(xù)可通過加熱而獲得疏液性(疏液性得到恢復(fù))。

    6、對(duì)于含有特定的含氟共聚物的圖案膜,在uv臭氧清洗或氧等離子體清洗后,雖會(huì)觀察到其對(duì)水、以及在噴墨法中用作油墨溶劑的苯甲醚的疏液性下降,但通過對(duì)該圖案膜進(jìn)行加熱,對(duì)水、苯甲醚的已下降的疏液性均會(huì)恢復(fù)(參見本說明書[實(shí)施例]的表2及表3)。同樣,對(duì)于含有特定的含氟共聚物的圖案膜,在uv臭氧清洗或氧等離子體清洗后,雖然也會(huì)觀察到其對(duì)丙二醇單甲醚乙酸酯(pgmea)及二甲苯的疏液性下降,但通過對(duì)該圖案膜進(jìn)行加熱,對(duì)pgmea、二甲苯的已下降的疏液性也會(huì)得到恢復(fù)(參見本說明書[實(shí)施例]的表4及表5)。如此,本申請(qǐng)的專利技術(shù)人意外地發(fā)現(xiàn),對(duì)于含有特定的含氟共聚物的圖案膜,通過在uv清洗后進(jìn)行加熱,疏液性得到顯著恢復(fù)。

    7、推測疏液性通過加熱而得到恢復(fù)的原因在于,通過uv臭氧清洗或氧等離子體清洗,膜表面被氧化而成為親液性,但因使用了可抑制聚合物主鏈裂解的特殊的含氟共聚物,隨著由加熱引起的分子運(yùn)動(dòng),表面自由能小的氟烷基部向膜表面移動(dòng)。

    8、在本申請(qǐng)中,uv臭氧清洗是指,對(duì)帶圖案膜基板照射紫外線,打破附著于圖案膜及帶圖案膜基板的凹部的有機(jī)污染物的化學(xué)鍵,同時(shí)從通過紫外線照射而產(chǎn)生的臭氧中分離出的活性氧與有機(jī)污染物化學(xué)鍵合,將其分解為二氧化碳及水等揮發(fā)性物質(zhì),從而除去有機(jī)污染物的方法。作為紫外線照射裝置,通常使用低壓汞燈。

    9、此外,氧等離子體清洗是指,對(duì)含有氧分子的氣體施加高壓,通過使氧分子解離而產(chǎn)生的活性氧,將附著于帶圖案膜基板的表面的有機(jī)污染物分解為二氧化碳及水等揮發(fā)性物質(zhì)從而將其除去的方法。

    10、以下,公開專利技術(shù)1~17。

    11、[專利技術(shù)1]

    1本文檔來自技高網(wǎng)...

    【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】

    1.?一種帶圖案膜基板的制造方法,其包含:

    2.?根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法,其中,所述含氟共聚物同時(shí)含有式(A)所示的重復(fù)單元、式(B)所示的重復(fù)單元及式(C)所示的重復(fù)單元,

    3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的制造方法,其中,在所述加熱工序中,以50℃以上、350℃以下的溫度將所述第一帶圖案膜基板加熱10秒以上。

    4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的制造方法,其中,所述第二帶圖案膜基板是用于以噴墨法形成顯示元件的基板。

    5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的制造方法,其中,所述式(A)所示的重復(fù)單元中的Q為碳原子數(shù)3~10的氟烷基、X為羰基。

    6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制造方法,其中,所述式(A)所示的重復(fù)單元中的Q為全氟己基乙基、X為羰基。

    7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制造方法,其中,所述式(A)所示的重復(fù)單元中的Q為六氟異丙基、X為羰基。

    8.?根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的制造方法,其中,所述式(A)所示的重復(fù)單元為式(A-1)所示的重復(fù)單元,

    9.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制造方法,其中,所述式(A)所示的重復(fù)單元所具有的Q為六氟異丙基、X為羰基;所述式(B)所示的重復(fù)單元所具有的Y為對(duì)亞苯基或羧基亞乙基。

    10.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制造方法,其中,所述式(A)所示的重復(fù)單元所具有的Q為六氟異丙基、X為羰基;所述式(B)所示的重復(fù)單元所具有的Y為對(duì)亞苯基或羧基亞乙基;所述式(C)所示的重復(fù)單元所具有的Z為烷氧基、羧基、乙酰氧基或雙三氟甲基乙烯基。

    11.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制造方法,其中,所述式(C)所示的重復(fù)單元所具有的Z為雙三氟甲基乙烯基。

    12.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制造方法,其中,所述式(A)所示的重復(fù)單元所具有的Q為碳原子數(shù)3~10的氟烷基、X為羰基;所述式(B)所示的重復(fù)單元所具有的Y為對(duì)亞苯基、對(duì)亞苯基羰基或?qū)啽交悂啽凰鍪?C)所示的重復(fù)單元所具有的Z為雙三氟甲基乙烯基。

    13.?一種含氟共聚物,其同時(shí)含有下述式(A)所示的重復(fù)單元及式(C)所示的重復(fù)單元,

    14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的含氟共聚物,其中,所述式(A)所示的重復(fù)單元所具有的Q為碳原子數(shù)3~10的氟烷基、X為羰基;所述式(C)所示的重復(fù)單元所具有的Z為雙三氟甲基乙烯基。

    15.?一種含氟共聚物,其同時(shí)含有下述式(A)所示的重復(fù)單元、式(B)所示的重復(fù)單元及式(C)所示的重復(fù)單元,

    16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的含氟共聚物,其中,所述式(A)所示的重復(fù)單元所具有的Q為六氟異丙基、X為羰基;所述式(B)所示的重復(fù)單元所具有的Y為羧基亞乙基;所述式(C)所示的重復(fù)單元所具有的R3為氫原子或甲基、Z為碳原子數(shù)1~4的烷基羰氧基。

    17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的含氟共聚物,其中,所述式(A)所示的重復(fù)單元所具有的Q為碳原子數(shù)3~10的氟烷基、X為羰基;所述式(B)所示的重復(fù)單元所具有的Y為對(duì)亞苯基、對(duì)亞苯基羰基或?qū)啽交悂啽凰鍪?C)所示的重復(fù)單元所具有的R3為氫原子或甲基、Z為雙三氟甲基乙烯基。

    ...

    【技術(shù)特征摘要】

    1.?一種帶圖案膜基板的制造方法,其包含:

    2.?根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法,其中,所述含氟共聚物同時(shí)含有式(a)所示的重復(fù)單元、式(b)所示的重復(fù)單元及式(c)所示的重復(fù)單元,

    3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的制造方法,其中,在所述加熱工序中,以50℃以上、350℃以下的溫度將所述第一帶圖案膜基板加熱10秒以上。

    4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的制造方法,其中,所述第二帶圖案膜基板是用于以噴墨法形成顯示元件的基板。

    5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的制造方法,其中,所述式(a)所示的重復(fù)單元中的q為碳原子數(shù)3~10的氟烷基、x為羰基。

    6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制造方法,其中,所述式(a)所示的重復(fù)單元中的q為全氟己基乙基、x為羰基。

    7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制造方法,其中,所述式(a)所示的重復(fù)單元中的q為六氟異丙基、x為羰基。

    8.?根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的制造方法,其中,所述式(a)所示的重復(fù)單元為式(a-1)所示的重復(fù)單元,

    9.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制造方法,其中,所述式(a)所示的重復(fù)單元所具有的q為六氟異丙基、x為羰基;所述式(b)所示的重復(fù)單元所具有的y為對(duì)亞苯基或羧基亞乙基。

    10.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制造方法,其中,所述式(a)所示的重復(fù)單元所具有的q為六氟異丙基、x為羰基;所述式(b)所示的重復(fù)單元所具有的y為對(duì)亞苯基或羧基亞乙基;所述式(c)所示的重復(fù)單元所具有的z為烷氧基、羧基、乙酰氧基或雙三氟甲基乙烯基。...

    【專利技術(shù)屬性】
    技術(shù)研發(fā)人員:兼子讓青木貴志野村祐介佐佐木佳子佐野明日香
    申請(qǐng)(專利權(quán))人:中央硝子株式會(huì)社
    類型:發(fā)明
    國別省市:

    網(wǎng)友詢問留言 已有0條評(píng)論
    • 還沒有人留言評(píng)論。發(fā)表了對(duì)其他瀏覽者有用的留言會(huì)獲得科技券。

    1
    主站蜘蛛池模板: 暴力强奷在线播放无码| 精品无码一区二区三区水蜜桃 | 四虎影视无码永久免费| 国产精品热久久无码av| 日韩精品专区AV无码| 日本无码一区二区三区白峰美| heyzo专区无码综合| 亚洲av无码专区在线电影| 国产a级理论片无码老男人| 国产精品爽爽va在线观看无码| 无码无遮挡又大又爽又黄的视频| 亚洲成av人片在线观看天堂无码| 久久亚洲精品无码aⅴ大香| 超清无码一区二区三区| 国产成人无码午夜视频在线观看| 高清无码v视频日本www| 无码中文字幕日韩专区| 国产高新无码在线观看| av无码精品一区二区三区四区| 无码精品国产va在线观看dvd| 久久久久久AV无码免费网站下载| 无码AV一区二区三区无码| 四虎国产精品永久在线无码| 亚洲av无码成人精品区一本二本| 少妇人妻无码精品视频| 亚洲爆乳无码一区二区三区| 亚洲精品无码专区久久久| 丰满少妇人妻无码| 亚洲AV无码不卡在线观看下载| 全免费a级毛片免费看无码| mm1313亚洲国产精品无码试看| 久久久无码精品午夜| 亚洲国产AV无码一区二区三区| 亚洲日韩看片无码电影| 亚洲av无码专区在线观看下载| 色综合热无码热国产| 乱人伦人妻中文字幕无码久久网| 宅男在线国产精品无码| 亚洲日韩欧洲无码av夜夜摸| 国产V亚洲V天堂无码久久久| 久久久久久国产精品无码超碰 |