【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及半導體設備，更具體的說是涉及一種自加熱納米壓印工藝。
技術介紹
1、納米壓印光刻被宣傳為一種簡單、低成本、高分辨率的工藝。這是一種1×光刻法，其中將模具壓入材料中以形成圖案。納米壓印適用于大學實驗室研究、設備原型設計、制造和許多其他應用。
2、納米壓印技術可以不受光刻機線寬的限制，只要提供一個相應的模板就可以完成高精度光刻。當前納米壓印技術已經逐漸開始應用于pss等
然而納米壓印也存在其一定局限性，其中之一就是傳統的納米壓印技術是在壓印光刻膠過程中由設備進行加熱固化光刻膠柱，其會導致熱損耗大、加熱精度低、散熱慢，導致壓印膜較易硬化且光刻膠柱不穩定等問題。
3、因此，研究出一種熱損耗小、散熱快，且加熱可控的自加熱納米壓印工藝是本領域技術人員亟需解決的問題。
技術實現思路
1、有鑒于此，本專利技術提供了一種熱損耗小、散熱快，且加熱可控的自加熱納米壓印工藝。
2、為了實現上述目的，本專利技術采用如下技術方案：
3、一種自加熱納米壓印工藝，包括如下壓印步驟：
4、s1，選擇所需的圖形化基板；
5、s2，在選好的圖形化基板上成型帶有導電薄膜的壓印膠；
6、s3，待步驟s2中帶有導電薄膜的壓印膠固化后，將其整體從圖形化基板上進行剝離，得到圖形化電極結構；
7、s4，在襯底上旋涂光刻膠，然后將圖形化電極結構帶有圖形的一側覆蓋到光刻膠上，并施加壓力，進行壓印形成膠柱，然后打開電源為
8、采用上述技術方案的有益效果是，本專利技術的圖形化電極結構內部有導電薄膜，將導電薄膜通電后，可以對膠柱進行加熱，使其固化，此種加熱方式的熱損耗小、散熱快，并且可通過調整到導電薄膜的電阻、通入的電壓來控制加熱的溫度和速度。
9、優選的，步驟s2中的壓印膠選用硅膠或聚乙烯吡咯烷酮或聚乙烯醇材料。
10、優選的，步驟s2中的導電薄膜選用金屬納米線或導電聚合物或碳基材料。
11、優選的，步驟s2中先在圖形化基板上噴涂一層透明導電薄膜，然后在已經鍍膜的圖形化基板上覆蓋一層液態壓印膠，得到帶有導電薄膜的壓印膠。壓印膠要包裹住導電薄膜，并將導電薄膜一起從圖形化基板上剝離掉。
12、優選的，步驟s3中得到圖形化電極結構后，在圖像化電極結構上引出正負電極，然后與電源連接。
13、優選的，步驟s2中先在圖形化基板上鍍上第一層液態壓印膠；待第一層液態壓印膠固化后在其上表面進行等離子清洗，清洗完后在第一層液態壓印膠上表面噴涂一層透明導電薄膜；然后在導電薄膜的上表面鍍上第二層液態壓印膠，得到帶有導電薄膜的壓印膠。
14、優選的，在第一層液態壓印膠上噴涂透明導電薄膜后，先在導電薄膜上引出正負電極，然后再鍍第二層液態壓印膠。先將正負電極引出，再鍍第二層液態壓印膠，方便將導電薄膜與電源連接。
15、優選的，步驟s2中先在圖形化基板上鍍上第一層液態壓印膠；待第一層液態壓印膠固化后在其上表面覆蓋一層復合自支撐透明導電薄膜，然后在復合自支撐透明導電薄膜的上表面鍍上第二層液態壓印膠，得到帶有導電薄膜的壓印膠。
16、優選的，在平面襯底上鍍一層銀納米線基透明導電薄膜，然后再在其表面鍍一層液態pva，并固化，然后將其從平面襯底上剝離，得到復合自支撐透明導電薄膜。
17、優選的，得到復合自支撐透明導電薄膜后，先引出正負電極，然后在復合自支撐透明導電薄膜上鍍第二層液態壓印膠。
18、經由上述的技術方案可知，與現有技術相比，本專利技術公開提供了一種自加熱納米壓印工藝，其有益效果為：
19、(1)本專利技術中的圖形化電極結構內有導電薄膜，可以進行自加熱納米壓印，不再使用納米壓印機自身加熱的方式，可以提升納米壓印膜壽命和光刻膠柱的穩定性；
20、(2)通過導電薄膜自加熱進行納米壓印的工藝，具有熱損耗小、散熱快、成本低的特點，并且可通過調整膜電阻、通入電壓來控制溫度及加熱速度。
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1.一種自加熱納米壓印工藝，其特征在于，包括如下壓印步驟：
2.根據權利要求1所述的一種自加熱納米壓印工藝，其特征在于，步驟S2中的壓印膠(6)選用硅膠或聚乙烯吡咯烷酮或聚乙烯醇材料。
3.根據權利要求2所述的一種自加熱納米壓印工藝，其特征在于，步驟S2中的導電薄膜(5)選用金屬納米線或導電聚合物或碳基材料。
4.根據權利要求3所述的一種自加熱納米壓印工藝，其特征在于，步驟S2中先在圖形化基板(1)上噴涂一層透明導電薄膜(5)，然后在已經鍍膜的圖形化基板(1)上覆蓋一層液態壓印膠，得到帶有導電薄膜的壓印膠。
5.根據權利要求4所述的一種自加熱納米壓印工藝，其特征在于，步驟S3中得到圖形化電極結構后，在圖像化電極結構上引出正負電極，然后與電源連接。
6.根據權利要求3所述的一種自加熱納米壓印工藝，其特征在于，步驟S2中先在圖形化基板(1)上鍍上第一層液態壓印膠(7)；待第一層液態壓印膠(7)固化后在其上表面進行等離子清洗，清洗完后在第一層液態壓印膠(7)上表面噴涂一層透明導電薄膜(5)；然后在導電薄膜(5)的上表面鍍上第二
7.根據權利要求6所述的一種自加熱納米壓印工藝，其特征在于，在第一層液態壓印膠(7)上噴涂透明導電薄膜后，先在導電薄膜(5)上引出正負電極，然后再鍍第二層液態壓印膠(8)。
8.根據權利要求3所述的一種自加熱納米壓印工藝，其特征在于，步驟S2中先在圖形化基板(1)上鍍上第一層液態壓印膠(7)；待第一層液態壓印膠(7)固化后在其上表面覆蓋一層復合自支撐透明導電薄膜(9)，然后在復合自支撐透明導電薄膜(9)的上表面鍍上第二層液態壓印膠(8)，得到帶有導電薄膜的壓印膠。
9.根據權利要求8所述的一種自加熱納米壓印工藝，其特征在于，在平面襯底上鍍一層銀納米線基透明導電薄膜，然后再在其表面鍍一層液態PVA，并固化，然后將其從平面襯底上剝離，得到復合自支撐透明導電薄膜(9)。
10.根據權利要求9所述的一種自加熱納米壓印工藝，其特征在于，得到復合自支撐透明導電薄膜(9)后，先引出正負電極，然后在復合自支撐透明導電薄膜(9)上鍍第二層液態壓印膠(8)。
...【技術特征摘要】
1.一種自加熱納米壓印工藝，其特征在于，包括如下壓印步驟：
2.根據權利要求1所述的一種自加熱納米壓印工藝，其特征在于，步驟s2中的壓印膠(6)選用硅膠或聚乙烯吡咯烷酮或聚乙烯醇材料。
3.根據權利要求2所述的一種自加熱納米壓印工藝，其特征在于，步驟s2中的導電薄膜(5)選用金屬納米線或導電聚合物或碳基材料。
4.根據權利要求3所述的一種自加熱納米壓印工藝，其特征在于，步驟s2中先在圖形化基板(1)上噴涂一層透明導電薄膜(5)，然后在已經鍍膜的圖形化基板(1)上覆蓋一層液態壓印膠，得到帶有導電薄膜的壓印膠。
5.根據權利要求4所述的一種自加熱納米壓印工藝，其特征在于，步驟s3中得到圖形化電極結構后，在圖像化電極結構上引出正負電極，然后與電源連接。
6.根據權利要求3所述的一種自加熱納米壓印工藝，其特征在于，步驟s2中先在圖形化基板(1)上鍍上第一層液態壓印膠(7)；待第一層液態壓印膠(7)固化后在其上表面進行等離子清洗，清洗完后在第一層液態壓印膠(7)上表面噴涂一層透明導電薄膜(5)；然后在導電薄...
【專利技術屬性】
技術研發人員：楊志偉，宋立軍，
申請(專利權)人：吉林工業職業技術學院，
類型：發明
國別省市：
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