本公開提供了一種半導體熱處理設備及半導體產(chǎn)品的熱處理方法，半導體熱處理設備包括基座、承載裝置和調(diào)節(jié)裝置，基座中設置有反應腔，承載裝置設置于反應腔中，調(diào)節(jié)裝置與承載裝置相連，調(diào)節(jié)裝置能夠根據(jù)半導體產(chǎn)品的底面與反應腔的底壁之間的間距，調(diào)節(jié)承載裝置與反應腔的底壁之間的間距。本公開中，調(diào)節(jié)裝置能夠根據(jù)半導體產(chǎn)品的底面與反應腔的底壁之間的間距，驅(qū)動承載裝置相對基座運動，以調(diào)節(jié)承載裝置上的半導體產(chǎn)品與反應腔的底壁之間的間距，避免形變的半導體產(chǎn)品與基座相撞出現(xiàn)損傷，節(jié)省了成本。節(jié)省了成本。節(jié)省了成本。
【技術實現(xiàn)步驟摘要】
一種半導體熱處理設備及半導體產(chǎn)品的熱處理方法
[0001]本公開涉及半導體
，尤其涉及一種半導體熱處理設備及半導體產(chǎn)品的熱處理方法。
技術介紹
[0002]在半導體產(chǎn)品加工過程中，通常需要對半導體產(chǎn)品進行退火處理，以使得半導體產(chǎn)品能夠滿足工藝需求。目前，常用的加熱設備為快速退火爐(Rapid Thermal Processing，簡稱為RTP)。
[0003]退火過程中，半導體產(chǎn)品的形狀受到溫度的影響會發(fā)生變化，導致半導體產(chǎn)品可能與快速退火爐的內(nèi)部器件接觸發(fā)生損傷，增加了成本。
技術實現(xiàn)思路
[0004]以下是對本公開詳細描述的主題的概述。本概述并非是為了限制權利要求的保護范圍。
[0005]本公開的第一方面，提供了一種半導體熱處理設備，包括：
[0006]基座，所述基座中設置有反應腔；
[0007]承載裝置，設置于所述反應腔中，所述承載裝置用于對半導體產(chǎn)品提供支撐；
[0008]調(diào)節(jié)裝置，與所述承載裝置相連，所述調(diào)節(jié)裝置用于根據(jù)所述半導體產(chǎn)品的底面與所述反應腔的底壁之間的間距，調(diào)節(jié)所述承載裝置與所述反應腔的底壁之間的間距。
[0009]在一些實施例中，所述調(diào)節(jié)裝置包括檢測裝置，所述檢測裝置設置于所述反應腔的底壁，所述檢測裝置用于獲取所述半導體產(chǎn)品的底面與所述反應腔的底壁之間的間距。
[0010]在一些實施例中，所述檢測裝置包括設置于所述反應腔的底壁上的光傳感器，所述光傳感器的檢測光線垂直于所述底壁并朝向所述半導體產(chǎn)品。
[0011]在一些實施例中，所述檢測裝置包括設置于所述反應腔側(cè)壁的光傳感器，所述光傳感器的檢測光線平行于所述反應腔的底壁。
[0012]在一些實施例中，在所述反應腔的深度方向上，所述光傳感器與所述承載裝置之間的間距為預設間距閾值；
[0013]其中，所述預設間距閾值為所述半導體產(chǎn)品發(fā)生形變時，所述半導體產(chǎn)品的底面與所述反應腔的底壁之間預設高度差的最小值。
[0014]在一些實施例中，所述調(diào)節(jié)裝置還包括控制裝置和第一驅(qū)動裝置，所述控制裝置與所述檢測裝置以及所述第一驅(qū)動裝置相連，所述控制裝置用于根據(jù)所述檢測裝置的檢測結果控制所述第一驅(qū)動裝置運動；
[0015]其中，若所述半導體產(chǎn)品與所述反應腔的底壁之間的距離小于或等于預設間距閾值，則所述控制裝置控制所述第一驅(qū)動裝置驅(qū)動所述承載裝置遠離所述反應腔的底壁。
[0016]在一些實施例中，所述反應腔中還設置有第二驅(qū)動裝置，所述第二驅(qū)動裝置用于驅(qū)動所述承載裝置相對所述基座轉(zhuǎn)動。
[0017]根據(jù)本公開的第二方面，提供了一種半導體產(chǎn)品的熱處理方法，包括：
[0018]將半導體產(chǎn)品放置在承載裝置上；
[0019]對放置在所述承載裝置上的半導體產(chǎn)品進行熱處理；
[0020]獲取所述半導體產(chǎn)品的最低點與基座的反應腔的底壁之間的間距，根據(jù)所述間距調(diào)節(jié)所述承載裝置與所述反應腔的底壁之間的距離。
[0021]在一些實施例中，所述半導體設備的調(diào)節(jié)方法還包括：
[0022]獲取所述間距與預設間距閾值的大小；
[0023]若所述間距小于或等于所述預設間距閾值，調(diào)節(jié)裝置驅(qū)動所述承載裝置遠離所述反應腔的底壁，使得所述半導體產(chǎn)品的最低點與所述反應腔的底壁之間的間距大于所述預設間距閾值。
[0024]在一些實施例中，所述預設間距閾值為3.5mm～6mm。
[0025]本公開提供的半導體熱處理設備及半導體產(chǎn)品的熱處理方法中，調(diào)節(jié)裝置與承載裝置相連，調(diào)節(jié)裝置能夠根據(jù)半導體產(chǎn)品的底面與反應腔的底壁之間的間距，驅(qū)動承載裝置相對基座運動，以調(diào)節(jié)承載裝置上的半導體產(chǎn)品與反應腔的底壁之間的間距，避免形變的半導體產(chǎn)品與基座相撞出現(xiàn)損傷，節(jié)省了成本。
[0026]在閱讀并理解了附圖和詳細描述后，可以明白其他方面。
附圖說明
[0027]并入到說明書中并且構成說明書的一部分的附圖示出了本公開的實施例，并且與描述一起用于解釋本公開實施例的原理。在這些附圖中，類似的附圖標記用于表示類似的要素。下面描述中的附圖是本公開的一些實施例，而不是全部實施例。對于本領域技術人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0028]圖1是一種相關技術中的半導體熱處理設備的示意圖。
[0029]圖2是根據(jù)一示例性實施例示出的一種半導體熱處理設備的示意圖。
[0030]圖3是根據(jù)另一示例性實施例示出的一種半導體熱處理設備的示意圖。
[0031]圖4是根據(jù)一示例性實施例示出的一種半導體產(chǎn)品的熱處理方法的流程圖。
[0032]附圖標記：
[0033]100
’
、半導體熱處理設備；10
’
、基座；20
’
、承載裝置；200
’
、半導體產(chǎn)品；
[0034]100、半導體熱處理設備；
[0035]10、基座；11、反應腔；12、反射板；
[0036]20、承載裝置；21、連接件；
[0037]30、調(diào)節(jié)裝置；31、檢測裝置；311、第一光傳感器；3111、第一檢測光線；312、第二光傳感器；3121、第二檢測光線；312a、發(fā)射端；312b、接收端；32、第一驅(qū)動裝置；
[0038]40、第二驅(qū)動裝置；41、定子；42、轉(zhuǎn)子；50、蓋體；51、燈組；52、傳輸通道；
[0039]200、半導體產(chǎn)品。
具體實施方式
[0040]為使本公開實施例的目的、技術方案和優(yōu)點更加清楚，下面將結合本公開實施例中的附圖，對公開實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例是本
公開一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本公開中的實施例，本領域技術人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本公開保護的范圍。需要說明的是，在不沖突的情況下，本公開中的實施例及實施例中的特征可以相互任意組合。
[0041]在半導體產(chǎn)品加工過程中，通常需要對半導體產(chǎn)品進行退火處理，以使得半導體產(chǎn)品能夠滿足工藝需求。目前，常用的加熱設備為快速退火爐(Rapid Thermal Processing，簡稱為RTP)。
[0042]退火過程中，半導體產(chǎn)品的形狀受到溫度的影響會發(fā)生變化，導致半導體產(chǎn)品可能與快速退火爐的內(nèi)部器件接觸發(fā)生損傷，增加了成本。
[0043]參考圖1，示出了一種相關技術的半導體熱處理設備100
’
，半導體熱處理設備100
’
包括基座10
’
和承載裝置20
’
，半導體產(chǎn)品200
’
放置于承載裝置20
’
上。在圖1中所示z方向上，基座10
’
與承載裝置20
’
的距離不可調(diào)節(jié)或不可實時調(diào)節(jié)，熱處理過程中，半導體產(chǎn)品200
’
(比如晶圓)受到溫度影響，通常出現(xiàn)本文檔來自技高網(wǎng)...
【技術保護點】
【技術特征摘要】
1.一種半導體熱處理設備，其特征在于，包括：基座，所述基座中設置有反應腔；承載裝置，設置于所述反應腔中，所述承載裝置用于對半導體產(chǎn)品提供支撐；調(diào)節(jié)裝置，與所述承載裝置相連，所述調(diào)節(jié)裝置用于根據(jù)所述半導體產(chǎn)品的底面與所述反應腔的底壁之間的間距，調(diào)節(jié)所述承載裝置與所述反應腔的底壁之間的間距。2.根據(jù)權利要求1所述的半導體熱處理設備，其特征在于，所述調(diào)節(jié)裝置包括檢測裝置，所述檢測裝置設置于所述反應腔的底壁，所述檢測裝置用于獲取所述半導體產(chǎn)品的底面與所述反應腔的底壁之間的間距。3.根據(jù)權利要求2所述的半導體熱處理設備，其特征在于，所述檢測裝置包括設置于所述反應腔的底壁上的光傳感器，所述光傳感器的檢測光線垂直于所述底壁并朝向所述半導體產(chǎn)品。4.根據(jù)權利要求2所述的半導體熱處理設備，其特征在于，所述檢測裝置包括設置于所述反應腔側(cè)壁的光傳感器，所述光傳感器的檢測光線平行于所述反應腔的底壁。5.根據(jù)權利要求4所述的半導體熱處理設備，其特征在于，在所述反應腔的深度方向上，所述光傳感器與所述承載裝置之間的間距為預設間距閾值；其中，所述預設間距閾值為所述半導體產(chǎn)品發(fā)生形變時，所述半導體產(chǎn)品的底面與所述反應腔的底壁之間預設高度差的最小值。6.根據(jù)權利要求2所述的半導體熱處理設備，其特征在于，所述...
【專利技術屬性】
技術研發(fā)人員：李偉，劉宇恒，俞華亮，賀謀飛，
申請(專利權)人：長鑫科技集團股份有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
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