一種OLED結(jié)構(gòu)制造技術(shù)

本發(fā)明專利技術(shù)屬于有機(jī)發(fā)光二極管技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種OLED結(jié)構(gòu)。本發(fā)明專利技術(shù)提供一種OLED結(jié)構(gòu)，包括依次層疊設(shè)置的陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極，所述發(fā)光層的材料包括主體材料和客體材料；所述主體材料包括n型半導(dǎo)體材料和p型半導(dǎo)體材料組成的混合材料或雙極性單體材料。本發(fā)明專利技術(shù)通過調(diào)控發(fā)光層的主體材料，能夠減少發(fā)光層主體和HTL&ETL因極性不同導(dǎo)致的電荷積累，減少載流子在發(fā)光層界面處的積累，進(jìn)而可有效的改善電壓漂移，極大幅度的改善了產(chǎn)品的殘影。

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】

本專利技術(shù)屬于有機(jī)發(fā)光二極管，具體涉及一種oled結(jié)構(gòu)。

技術(shù)介紹

1、在有機(jī)發(fā)光二極管中，空穴注入層hil、空穴傳輸層htl為偏空穴型材料，極性一致，因此載流子在其界面的積累很少，故由載流子積累產(chǎn)生的焦耳熱導(dǎo)致電壓漂移很小，可忽略不計(jì)。同樣，電子注入層eil、電子傳輸層etl為偏電子型材料，極性一致，載流子在其界面的積累同樣很少，故由載流子積累產(chǎn)生的焦耳熱導(dǎo)致電壓漂移亦可忽略不計(jì)。

2、但是，由于發(fā)光層eml主體的極性同htl&etl的極性不同，容易導(dǎo)致器件在點(diǎn)亮的過程中電壓發(fā)生漂移，進(jìn)而導(dǎo)致器件產(chǎn)生殘影。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本專利技術(shù)的目的在于提供一種oled結(jié)構(gòu)，本專利技術(shù)提供的oled結(jié)構(gòu)能夠有效的降低器件的電壓漂移，進(jìn)而有效的避免了器件產(chǎn)生殘影。

2、為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本專利技術(shù)提供如下技術(shù)方案：

3、本專利技術(shù)提供了一種oled結(jié)構(gòu)，包括依次層疊設(shè)置的陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極，所述發(fā)光層的材料包括主體材料和客體材料；

4、所述主體材料包括n型半導(dǎo)體材料和p型半導(dǎo)體材料組成的混合材料或雙極性單體材料。

5、優(yōu)選的，所述雙極性單體材料包括4,4'-二(9-咔唑)聯(lián)苯。

6、優(yōu)選的，所述n型半導(dǎo)體材料包括二硝酰胺銨，所述p型半導(dǎo)體材料包括4,4',4”-三(咔唑-9-基)三苯胺；

7、所述混合材料中p型半導(dǎo)體材料的摻雜濃度為10～90wt％。</p>

8、優(yōu)選的，所述客體材料包括4,4'-二(2,2'-二苯乙烯基]-1,1'-聯(lián)苯或4,4'-雙(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1'-聯(lián)苯；所述客體材料在主體材料中的摻雜濃度為1～5％。

9、優(yōu)選的，所述發(fā)光層的厚度為

10、優(yōu)選的，所述空穴傳輸層的材料包括4,4',4”-三(咔唑-9-基)三苯胺或4,4'-環(huán)己基二[n,n-二(4-甲基苯基)苯胺]；所述空穴傳輸層的厚度為

11、優(yōu)選的，所述空穴注入層的材料為摻雜型材料或非摻雜型材料；所述非摻雜型材料包括二吡喃聯(lián)氮基[2,3-f:2',3'-h]喹喔啉-2,3,6,7,10,11-六甲腈；所述摻雜型材料包括主材料和摻雜料，所述主材料包括4,4',4”-三(咔唑-9-基)三苯胺或4,4'-環(huán)己基二[n,n-二(4-甲基苯基)苯胺]，所述摻雜料包括ndp-9，所述摻雜料的摻雜濃度為0.5～10wt％；所述空穴注入層的厚度為

12、優(yōu)選的，所述電子注入層的材料為摻雜型材料，所述摻雜型材料包括主料和摻料，所述主料包括二(2-羥基苯基吡啶)合鈹或4,7-二苯基-1,10-菲羅啉，所述摻料包括li、yb和ag中的一種或幾種，所述摻料的摻雜濃度為0.5～10wt％；所述電子注入層的厚度為

13、優(yōu)選的，所述電子傳輸層的材料包括二(2-羥基苯基吡啶)合鈹或4,7-二苯基-1,10-菲羅啉；所述電子傳輸層的厚度為

14、優(yōu)選的，所述陽極包括ito導(dǎo)電玻璃或ti/al/tin；所述陰極包括銀、izo或azo。

15、本專利技術(shù)提供一種oled結(jié)構(gòu)，包括依次層疊設(shè)置的陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極，所述發(fā)光層的材料包括主體材料和客體材料；所述主體材料包括n型半導(dǎo)體材料和p型半導(dǎo)體材料組成的混合材料或雙極性單體材料。本專利技術(shù)通過調(diào)控發(fā)光層的主體材料，能夠減少發(fā)光層主體和htl&etl因極性不同導(dǎo)致的電荷積累，減少載流子在發(fā)光層界面處的積累，進(jìn)而可有效的改善電壓漂移，極大幅度的改善了產(chǎn)品的殘影。

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【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】

1.一種OLED結(jié)構(gòu)，包括依次層疊設(shè)置的陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極，其特征在于，所述發(fā)光層的材料包括主體材料和客體材料；

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的OLED結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述雙極性單體材料包括4,4'-二(9-咔唑)聯(lián)苯。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的OLED結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述n型半導(dǎo)體材料包括二硝酰胺銨，所述p型半導(dǎo)體材料包括4,4',4”-三(咔唑-9-基)三苯胺；

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的OLED結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述客體材料包括4,4'-二(2,2'-二苯乙烯基]-1,1'-聯(lián)苯或4,4'-雙(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1'-聯(lián)苯；所述客體材料在主體材料中的摻雜濃度為1～5％。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的OLED結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述發(fā)光層的厚度為

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的OLED結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述空穴傳輸層的材料包括4,4',4”-三(咔唑-9-基)三苯胺或4,4'-環(huán)己基二[N,N-二(4-甲基苯基)苯胺]；所述空穴傳輸層的厚度為

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的OLED結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述空穴注入層的材料為摻雜型材料或非摻雜型材料；所述非摻雜型材料包括二吡喃聯(lián)氮基[2,3-f:2',3'-h]喹喔啉-2,3,6,7,10,11-六甲腈；所述摻雜型材料包括主材料和摻雜料，所述主材料包括4,4',4”-三(咔唑-9-基)三苯胺或4,4'-環(huán)己基二[N,N-二(4-甲基苯基)苯胺]，所述摻雜料包括NDP-9，所述摻雜料的摻雜濃度為0.5～10wt％；所述空穴注入層的厚度為

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的OLED結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述電子注入層的材料為摻雜型材料，所述摻雜型材料包括主料和摻料，所述主料包括二(2-羥基苯基吡啶)合鈹或4,7-二苯基-1,10-菲羅啉，所述摻料包括Li、Yb和Ag中的一種或幾種，所述摻料的摻雜濃度為0.5～10wt％；所述電子注入層的厚度為

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的OLED結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述電子傳輸層的材料包括二(2-羥基苯基吡啶)合鈹或4,7-二苯基-1,10-菲羅啉；所述電子傳輸層的厚度為

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的OLED結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述陽極包括ITO導(dǎo)電玻璃或Ti/Al/TiN；所述陰極包括銀、IZO或AZO。

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【技術(shù)特征摘要】

1.一種oled結(jié)構(gòu)，包括依次層疊設(shè)置的陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極，其特征在于，所述發(fā)光層的材料包括主體材料和客體材料；

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的oled結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述雙極性單體材料包括4,4'-二(9-咔唑)聯(lián)苯。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的oled結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述n型半導(dǎo)體材料包括二硝酰胺銨，所述p型半導(dǎo)體材料包括4,4',4”-三(咔唑-9-基)三苯胺；

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的oled結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述客體材料包括4,4'-二(2,2'-二苯乙烯基]-1,1'-聯(lián)苯或4,4'-雙(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1'-聯(lián)苯；所述客體材料在主體材料中的摻雜濃度為1～5％。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的oled結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述發(fā)光層的厚度為

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的oled結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述空穴傳輸層的材料包括4,4',4”-三(咔唑-9-基)三苯胺或4,4'-環(huán)己基二[n,n-二(4-甲基苯基)苯胺]；所述空穴傳輸層的厚度為

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的oled結(jié)構(gòu)，其特征...

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：張川，吳遠(yuǎn)武，吳迪，王江南，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：湖畔光芯半導(dǎo)體江蘇有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：