【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
【國(guó)外來(lái)華專利技術(shù)】
本公開總體上涉及一種用于無(wú)風(fēng)扇冷卻的包圍體。
技術(shù)介紹
1、大多數(shù)現(xiàn)代電子儀器都包含安裝在電路板上的電子元件。電路板可以被包圍在外殼中，該外殼帶有前檢修門、側(cè)壁和背板。外殼可以防止雜散材料進(jìn)入并損壞電子元件。此外，外殼還可以防止雜散電磁能的發(fā)射。
2、封裝在外殼中的電子元件在運(yùn)行過(guò)程中通常產(chǎn)生熱量。如果外殼內(nèi)的溫度不加控制地升高，電子元件可能失去其效用或受到不可修復(fù)的損壞。因此，最好能對(duì)外殼內(nèi)的電子元件進(jìn)行冷卻。
3、可以使用散熱器冷卻電子元件。散熱器是一種被動(dòng)式熱交換器，其可以將電子或機(jī)械設(shè)備產(chǎn)生的熱量轉(zhuǎn)移到流體介質(zhì)(通常是空氣或液體冷卻劑)中，并在流體介質(zhì)中將熱量從設(shè)備中散發(fā)出去，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)設(shè)備溫度的調(diào)節(jié)。在計(jì)算機(jī)中，散熱器用于冷卻中央處理器(cpu)、某些芯片組和隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(ram)模塊。散熱器還用于大功率半導(dǎo)體器件，例如，功率晶體管和光電器件(例如，激光器和發(fā)光二極管(led))，在這種情況下，元件本身的散熱能力不足以調(diào)節(jié)其溫度。
4、散熱器的設(shè)計(jì)目的是最大限度地?cái)U(kuò)大其與周圍冷卻介質(zhì)(例如，空氣)接觸的表面積。空氣流速、材料選擇、突起設(shè)計(jì)和表面處理都是影響散熱器性能的因素。散熱器的安裝方法和熱界面材料也會(huì)影響集成電路芯片的溫度。散熱膠或散熱膏可以通過(guò)填充散熱器與器件上的熱傳導(dǎo)器之間的空氣間隙，來(lái)提高散熱器的性能。散熱器通常由鋁或銅制成。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
1.一種裝置，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中，所述多個(gè)組件中的第一組件包括光學(xué)模塊。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的裝置，其中，所述多個(gè)組件中的第二組件包括專用集成電路(ASIC)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的裝置，其中，所述多個(gè)組件中的第二組件包括物理層(PHY)組件。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的裝置，其中，所述多個(gè)組件中的第二組件包括存儲(chǔ)器。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的裝置，其中，所述第一外表面比所述第二外表面更冷。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的裝置，其中，所述第一外表面將所述多個(gè)組件中的第一組件冷卻到70攝氏度或更低。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所述的裝置，其中，所述第二外表面將所述多個(gè)組件中的第二組件冷卻到95攝氏度或更低。
9.根據(jù)權(quán)利要求1至8中任一項(xiàng)所述的裝置，其中，所述設(shè)備包括網(wǎng)絡(luò)交換機(jī)。
10.根據(jù)權(quán)利要求1至9中任一項(xiàng)所述的裝置，其中，所述接合部包括：
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的裝置，其中
12.根據(jù)權(quán)利要求10或11所述的裝置，其中，所述法蘭包括多個(gè)穿孔，并且其中，所述多個(gè)穿孔偏離所述第一外表面和所述第二外表面之間的空氣間隙。
13.根據(jù)權(quán)利要求1至12中任一項(xiàng)所述的裝置，其中，所述第一外表面包括所述殼體的前面板和側(cè)面。
14.根據(jù)權(quán)利要求1至13中任一項(xiàng)所述的裝置，其中，所述第二外表面包括所述殼體的頂部。
15.一種裝置，包括：
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的裝置，其中，所述法蘭從所述第一外表面延伸，并壓緊附接到所述第二外表面的所述EMI墊圈。
17.根據(jù)權(quán)利要求15或16所述的裝置，其中，所述法蘭包括多個(gè)穿孔，并且所述多個(gè)穿孔偏離所述第一外表面和所述第二外表面之間的空氣間隙。
18.一種方法，包括：
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其中，所述多個(gè)組件中的第一組件包括光學(xué)模塊。
20.根據(jù)權(quán)利要求18或19所述的方法，其中，所述多個(gè)組件中的第二組件包括以下項(xiàng)中的一個(gè)：專用集成電路(ASIC)、物理層(PHY)組件、以及存儲(chǔ)器。
...【技術(shù)特征摘要】
【國(guó)外來(lái)華專利技術(shù)】
1.一種裝置，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中，所述多個(gè)組件中的第一組件包括光學(xué)模塊。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的裝置，其中，所述多個(gè)組件中的第二組件包括專用集成電路(asic)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的裝置，其中，所述多個(gè)組件中的第二組件包括物理層(phy)組件。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的裝置，其中，所述多個(gè)組件中的第二組件包括存儲(chǔ)器。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的裝置，其中，所述第一外表面比所述第二外表面更冷。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的裝置，其中，所述第一外表面將所述多個(gè)組件中的第一組件冷卻到70攝氏度或更低。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所述的裝置，其中，所述第二外表面將所述多個(gè)組件中的第二組件冷卻到95攝氏度或更低。
9.根據(jù)權(quán)利要求1至8中任一項(xiàng)所述的裝置，其中，所述設(shè)備包括網(wǎng)絡(luò)交換機(jī)。
10.根據(jù)權(quán)利要求1至9中任一項(xiàng)所述的裝置，其中，所述接合部包括：
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的裝置，其中，所述法蘭從所述第一外表...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：約瑟夫·F·雅克，愛德華·約翰·克利耶，哈里森·S·特普利茨，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：思科技術(shù)公司，
類型：發(fā)明
國(guó)別省市：
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