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    沉淀二氧化硅及其制造方法技術(shù)

    技術(shù)編號:42318360 閱讀:32 留言:0更新日期:2024-08-14 16:00
    本發(fā)明專利技術(shù)涉及具有小尺寸顆粒的沉淀二氧化硅及其制造方法。本發(fā)明專利技術(shù)進(jìn)一步涉及沉淀二氧化硅作為聚合物組合物、優(yōu)選彈性體組合物中的增強(qiáng)填料的用途。

    【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
    【國外來華專利技術(shù)】

    本專利技術(shù)涉及沉淀二氧化硅以及其制造方法。本專利技術(shù)進(jìn)一步涉及沉淀二氧化硅作為聚合物組合物、優(yōu)選彈性體組合物中的增強(qiáng)填料的用途。


    技術(shù)介紹

    1、使用沉淀二氧化硅作為聚合物組合物中的增強(qiáng)填料是已知的。具體地講,已知使用沉淀二氧化硅作為彈性體組合物中的增強(qiáng)填料。這種使用是要求非常高的:填料應(yīng)當(dāng)容易且有效地?fù)饺氩⒎稚⒃趶椥泽w組合物中,并且典型地連同偶聯(lián)劑與一種或多種彈性體形成化學(xué)鍵,從而導(dǎo)致彈性體組合物的高的且均勻的增強(qiáng)。一般來講,使用沉淀二氧化硅來改善彈性體組合物的機(jī)械特性以及處理和磨蝕性能。

    2、以本申請人名義的wo?2020/094717披露了一種沉淀二氧化硅,該沉淀二氧化硅具有在表面積(即ctab)與顆粒尺寸(即d50)之間的特定關(guān)系以提供彈性體組合物的以下特性之間的良好平衡:在相當(dāng)?shù)脑鰪?qiáng)指數(shù)(拉伸特性)和化合物加工性下低溫下的高遲滯和高溫下的低遲滯。即,根據(jù)本披露的d50必須高于當(dāng)二氧化硅的表面積ctab減小時增加的給定值。

    3、以本申請人名義的wo?03/016215披露了一種沉淀二氧化硅,該沉淀二氧化硅在以下方面具有給定的特性:即顆粒尺寸(通過xdc或x射線盤式離心機(jī)測量)和孔隙率。盡管這種二氧化硅作為彈性體組合物的增強(qiáng)物表現(xiàn)非常好,但本申請人現(xiàn)在已經(jīng)發(fā)現(xiàn),就彈性體組合物的機(jī)械特性而言,它可以進(jìn)一步改進(jìn)。


    技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

    1、已經(jīng)發(fā)現(xiàn)具有改進(jìn)的機(jī)械特性的彈性體組合物可以通過使用沉淀二氧化硅獲得,該沉淀二氧化硅的特征在于:

    2、-在從40至300m2/g范圍內(nèi)的ctab表面積;

    3、-具有通過saxs測量的低于11nm的平均尺寸dzs的初級顆粒;

    4、-低于0.45wt%的鋁的量wal;以及

    5、-通過離心沉降測量的中值顆粒尺寸d50,使得:

    6、|d50|<-0.782×|ctab|+255????(i)

    本文檔來自技高網(wǎng)...

    【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】

    1.一種沉淀二氧化硅,其特征在于:

    2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的沉淀二氧化硅,其具有從50至300m2/g、優(yōu)選從70至300m2/g、更優(yōu)選從80至270m2/g、或可替代地從120至275m2/g的CTAB表面積。

    3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的沉淀二氧化硅,其具有在50nm與200nm之間,優(yōu)選在75nm與150nm之間的d50。

    4.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的沉淀二氧化硅,其具有由下式表征的d84:|d84|<-2.08×|CTAB|+659(II)。

    5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的沉淀二氧化硅,其具有包含在120nm與430nm之間,優(yōu)選在150nm與400nm之間的d84。

    6.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的沉淀二氧化硅,其含有至少一種選自以下的元素:Ga、B、Sc、Y、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Fe、Co、Mg、Ca或Zn。

    7.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的沉淀二氧化硅,其具有使得|FWHM|<250-0.815×|CTAB|(III)的FWHM。

    8.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的沉淀二氧化硅,其具有的細(xì)粉率τf是使得:|τf|≥0.045×|CTAB|+84(IV)。

    9.一種用于制備根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的沉淀二氧化硅的方法,所述方法包括:

    10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法,其中,使用稀酸直到達(dá)到凝膠點(diǎn),并且在達(dá)到該凝膠點(diǎn)之后使用濃酸。

    11.根據(jù)權(quán)利要求9或10所述的方法,其中,在步驟(iv)期間添加到該反應(yīng)介質(zhì)中的硅酸鹽的量是該反應(yīng)所需的硅酸鹽的總量的至少55%。

    12.根據(jù)權(quán)利要求9至11中任一項(xiàng)所述的方法,其中,在步驟(i)與步驟(ii)之間進(jìn)行中間步驟(ii’),其中將硅酸鹽添加到該起始溶液中。

    13.根據(jù)權(quán)利要求1至8中任一項(xiàng)所述的沉淀二氧化硅作為催化劑、催化劑載體、用于活性材料的吸收劑(特別是用于液體的載體,尤其是用于食品中的載體,如維生素(維生素E或氯化膽堿)),作為粘度調(diào)節(jié)劑、調(diào)質(zhì)劑或抗結(jié)塊劑,作為牙膏、混凝土或紙的添加劑,在制造絕熱材料或在制備間苯二酚-甲醛/二氧化硅復(fù)合材料中的用途。

    14.根據(jù)權(quán)利要求1至8中任一項(xiàng)所述的沉淀二氧化硅用于制造填充的聚合物組合物的用途。

    15.一種組合物,其包含根據(jù)權(quán)利要求1至8中任一項(xiàng)所述的沉淀二氧化硅和至少一種聚合物。

    16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的組合物,其中,該至少一種聚合物是一種或多種彈性體。

    17.根據(jù)權(quán)利要求15或16所述的組合物在鞋底、地板覆蓋物、氣體阻隔物、阻燃材料,工程部件--如索道用輥、家用電器用密封件、液體或氣體管道用密封件、制動系統(tǒng)密封件、管道(柔性的)、護(hù)套(特別是纜線護(hù)套)、纜線、發(fā)動機(jī)支架、電池隔膜、傳送帶、傳輸帶或輪胎零件--例如輪胎胎面中的用途,其中后者用途是優(yōu)選的。

    18.一種輪胎的零件,該零件包含根據(jù)權(quán)利要求15或16所述的組合物。

    19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的零件,該零件是輪胎胎面。

    20.一種輪胎,其包含根據(jù)權(quán)利要求18或19所述的零件。

    21.一種車輛,其包括根據(jù)權(quán)利要求20所述的輪胎。

    ...

    【技術(shù)特征摘要】
    【國外來華專利技術(shù)】

    1.一種沉淀二氧化硅,其特征在于:

    2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的沉淀二氧化硅,其具有從50至300m2/g、優(yōu)選從70至300m2/g、更優(yōu)選從80至270m2/g、或可替代地從120至275m2/g的ctab表面積。

    3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的沉淀二氧化硅,其具有在50nm與200nm之間,優(yōu)選在75nm與150nm之間的d50。

    4.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的沉淀二氧化硅,其具有由下式表征的d84:|d84|<-2.08×|ctab|+659(ii)。

    5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的沉淀二氧化硅,其具有包含在120nm與430nm之間,優(yōu)選在150nm與400nm之間的d84。

    6.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的沉淀二氧化硅,其含有至少一種選自以下的元素:ga、b、sc、y、ti、zr、hf、v、nb、ta、fe、co、mg、ca或zn。

    7.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的沉淀二氧化硅,其具有使得|fwhm|<250-0.815×|ctab|(iii)的fwhm。

    8.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的沉淀二氧化硅,其具有的細(xì)粉率τf是使得:|τf|≥0.045×|ctab|+84(iv)。

    9.一種用于制備根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的沉淀二氧化硅的方法,所述方法包括:

    10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法,其中,使用稀酸直到達(dá)到凝膠點(diǎn),并且在達(dá)到該凝膠點(diǎn)之后使用濃酸。

    11.根據(jù)權(quán)利要求9或10所述的方法,其中,在步驟(iv)期間添加到該反應(yīng)介質(zhì)中的硅酸鹽的...

    【專利技術(shù)屬性】
    技術(shù)研發(fā)人員:C·費(fèi)拉爾馬丁E·奧蘭奈曼P·勞里奧爾加爾貝T·紹賽L·居伊
    申請(專利權(quán))人:羅地亞經(jīng)營管理公司
    類型:發(fā)明
    國別省市:

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