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    光電器件的后處理方法、后處理裝置及可讀存儲介質制造方法及圖紙

    技術編號:41399058 閱讀:14 留言:0更新日期:2024-05-20 19:23
    本申請提供一種光電器件的后處理方法、后處理裝置及可讀存儲介質。本申請的后處理方法,包括:獲取待處理光電器件的初始參數;根據所述初始參數,確定所述待處理光電器件的后處理參數;根據所述后處理參數對所述待處理光電器件進行后處理;其中,所述后處理參數包括處理方式、后處理環境參數以及處理時間,以更好的對不同的待處理光電器件進行后處理,提高了后處理的專屬性和特定性,提高光電器件的性能,得到性能較佳的器件。

    【技術實現步驟摘要】

    本申請涉及光電,具體涉及一種光電器件的后處理方法、后處理裝置及可讀存儲介質


    技術介紹

    1、隨著量子點發光二極管(qled)、有機發光二極管(oled)等器件的飛速發展,其在固態照明和顯示領域具有巨大的應用潛力。但器件性能達不到理想量產要求,嚴重制約著器件的實際應用。目前器件在制備之后,首先會出現器件的正向老化(即正老化)表征,即短時間存儲后器件性能具有一定改善,包括光電性能的提升,器件工作壽命的增加等。因此,利用器件正向老化的特征對器件進行后處理,能夠獲取性能更高的器件。

    2、但如何基于正向老化對器件進行后處理,制備性能較好的器件,則成為本領域亟待解決的技術問題。


    技術實現思路

    1、本申請提供一種光電器件的后處理方法、后處理裝置及可讀存儲介質,旨在制備性能較好的器件。

    2、一方面,本申請提供一種光電器件的后處理方法,所述方法包括:獲取待處理光電器件的初始參數;根據所述初始參數,確定所述待處理光電器件的后處理參數;根據所述后處理參數對所述待處理光電器件進行后處理;其中,所述后處理參數包括處理方式、后處理環境參數以及處理時間。

    3、在一些實施例中,根據所述初始參數,確定所述待處理光電器件的后處理參數,包括:將所述初始參數輸入已訓練的后處理參數預測模型,得到所述待處理光電器件的后處理參數;其中,所述后處理參數預測模型基于機器學習模型及樣本集進行訓練得到;所述樣本集包括樣本器件的種類參數、后處理參數、以及與所述種類參數和所述后處理參數對應的性能參數。</p>

    4、在一些實施例中,所述獲取待處理光電器件的初始參數,包括:獲取所述待處理光電器件的種類參數;基于所述種類參數確定所述初始參數。

    5、在一些實施例中,所述獲取待處理光電器件的初始參數,還包括:獲取預設環境參數和/或預設性能參數;所述基于所述種類參數確定所述初始參數,包括:基于所述種類參數、以及所述預設環境參數和/或所述預設性能參數確定所述初始參數;其中,所述后處理環境參數中的參數種類包括所述預設環境參數的參數種類。

    6、在一些實施例中,所述處理方式包括靜置處理;和/或所述后處理環境參數包括溫度、濕度及壓強中的至少一種;和/或所述預設環境參數包括溫度、濕度及壓強中的至少一種。

    7、在一些實施例中,所述獲取所述待處理光電器件的種類參數,包括:獲取所述待處理光電器件的制備信息;基于所述制備信息確定所述種類參數;其中,所述制備信息包括制備所述待處理光電器件過程中的材料使用信息、結構信息以及制備工藝信息。

    8、在一些實施例中,所述將所述初始參數輸入已訓練的后處理參數預測模型,得到所述待處理光電器件的后處理參數之前,包括:對多個樣本器件進行后處理,并獲取每一個所述樣本器件對應的種類參數和后處理參數;對已進行后處理的每一個所述樣本器件進行測試,并獲取每一個所述樣本器件的所述性能參數;其中,每一個所述樣本器件對應的所述種類參數、所述后處理參數以及所述性能參數作為一組樣本數據,所述樣本集包括多組樣本數據。

    9、在一些實施例中,所述對已進行后處理的每一個所述樣本器件進行測試,并獲取每一個所述樣本器件的所述性能參數,包括:對所述樣本器件進行微波輻照,并獲取所述樣本器件進行所述微波輻照前后的溫度變化;基于所述溫度變化獲取所述樣本器件的所述內部含水量;根據所述內部含水量確定所述性能參數。

    10、在一些實施例中,所述對所述樣本器件進行微波輻照,并獲取所述樣本器件進行所述微波輻照前后的溫度變化,包括:對所述樣本器件進行微波輻照,并通過熱紅外成像獲取所述樣本器件進行所述微波輻照前后的溫度變化。

    11、在一些實施例中,所述基于所述溫度變化獲取所述樣本器件的所述內部含水量之后,還包括:對所述樣本器件進行壽命測試和發光性能測試,并獲取所述樣本器件的發光性能參數和壽命參數;所述根據所述內部含水量確定所述性能參數,包括:根據所述內部含水量、所述發光性能參數以及所述壽命參數確定所述性能參數。

    12、在一些實施例中,所述根據所述內部含水量、所述發光性能參數以及所述壽命參數確定所述性能參數,包括:獲取預設性能權重;根據所述內部含水量、所述發光性能參數、所述壽命參數以及預設性能權重,確定所述性能參數。

    13、在一些實施例中,所述根據所述后處理參數對所述待處理光電器件進行后處理之后,還包括:對經過后處理的所述待處理光電器件進行封裝處理。

    14、另一方面,本申請提供一種光電器件的后處理裝置,包括:獲取模塊,用于獲取待處理光電器件的初始參數;參數確定模塊,用于根據所述初始參數,確定所述待處理光電器件的后處理參數;處理模塊,用于根據所述后處理參數對所述待處理光電器件進行后處理;其中,所述后處理參數包括處理方式、后處理環境參數以及處理時間。

    15、另一方面,本申請提供一種光電器件的后處理裝置,包括:互相耦接的存儲器和處理器,所述處理器用于執行所述存儲器中存儲的程序指令,以實現上述的光電器件的后處理方法。

    16、在一實施例中,還包括:檢測組件,所述檢測組件與所述處理器通信連接;所述檢測組件包括內部含水量檢測組件,所述內部含水量檢測組件包括微波發生器與熱紅外成像探測器,所述微波發生器用于對光電器件進行微波輻照,所述熱紅外成像探測器用于獲取微波輻照前后的光電器件的溫度變化。

    17、另一方面,本申請提供一種計算機可讀存儲介質,所述計算機可讀存儲介質中存儲有程序指令,所述程序指令被處理器執行時實現上述的光電器件的后處理方法。

    18、本申請提供的光電器件的后處理方法,包括:獲取待處理光電器件的初始參數;根據所述初始參數,確定所述待處理光電器件的后處理參數;根據所述后處理參數對所述待處理光電器件進行后處理;其中,所述后處理參數包括處理方式、后處理環境參數以及處理時間,以更好的對不同的待處理光電器件進行后處理,提高了后處理的專屬性和特定性,提高光電器件的性能,得到性能較佳的器件。

    本文檔來自技高網...

    【技術保護點】

    1.一種光電器件的后處理方法,其特征在于,包括:

    2.根據權利要求1所述的后處理方法,其特征在于,根據所述初始參數,確定所述待處理光電器件的后處理參數,包括:

    3.根據權利要求2所述的后處理方法,其特征在于,所述獲取待處理光電器件的初始參數,包括:

    4.根據權利要求3所述的后處理方法,其特征在于,所述獲取待處理光電器件的初始參數,還包括:

    5.根據權利要求4所述的后處理方法,其特征在于,所述處理方式包括靜置處理;和/或

    6.根據權利要求3所述的后處理方法,其特征在于,所述獲取所述待處理光電器件的種類參數,包括:

    7.根據權利要求2所述的后處理方法,其特征在于,所述將所述初始參數輸入已訓練的后處理參數預測模型,得到所述待處理光電器件的后處理參數之前,包括:

    8.根據權利要求7所述的后處理方法,其特征在于,所述對已進行后處理的每一個所述樣本器件進行測試,并獲取每一個所述樣本器件的所述性能參數,包括:

    9.根據權利要求8所述的后處理方法,其特征在于,所述對所述樣本器件進行微波輻照,并獲取所述樣本器件進行所述微波輻照前后的溫度變化,包括:

    10.根據權利要求7所述的后處理方法,其特征在于,所述基于所述溫度變化獲取所述樣本器件的所述內部含水量之后,還包括:

    11.根據權利要求10所述的后處理方法,其特征在于,所述根據所述內部含水量、所述發光性能參數以及所述壽命參數確定所述性能參數,包括:

    12.根據權利要求1所述的后處理方法,其特征在于,所述根據所述后處理參數對所述待處理光電器件進行后處理之后,還包括:

    13.一種光電器件的后處理裝置,其特征在于,包括:

    14.一種光電器件的后處理裝置,其特征在于,包括:

    15.根據權利要求14所述的裝置,其特征在于,還包括:

    16.一種計算機可讀存儲介質,其特征在于,所述計算機可讀存儲介質中存儲有程序指令,所述程序指令被處理器執行時實現權利要求1至12中任一項所述的光電器件的后處理方法。

    ...

    【技術特征摘要】

    1.一種光電器件的后處理方法,其特征在于,包括:

    2.根據權利要求1所述的后處理方法,其特征在于,根據所述初始參數,確定所述待處理光電器件的后處理參數,包括:

    3.根據權利要求2所述的后處理方法,其特征在于,所述獲取待處理光電器件的初始參數,包括:

    4.根據權利要求3所述的后處理方法,其特征在于,所述獲取待處理光電器件的初始參數,還包括:

    5.根據權利要求4所述的后處理方法,其特征在于,所述處理方式包括靜置處理;和/或

    6.根據權利要求3所述的后處理方法,其特征在于,所述獲取所述待處理光電器件的種類參數,包括:

    7.根據權利要求2所述的后處理方法,其特征在于,所述將所述初始參數輸入已訓練的后處理參數預測模型,得到所述待處理光電器件的后處理參數之前,包括:

    8.根據權利要求7所述的后處理方法,其特征在于,所述對已進行后處理的每一個所述樣本器件進行測試,并獲取每一個所述樣本器件的所述性能參數,包括:

    9.根...

    【專利技術屬性】
    技術研發人員:洪佳婷敖資通王勁賀曉光黃子健黃盼寧
    申請(專利權)人:深圳市TCL高新技術開發有限公司
    類型:發明
    國別省市:

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