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發(fā)光器件及其制作方法技術(shù)

技術(shù)編號(hào)：43240391 閱讀：14 留言：0更新日期：2024-11-05 17:25

本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N發(fā)光器件及其制作方法，發(fā)光器件包括：基底、第一掩膜層、第一外延層與發(fā)光結(jié)構(gòu)；第一掩膜層位于基底上，第一掩膜層具有暴露基底的第一窗口，第一窗口包括開口端，開口端在基底所在平面上的正投影的面積小于與第一窗口在基底所在平面上的正投影的面積；第一外延層自基底外延生長(zhǎng)至填滿第一窗口；發(fā)光結(jié)構(gòu)位于第一外延層與第一掩膜層上。根據(jù)本發(fā)明專利技術(shù)的實(shí)施例，使用具有第一掩膜層的基底作為外延生長(zhǎng)GaN基材料的基底，利用第一窗口的內(nèi)收側(cè)壁，使得外延生長(zhǎng)的GaN基材料的位錯(cuò)終止在第一窗口的側(cè)壁，無法在第一窗口外繼續(xù)延伸。因而，可以降低GaN基材料的位錯(cuò)密度，提高發(fā)光器件的發(fā)光效率。

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【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
【國(guó)外來華專利技術(shù)】

技術(shù)介紹

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】

PCT國(guó)內(nèi)申請(qǐng)，權(quán)利要求書已公開。

【技術(shù)特征摘要】
【國(guó)外來華專利技術(shù)】

pct國(guó)內(nèi)申請(qǐng)，權(quán)...

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：程凱，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：蘇州晶湛半導(dǎo)體有限公司，
類型：發(fā)明
國(guó)別省市：

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