【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及半導體制造，尤其涉及一種微發光器件、一種顯示模組和一種顯示屏。
技術介紹
1、傳統的micro?led芯片(micro?light?emitting?diode，微型發光二極管)主要有n型半導體層、量子阱層和p型半導體層，并通過n電極與n型半導體層電連接、p電極與p型半導體層電連接，兩個電極通過外部給電壓，使得n型半導體層中的電子和p型半導體層中的空穴在量子阱層中復合，從而使得光從量子阱層發出。但是現有micro?led芯片的結構中如果n型半導體層、量子阱層和p型半導體層有一個層別中的部分區域損壞，將導致整個led器件失效而無法使用。
2、因此，亟需提供一種新的微發光器件的結構來解決傳統結構中部分區域損壞而導致整個器件失效的問題。
技術實現思路
1、因此，為克服現有技術中的至少部分缺陷，本專利技術實施例提供了一種微發光器件、一種顯示模組和一種顯示屏，可以改善傳統結構中部分區域損壞而導致整個器件失效的問題。
2、本專利技術的一個實施例提供一種微發光器件，包括：第一半導體層；功能層，所述功能層包括在所述第一半導體層上沿第一方向依次疊層的發光層和第二半導體層；所述功能層上設置有沿所述第一方向貫穿所述發光層和所述第二半導體層的溝道；所述功能層被所述溝道分割并形成多個發光部；所述第二半導體層包括一一對應所述多個發光部的多個第二半導體分層；絕緣結構，包括第一絕緣層；所述第一絕緣層設置在所述溝道內且分隔所述多個發光部；所述第一絕緣層上形成有沿所述第一方向貫穿
3、在一個實施例中，所述第一電極一體成型設置。
4、在一個實施例中，所述第一電極包括多個第一分電極，所述多個第一分電極相互間隔設置。
5、在一個實施例中，所述第一電極還包括連接部；所述多個第一分電極中的每個第一分電極包括焊盤部和導電部，所述焊盤部設置在所述功能層背向所述第一半導體層的一側，所述導電部設置在所述過孔內且相對的兩端分別連接所述第一半導體層和所述焊盤部；所述多個第一分電極中至少兩個第一分電極的所述導電部設置在同一所述過孔內；所述導電部設置在同一所述過孔內的至少兩個第一分電極通過所述連接部電連接。
6、在一個實施例中，所述溝道包括間隔槽和與所述間隔槽連通的過孔槽，所述過孔位于所述過孔槽內，所述間隔槽具有第一間隙寬度，所述過孔具有第二間隙寬度，所述第二間隙寬度大于所述第一間隙寬度。
7、在一個實施例中，所述第一間隙寬度大于等于3微米，所述第二間隙寬度大于等于4微米。
8、在一個實施例中，所述多個第二電極包括在第二方向相對的兩個第二電極，所述第一電極分別與所述兩個第二電極的連線方向均與所述第二方向交叉設置。
9、在一個實施例中，所述溝道包括多個間隔槽，所述多個間隔槽相互交叉設置。
10、在一個實施例中，所述過孔位于所述多個間隔槽交叉處。
11、在一個實施例中，所述絕緣結構還包括第二絕緣層，設置在所述功能層背向所述第一半導體的一側；所述第一電極和所述多個第二電極均設置在所述第二絕緣層背向所述功能層的一側；所述第二絕緣層上設置有與所述多個第二電極一一對應的多個開口，所述多個第二電極中的每個所述第二電極通過一個所述開口與對應的第二半導體分層電連接。
12、本專利技術另一個實施例提供一種顯示模組，包括：陣列基板，包括多個子像素以及與所述多個子像素一一對應的多個像素驅動電路；如前述任意一項實施例所述的微發光器件，多個所述微發光器件一一對應電連接所述多個像素驅動電路；其中，所述多個微發光器件包括目標微發光器件；所述多個像素驅動電路包括與所述目標微發光器件電連接的目標像素驅動電路；所述目標像素驅動電路包括多個第二綁定電極，以及至少一個第一綁定電極；所述多個第二綁定電極分別與所述目標微發光器件的多個第二電極一一連接；所述至少一個第一綁定電極與所述目標微發光器件的所述第一電極連接。
13、在一個實施例中，所述第一電極包括多個第一分電極，所述多個第一分電極相互間隔設置；所述第一綁定電極的數量為多個，多個所述第一綁定電極與所述多個第一分電極一一對應連接。
14、本專利技術另一個實施例提供一種顯示屏，包括前述顯示模組。
15、本專利技術上述實施例至少具有如下一個或多個有益效果：通過設置溝道將功能層分割成多個發光部，多個發光部相互獨立。每個發光部各自電連接一個第二電極。且第一電極通過溝道中的過孔與第一半導體層電連接，實現多個發光部共用第一半導體層的效果，當多個發光部中某個發光部中發光層或者第二半導體層局部發生損壞時其余發光部仍可通過第一電極和對應的第二電極通過外部給電壓實現發光。因此可以改善傳統結構中部分區域損壞導致整個發光器件失效的問題。
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1.一種微發光器件，其特征在于，包括：
2.如權利要求1所述的微發光器件，其特征在于，所述第一電極一體成型設置。
3.如權利要求1所述的微發光器件，其特征在于，所述第一電極包括多個第一分電極，所述多個第一分電極相互間隔設置。
4.如權利要求3所述的微發光器件，其特征在于，所述第一電極還包括連接部；所述多個第一分電極中的每個第一分電極包括焊盤部和導電部，所述焊盤部設置在所述功能層背向所述第一半導體層的一側，所述導電部設置在所述過孔內且相對的兩端分別連接所述第一半導體層和所述焊盤部；所述多個第一分電極中至少兩個第一分電極的所述導電部設置在同一所述過孔內；所述導電部設置在同一所述過孔內的所述至少兩個第一分電極通過所述連接部電連接。
5.如權利要求3所述的微發光器件，其特征在于，所述溝道包括間隔槽和與所述間隔槽連通的過孔槽，所述過孔位于所述過孔槽內，所述間隔槽具有第一間隙寬度，所述過孔具有第二間隙寬度，所述第二間隙寬度大于所述第一間隙寬度。
6.如權利要求5所述的微發光器件，其特征在于，所述第一間隙寬度大于等于3微米，所述第二間
7.如權利要求1所述的微發光器件，其特征在于，所述多個第二電極包括在第二方向相對的兩個第二電極，所述第一電極分別與所述兩個第二電極的連線方向均與所述第二方向交叉設置。
8.如權利要求1所述的微發光器件，其特征在于，所述溝道包括多個間隔槽，所述多個間隔槽相互交叉設置。
9.如權利要求8所述的微發光器件，其特征在于，所述過孔位于所述多個間隔槽交叉處。
10.如權利要求1所述的微發光器件，其特征在于，所述絕緣結構還包括第二絕緣層，設置在所述功能層背向所述第一半導體的一側；所述第一電極和所述多個第二電極均設置在所述第二絕緣層背向所述功能層的一側；所述第二絕緣層上設置有與所述多個第二電極一一對應的多個開口，所述多個第二電極中的每個所述第二電極通過一個所述開口與對應的第二半導體分層電連接。
11.一種顯示模組，其特征在于，包括：
12.如權利要求11所述的顯示模組，其特征在于，所述第一電極包括多個第一分電極，所述多個第一分電極相互間隔設置；所述第一綁定電極的數量為多個，多個所述第一綁定電極與所述多個第一分電極一一對應連接。
13.一種顯示屏，其特征在于，包括如權利要求11～12任一所述的顯示模組。
...【技術特征摘要】
1.一種微發光器件，其特征在于，包括：
2.如權利要求1所述的微發光器件，其特征在于，所述第一電極一體成型設置。
3.如權利要求1所述的微發光器件，其特征在于，所述第一電極包括多個第一分電極，所述多個第一分電極相互間隔設置。
4.如權利要求3所述的微發光器件，其特征在于，所述第一電極還包括連接部；所述多個第一分電極中的每個第一分電極包括焊盤部和導電部，所述焊盤部設置在所述功能層背向所述第一半導體層的一側，所述導電部設置在所述過孔內且相對的兩端分別連接所述第一半導體層和所述焊盤部；所述多個第一分電極中至少兩個第一分電極的所述導電部設置在同一所述過孔內；所述導電部設置在同一所述過孔內的所述至少兩個第一分電極通過所述連接部電連接。
5.如權利要求3所述的微發光器件，其特征在于，所述溝道包括間隔槽和與所述間隔槽連通的過孔槽，所述過孔位于所述過孔槽內，所述間隔槽具有第一間隙寬度，所述過孔具有第二間隙寬度，所述第二間隙寬度大于所述第一間隙寬度。
6.如權利要求5所述的微發光器件，其特征在于，所述第一間隙寬度大于等于3微米，所述第二間隙寬度大于等于4微米。
7.如權利要求1所述的...
【專利技術屬性】
技術研發人員：葉巖溪，
申請(專利權)人：廈門市芯穎顯示科技有限公司，
類型：發明
國別省市：
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